還原爐運行間隔時間對三氯氫硅總進料平穩(wěn)性的影響

楊　楠，詹水華

還原爐運行間隔時間對三氯氫硅總進料平穩(wěn)性的影響

楊楠1，詹水華2

（1. 新疆東方希望新能源有限公司，新疆 昌吉 831799； 2. 江蘇雙良新能源裝備有限公司，江蘇 江陰 214444）

根據(jù)單臺24對棒還原爐的SiHCl3進料曲線，采用Matlab編程，分析了30臺還原爐的運行間隔時間對SiHCl3總進料量平穩(wěn)性的影響，并計算出最合理的運行間隔時間為4 h，方法和結(jié)果可作為實際生產(chǎn)運行的參考和指導。

多晶硅；還原爐；間隔時間；三氯氫硅；平穩(wěn)性

三氯氫硅（SiHCl3）在鐘罩式還原爐內(nèi)，與H2在熾熱的硅芯表面（～1 100 ℃）發(fā)生化學氣相沉積，生成多晶硅。隨著沉積時間的延長，硅棒逐漸變粗，直至達到一定直徑而停爐。每臺還原爐為間歇操作方式。為維持較高的沉積速率，SiHCl3的進料量需隨生長時間不斷變化，進料曲線具有時間相關性。同一類型的還原爐，SiHCl3進料曲線基本是相同的。對于配置有多臺還原爐的多晶硅裝置，在實際生產(chǎn)過程中，需要對每臺還原爐的開、停順序做出合理的安排，并確定出各臺還原爐之間的運行間隔時間，避免SiHCl3的總進料量出現(xiàn)較大的起伏波動，導致全廠工藝裝置發(fā)生供料不足或漲庫的問題。本文采用Matlab軟件編程，以24對棒還原爐的SiHCl3進料曲線為基礎，在整個還原爐運行周期內(nèi)，對30臺還原爐的SiHCl3總進料量變化情況進行了分析，并得到較合理的運行間隔時間以及不同間隔時間對應的SiHCl3總進料量的波動情況。本文的方法和結(jié)果可以為實際生產(chǎn)運行提供參考，也可為多晶硅裝置SiHCl3緩沖罐的總?cè)莘e設計提供指導。

1 單臺還原爐SiHCl3進料曲線

24對棒還原爐，單臺SiHCl3進料曲線如圖1。

單臺還原爐的生產(chǎn)周期為120 h，包括100 h的進料沉積時間和20 h的停爐及輔助時間。整個周期內(nèi)，SiHCl3的進料量呈現(xiàn)較大的變化。在前20 h，SiHCl3的進料量從300 kg/h呈直線增加到最大值2850 kg/h，維持40 h左右，開始緩慢減小，到100 h后停爐停料。

圖1 24對棒多晶硅還原爐進料曲線

2 計算與結(jié)果

將單臺還原爐的進料曲線按1小時取點，作為一個含120個元素的數(shù)組。同時，對30臺還原爐進行編號，依次按不同的間隔時間進行開爐，計算并分別做出對應的總進料量的變化曲線，結(jié)果如圖2所示。

圖2 不同運行間隔時間SiHCl3總進料曲線

從圖2可見：

①當間隔時間為0h（即30臺還原爐同開同停），SiHCl3總進料曲線與單臺進料曲線形式一樣。所有還原爐同時達到最大和最小進料量，SiHCl3供料波動最大，最大進料量達到85.5t/h，對整個多晶硅工藝裝置的物料平衡非常不利。

②當還原爐運行間隔時間從1 h延長至4 h，進料平衡狀況不斷得到改善。并且運行間隔時間為4 h時進料最平穩(wěn)，基本呈水平線趨勢。整個周期內(nèi)進料量都維持在60.5 t/h左右，波動不超過2.38%。

③當還原爐運行間隔時間再增加到5 h和6 h，總進料平衡狀況則又變差。

故，對30臺還原爐，運行間隔時間為4 h時，SiHCl3總的進料曲線最為平穩(wěn)，對系統(tǒng)的SiHCl3物料平衡影響最小。

圖3為不同間隔時間（0～23 h）對應SiHCl3總進料曲線波動情況。

從圖3可見，當間隔時間為4、7、12、16 h時為極小值，其中當4 h為最小值，表示SiHCl3總進料曲線最平穩(wěn)。

為4 h時就對應著最平穩(wěn)的SiHCl3總進料曲線。間隔時間的長短，與單爐進料曲線形式，以及還原爐臺數(shù)不同而不同。

圖3　不同間隔時間SiHCl3總進料曲線波動情況

3 結(jié)論

還原爐的運行間隔時間對總進料曲線的平穩(wěn)性有重要影響。根據(jù)SiHCl3單爐進料曲線，通過Matlab編程，可以對多臺還原爐的的SiHCl3總進料量進行分析，并計算出最佳的運行間隔時間，使SiHCl3總進料曲線保持平穩(wěn)。對于30臺24對棒的還原爐進料曲線，運行間隔時間4 h時，SiHCl3總進料曲線最平穩(wěn)。此方法也可對不同爐型，不同臺數(shù)的還原裝置，在周期內(nèi)對SiHCl3、包括H2和SiCl4等物料流量的波動情況進行預測和分析，在實際生產(chǎn)過程中及時做出調(diào)整，對整個多晶硅工藝裝置的物料平衡和生產(chǎn)穩(wěn)定性有利。

Influence of the Run Time Interval of Polysilicon CVD Reactor on the Stability of Total TCS Feeding

1,2

（1. Xinjiang East Hope New Energy Co.,Ltd.,Xinjiang ChangJi 831799, China；2. Jiangsu Shuangliang New Energy Equipment Co.,Ltd.,Jiangsu Jiangyin 214444, China）

According to the TCS feeding curve of only one polysilicon CVD reactor, by Matlab programming, influence of the run time interval of 30 polysilicon CVD reactors on the stability of total TCS feeding was analyzed, and it's calculated that 4 h is reasonable time interval. The method and result can be applied into the actual operation run.

polysilicon; CVD reactor; time interval ; TCS; stability

2016-11-15

楊楠（1977-），男，工程師，碩士，四川眉山人，2004年畢業(yè)于南京工業(yè)大學，研究方向：改良西門子工藝制備多晶硅。

TQ 110.6

A

1004-0935（2017）01-0074-02