MEMS熱膜式壁面剪應力傳感器微弱信號檢測

孫海浪, 田于逵, 金 磊, 張 璇, 謝 華

(1. 中國船舶科學研究中心, 水動力學國防科技重點實驗室, 江蘇 無錫 214082; 2. 杭州金恒電源科技有限公司, 杭州 311112)

MEMS熱膜式壁面剪應力傳感器微弱信號檢測

孫海浪1,*, 田于逵1, 金 磊2, 張 璇1, 謝 華1

(1. 中國船舶科學研究中心, 水動力學國防科技重點實驗室, 江蘇 無錫 214082; 2. 杭州金恒電源科技有限公司, 杭州 311112)

MEMS熱膜式壁面剪應力傳感器的輸出信號是帶有基礎電壓的微弱電壓信號，無法通過放大器直接放大的方法實現高精度測量。文章提出在輸出信號放大前增加信號平衡環節，在保留有效信號的前提下減小基礎電壓，再通過放大的方法實現其高精度測量，有效解決了MEMS熱膜式壁面剪應力傳感器微弱信號檢測的難題。文章介紹了MEMS熱膜式壁面剪應力傳感器微弱信號檢測的技術方案、關鍵技術、測試檢驗及試驗應用實例。

微機電系統；熱膜；壁面剪應力；傳感器；微弱信號檢測

0 引 言

一直以來，通過有效的技術措施實現減阻增效、提高水下航行體綜合航行性能是水動力研究的重要內容。壁面剪應力的精確測量對于研究水下物體邊界層流動、尋求有效的減阻增效措施至關重要[1-2]。物體近壁湍流流動現象具有時間和位置的不確定性，流動結構尺度小，生命周期短，且對外界擾動極為敏感。這些特性對測試和辨識技術提出了很高的要求，傳統傳感器一般難以滿足[3]。MEMS(微機電系統)技術的發展為上述問題，包括壁面剪應力大面積、長時間、高精度測量問題的解決提供了可能[4-5]。

壁面剪應力的測量方法大致分為2類：直接測量法，如浮動元件法、油膜干涉法；間接測量法，如熱線/熱膜法、普林斯頓管法、斯坦頓管法和底層隔板法等[3,6]。其中，熱膜法以頻響快、空間分辨率高、對流場干擾小及可靠性高等特點獲得了較為廣泛的應用[7-12]。MEMS熱膜式壁面剪應力傳感器的輸出信號是帶有基礎電壓(伏級)的微弱電壓信號(微伏級)，需通過放大以實現高精度測量，但受制于常用數采系統的輸入限制(-10～10V)，放大倍數有限，無法滿足測量要求。因此，文章提出在輸出信號放大前增加信號平衡環節，在保留有效信號的前提下減小基礎電壓，再通過放大的方法實現其高精度測量，有效解決了MEMS熱膜式壁面剪應力傳感器微弱信號檢測的難題。

1 傳感器敏感原理和輸出信號特性

本文所采用的水下MEMS熱膜式壁面剪應力傳感器敏感原理基于熱轉移法[13]，即在恒流驅動下，電流加熱貼附壁面的MEMS傳感器熱薄膜敏感元件，熱能在不同流動情況(壁面剪應力)下通過熱對流的形式轉移到流場中，引起熱敏電阻阻值的變化?？梢栽偻ㄟ^測量熱敏電阻兩端的電壓變化，檢測熱敏電阻阻值變化，實現壁面剪應力的測量，如圖1和2所示。

靈敏度和動態響應速度是熱膜式傳感器的2大性能指標。靈敏度主要與激勵電流大小有關，恒流源提供的激勵電流越大，電橋輸出電壓信號越大。然而在水下使用時，采用較大的激勵電流加熱熱敏電阻，容易在電阻表面產生附著的氣泡，影響熱對流[14]。熱敏元件的厚度直接影響傳感器的動態響應速度，其表面積大小則決定了對流換熱與向襯底傳熱的比例，而向襯底的傳熱是應該盡量減小的[15]。結合傳感器性能指標及工程實際應用，文章最終采用的恒流源激勵電流I0為50mA，熱敏元件長×寬×厚=3mm×50μm×2μm，基礎阻值R0約20Ω(取決于微加工工藝偏差，在16～24Ω范圍內)。

由熱膜式傳感器的敏感原理可知，經I0=50mA恒流源激勵后，無壁面剪應力輸入條件下熱敏電阻兩端的基礎電壓U0約為0.8～1.2V(U0=I0×R0)，而滿量程情況下熱敏電阻阻值最大變化ΔRm/R0≈-10%，換算成輸出電壓變化量ΔUm約為-100mV。對于量程為0～50Pa的傳感器，要實現0.1Pa分辨率的精密測量，其輸出信號分辨率至少需達到0.1Pa×(-100mV)/50Pa=-0.2mV。如此微弱的輸出電壓變化量ΔU(微伏量級)在輸出電壓信號U(U=U0+ΔU，伏量級)中難以分辨。

2 平衡環節設計方案

可在輸出電壓信號U放大前增加信號平衡環節，在保留輸出電壓變化量ΔU的情況下盡量減小基礎電壓U0，將U0控制在-1～1mV范圍內，則輸出電壓信號U將控制在-101～1mV范圍內，再通過放大實現ΔU的測量，如圖3所示。平衡環節技術要求如表1所示。

表1 平衡環節技術要求Table 1 Technical requirements of the OBS

平衡環節工作原理如圖4所示。選用精度為0.1%的電源芯片(ADR4525)作基準電源，產生2.5V的基準電壓，該電壓既作為ADC轉換芯片的供電電源，又作為后續平衡電路的參考電壓?；鶞孰妷航涍^一個運算放大器(OPA2335)構成的電壓跟隨環節，隔離后續電路阻抗對基準電壓的影響，進入分壓電路。分壓電路由一個1024檔分辨率的數字電位器(X9111)和精密電阻(100kΩ)串聯而成，通過數字電位器調節，可產生0.5～1.5V的電壓，調節精度為1mV。分壓電路的輸出電壓進入減法器運放的反向端。傳感器(帶寬為1kHz)兩端的初始電壓經過一個運算放大器(OPA2335)構成的電壓跟隨環節后，進入減法器運放的同向端。減法器運放的輸出進入16位ADC(AD7705，采樣率為20Hz)的輸入端。ADC的輸出進入8位單片機(PIC16F887)的輸入端，由單片機程序判斷平衡后電壓是否達到預設值，程序流程圖如圖5所示。

3 關鍵技術及解決方法

3.1 寬電壓輸入范圍和高分辨率

平衡環節輸入電壓范圍為0.5～1.5V，跨度為1V，精度要求≤1mV。常用的數字電位器為10位(即1024級可調)，理論上可以滿足精度和跨度要求，而實際上，電路中有固定阻值的分壓電阻和數字電位器串聯，即便數字電位器電阻可以1024級線性可調，其兩端的電壓值會是非線性的。當輸入電壓較小時，電壓分辨率高；輸入電壓較大時，電壓分辨率低。為實現整個輸入電壓范圍內電壓分辨率都高于1mV，需要采用分檔調節。

分檔調節基本原理如下：首先基準電源產生2.5V參考電壓，通過多路開關(CD4016)分別接3組分壓電阻，2.5V參考電壓經過分壓后，可以分別產生0.75、1.25和1.625V的3檔電壓?？筛鶕嶋H情況，選擇其中最合適的一檔電壓。用數字電位器(X9111)和高精度電阻(100kΩ)串聯，可以實現二分之一至全電壓范圍內1024級可調。對應3檔電壓的可調范圍分別為0.375～0.75V、0.625～1.25V、0.8125～1.625V，電壓檔位越小，可調精度越高，3檔精度分別為0.4、0.6和0.8mV。

多路開關默認選用第2檔電壓，數字電位器初始接入最大電阻，此時可調電壓輸出為0.625V。平衡環節初始平衡輸出若在0～0.625V內說明檔位選擇正確，多路開關保持；若小于0，說明應選用第1檔電壓，多路開關做相應變換后保持；若大于0.625V說明應選擇第3檔電壓，多路開關做相應變換后保持。

3.2 隔離市電干擾

為避免市電中的雜散波造成干擾，工作時平衡環節由鋰電池(18650)供電，每一路通道由2個3.7～4.2V鋰電池串聯供電，開關電路額外有1個鋰電池供電。鋰電池串聯后的總電壓經過1個三極管和3個二極管降壓后，額定電壓為5V。平衡環節內部設置有鋰電池電壓檢測電路，電池欠壓時會有指示燈亮起，提示需要充電。鋰電池充電器外接，采用220V市電供電。由于市電干擾的存在，平衡環節在充電時不建議使用。

4 平衡環節測試檢驗

采用干電池、穩壓電源等模擬無壁面剪應力輸入時熱敏電阻兩端的初始基礎電壓信號，采用Agilent 34401A(6.5bit)高精度數字萬用表測試平衡前、后的電壓信號，檢測平衡環節的平衡能力。干電池(1.364 439V，輸入噪聲小于1μV(p-p))作初始基礎電壓平衡情況，如表2所示。

平衡環節各項技術指標檢驗情況如表3所示。

表2 干電池作初始基礎電壓各通道的平衡情況Table 2 Output-balancing signal of a dry battery basic voltage

表3 平衡環節各項技術指標檢驗Table 3 Specification test of the OBS

5 試驗應用

在小型水槽中進行了平板表面MEMS壁面剪應力測量試驗，試驗段長×寬×高=1850mm×250mm×150mm，平板模型整體長×寬×厚=1000mm×150mm×20mm，MEMS傳感器陣列安裝于距前緣800mm位置處。

測量了不同來流速度下平板表面的壁面剪應力，以傳感器陣列第5通道為例，如表4和圖6所示。與平板經驗估算值[16]比較，最大相對差別為4.8%，測量結果具有較高可信度。初步判斷可知，V<0.251m/s(Re=VL/ν<222 913)時，流動為層流；V>0.451m/s (Re>400 533)時，流動為湍流； 0.251m/s

表4 平板表面MEMS壁面剪應力測量結果Table 4 Results of MEMS WSS measurement on a flat plate

Fig.6 Compare between measured and calculated results of the flat plate

6 結 論

針對MEMS熱膜式壁面剪應力傳感器實際使用中微弱信號難以檢測的問題，設計增加了信號平衡環節，在保留有效信號的前提下減小基礎電壓，再通過放大的方法實現其高精度測量，有效解決了MEMS熱膜式壁面剪應力傳感器微弱信號檢測的難題。已應用于平板表面壁面剪應力測試試驗，效果良好，表明所提出的傳感器微弱信號檢測方法是有效的。

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(編輯：楊 娟)

Weak signal detection of MEMS hot-film wall shear stress sensors

Sun Hailang1,*, Tian Yukui1, Jin Lei2, Zhang Xuan1, Xie Hua1

(1. National Key Laboratory of Science and Technology on Hydrodynamics, China Ship Scientific Research Center (CSSRC), Wuxi Jiangsu 214082, China; 2. Hangzhou Onforever Power Technology Co. Ltd, Hangzhou 311112, China)

The weak signal of MEMS hot-film wall shear stress (WSS) sensors is hard to detect by direct amplification due to the inherent basic voltage. An effective method to solve this problem is proposed, which is to add an output-balancing system (OBS) before the signal is amplified. The basic voltage is decreased while the signal is retained. The development of the output-balancing system is presented, including the technical scheme, key technologies, examination and application.

MEMS;hot-film; wall shear stress;sensors;weak signal detection

2016-12-15;

2017-02-24

國家重大科學儀器設備開發專項(2013YQ04091107)

SunHL,TianYK,JinL,etal.WeaksignaldetectionofMEMShot-filmwallshearstresssensors.JournalofExperimentsinFluidMechanics, 2017, 31(2): 39-43. 孫海浪, 田于逵, 金 磊, 等.MEMS熱膜式壁面剪應力傳感器微弱信號檢測. 實驗流體力學, 2017, 31(2): 39-43.

1672-9897(2017)02-0039-05

10.11729/syltlx20170016

TP212

A

孫海浪(1987-)，男，江蘇淮安人，工程師。研究方向：實驗流體力學。通信地址：江蘇省無錫市濱湖區山水東路222號(214082)。E-mail:sun.hl@163.com

*通信作者 E-mail: sun.hl@163.com