SADP工藝中一類特殊二維圖形的分解處理

宋長庚

(上海交通大學，上海200240)

SADP工藝中一類特殊二維圖形的分解處理

宋長庚

(上海交通大學，上海200240)

自對準雙重圖型（SADP）技術廣泛應用于28 nm以下節點邏輯電路制造工藝和存儲器制造工藝。與其他雙重圖形技術（LELE，LPLE）相比，在處理二維圖形分解時，SADP面臨更復雜的要求。針對一種簡單的二維圖形，介紹了3種圖形分解方法，可以有效改善線寬和對準工藝窗口。

自對準雙重圖形；二維圖形；圖形分解；工藝窗口

1 引言

雙重圖形技術（double patterning）可以將圖形分辨率提高一倍，因此廣泛應用于28 nm以下技術節點的邏輯電路工藝和存儲器制造工藝中。雙重圖形需要使用兩張掩模板進行兩次曝光，必須將設計圖形分解到兩張掩模板，使兩次曝光的圖形相互配合形成原始設計圖形。因此必須研究如何將原始設計圖形分解到兩張掩模板。在SADP工藝中，如果只需要制造一維連續的線/間距圖形——如NAND flash中的字線、位線——則不需要進行圖形分解。針對一種簡單的二維圖形，本文介紹了3種圖形分解方法，可以有效改善線寬和對準工藝窗口。

2 SADP工藝和問題的提出

2.1 SADP工藝

在文獻[1]中介紹了SADP工藝和這種工藝的特點，驗證使用了它的線寬一致性（CDU）和邊緣粗糙度（LER）以及可重復性。各種SADP工藝的流程類似，只是使用的薄膜堆棧材料不同。本文所采用的SADP工藝流程如圖1所示。首先制作核心圖形（core），其節距為P1；然后利用原子層沉積（ALD）的方式在核心圖形側壁形成均勻一致的側墻（Spacer）；再通過干法蝕刻工藝去除頂部和底部的ALD層和核心圖形，形成由側壁構成的圖形。……