化學機械拋光技術軍民融合發展及推廣應用

楊 師，姜家宏，劉雪嬌

(中國電子科技集團公司第四十五研究所，北京100176)

化學機械拋光技術軍民融合發展及推廣應用

楊 師，姜家宏，劉雪嬌

(中國電子科技集團公司第四十五研究所，北京100176)

介紹了化學機械拋光設備的主要技術特點及功能，技術特點包括拋光盤制造及裝配、拋光頭壓力控制、拋光液流量控制、拋光盤溫度控制及晶片蠟粘與斷電保護機構等；主要功能介紹了拋光頭單獨控制、自適應柔性承載器、外形及內部結構特點、人性化操作界面及自動控制程序等。說明了現階段國內化學機械拋光設備的主要發展方向。

化學機械拋光設備；拋光盤；拋光頭控制

CMP（Chemical Mechanical Polishing，化學機械拋光）的基本原理是將晶片在研磨液存在的情況下相對于拋光墊接觸旋轉運動，并對其施加一定的壓力，借助于機械磨削及化學腐蝕作用來完成其表面拋光。其中，拋光平臺在電機的帶動下以角速度ω轉動，拋光墊粘在平臺上。被拋光片通過真空吸附或蠟粘方式附著在承載器上，承載器在拋光頭的帶動下，以相同角速度ω轉動，方向與平臺相同。同時，機械壓力通過拋光頭，承載器和拋光盤將被拋光片壓在浸滿拋光液的拋光布上，在拋光盤與拋光頭轉動的作用下，被輸送到拋光布上的拋光液均勻地分布到拋光布上，在被拋光片和拋光盤之間形成一層液體薄膜，這層膜起質量傳輸和傳遞壓力的作用，拋光液中的化學成分與被拋光片發生化學反應，將不溶……