碳納米晶體管性能首次超越硅晶體管

聶翠蓉

據(jù)報(bào)道，美國威斯康星大學(xué)麥迪遜分校材料學(xué)家成功研制的1英寸大小碳納米晶體管，首次在性能上超越硅晶體管和砷化鎵晶體管。這一突破是碳納米管發(fā)展的重大里程碑，將引領(lǐng)碳納米管在邏輯電路、高速無線通訊和其他半導(dǎo)體電子器件等技術(shù)領(lǐng)域大展宏圖。

碳納米管管壁只有一個(gè)原子厚，是最好的導(dǎo)電材料之一，因而被認(rèn)為是最有前景的下一代晶體管材料。碳納米管內(nèi)往往會(huì)混雜一些金屬納米管，這些金屬納米管會(huì)造成電子裝置短路，從而破壞碳納米管的導(dǎo)電性能。而研究團(tuán)隊(duì)利用聚合物獲得了去除金屬納米管的獨(dú)有條件，最終將金屬納米管的含量降到0.01%以下，幾乎是超高純度的碳納米管。研究團(tuán)隊(duì)還研發(fā)出一種溶解方法，成功移除碳納米管制造過程中產(chǎn)生的殘?jiān)?/p>