碳納米晶體管性能首次超越硅晶體管

聶翠蓉

據報道，美國威斯康星大學麥迪遜分校材料學家成功研制的1英寸大小碳納米晶體管，首次在性能上超越硅晶體管和砷化鎵晶體管。這一突破是碳納米管發展的重大里程碑，將引領碳納米管在邏輯電路、高速無線通訊和其他半導體電子器件等技術領域大展宏圖。

碳納米管管壁只有一個原子厚，是最好的導電材料之一，因而被認為是最有前景的下一代晶體管材料。碳納米管內往往會混雜一些金屬納米管，這些金屬納米管會造成電子裝置短路，從而破壞碳納米管的導電性能。而研究團隊利用聚合物獲得了去除金屬納米管的獨有條件，最終將金屬納米管的含量降到0.01%以下，幾乎是超高純度的碳納米管。研究團隊還研發出一種溶解方法，成功移除碳納米管制造過程中產生的殘渣。