杜德棚



摘 要:文章介紹了一種高集成度TDD模式的射頻收發模塊,在移動通信的F頻段(2 015~2 025 MHz),實現射頻與數字基帶互相轉換,Tx功率達到2 W,接收NF小于2.1 dB,收發EVM指標全面達到要求。
關鍵詞:高集成度;TDD模式;移動通信;F頻段;射頻模塊;數字基帶
移動通信系統的技術正在飛速發展,高集成度的射頻收發模塊有非常重要的作用,可以有效縮小體積,降低設備成本。本文系統地介紹了一種高集成度TDD模式的射頻與基帶收發轉換模塊,指標全面達到要求。
1 整體架構分析
1.1 整體框圖
射頻與基帶轉換模塊的框圖如圖1所示,工作在TDD模式。
1.2 接收端射頻方案
1.2.1 高速率(240 kbps)用零中頻方案
天線接收到的信號經過收發開關進入LNA,進行低噪聲放大。信號經過SAW濾波后通過AMP放大,降低后級混頻及基帶電路產生的噪聲干擾,之后經過正交直接變頻為模擬基帶I/Q信號,通過濾波器LPF1進行信道選擇,APGA提供可變增益放大,滿足信號AGC范圍。I/Q基帶信號經過A/D采樣后以串行數字形式送給基帶處理芯片進行解調。
在零中頻方案中,MIXER2和CHANNEL FILTER+GAIN會Bypass?;鶐酒ㄟ^解調確定實測信號的幅度,產生AGC控制信號,并通過SPI將AGC控制信號寫入射頻芯片的寄存器,調整可變增益放大器的增益以滿足基帶信號電平的要求。直流誤差補償環路和鏡像抑制電路在射頻芯片中實現,自動完成直流誤差補償和鏡像抑制補償。
1.2.2 低速率(16 kbps)用低中頻方案
在低中頻方案中,MIXER2和CHANNEL FILTER+GAIN會使能,MIXER2之前的工作原理與零中頻方案相同。中頻I/Q信號進入ADC,A/D采樣后經數字混頻器解調至基帶,再經過多相濾波器濾除鏡像頻率,經并串轉換后輸出。
1.3 發射通道方案
發射采用零中頻方案,從基帶芯片送來的串行數據信號轉換為并行信號后,通過射頻芯片DAC部分轉換成模擬信號并放大濾波,上變頻部分MIXER3將基帶模擬信號調制到射頻發射頻率,放大部分PPA對射頻信號進行放大。發射SAW波器濾除帶外噪聲,減少發射雜散和噪聲,滿足雜散輻射要求。2 W功放芯片實現信號功率放大,最后通過射頻收發開關進入天線。
2 指標分析
2.1 接收鏈路指標分析
2.1.1 計算噪聲系數
接收機的靈敏度需求為:-124dBm@BW=21.6 kHz;其中占用帶寬是21.6 kHz,有用帶寬為16 kHz,應該以有用帶寬計算靈敏度。
根據靈敏度計算公式:
=-174 dBm/Hz +10 Log(BW)+ NF + SNR;由于基帶可以解調的SNR=3.7 dB,
可得:NF=+174 dBm/Hz -10 Log(BW)-SNR
=-124 dBm-(-174 dBm/Hz)-10 log(16 kHz)-3.7 dB
=4.26 dB
由以上結果,有NF<4.26 dB,相對于系統要求的NF<3 dB,余量為 1.26 dB。
2.1.2 鏈路仿真結果
靈敏度仿、NF和Gain仿真結果如圖2所示。
仿真結論表明,NF=2.03 dB,靈敏度=-126.2 dB,達到要求。
2.2 發射鏈路指標分析
Tx鏈路的仿真結果如圖 3所示。
由于射頻芯片的Tx最大輸出功率為7.5 dBm,且當Pout>0 dBm時,Tx會出現非線性產物,在Tx載波附近會逐漸出現雜散。為了減小非線性產物,射頻芯片的Pout應回退,滿足Pout<0 dBm。
由于天線口輸出功率為33 dBm,且信號峰均比為3.7 dB,為了滿足功率和增益要求,選取高增益功放MAG 43 528,Gain=39.5 dB,OP1dB=36.5 dBm,即4.5 W。
鏈路總增益為36 dB,射頻芯片的Tx輸出功率為-3 dBm,滿足功率回退要求。
3 實測結果
3.1 接收通道噪聲系數
接收通道噪聲系數的測試結果如表1和圖4所示。噪聲系數計算方法:
NF(dB)=Pin-KT-C/N0
=(Pin-(-174 dBm/Hz))-(C/N0)
=50 dB-(C/N0)
其中,C/N0是基帶輸出信噪比。
3.2 接收通道I/Q輸出的EVM
接收通道I/Q輸出的EVM結果如表 2和圖 5所示。
3.3 發射通道的EVM
3.3.1 測試表格
發射通道的EVM測試結果如表 3和圖 6所示。
3.4 發射通道ACPR
測試條件和測試結果如表 4和圖 7所示。
4 結語
根據本方案設計的F頻段射頻收發模塊,實現射頻信號與數字基帶的轉換,性能指標全面滿足要求,可以作為移動通信終端的2 W射頻模塊,是移動通信系統的重要組成部分。
[參考文獻]
[1]陳邦嬡.射頻通信電路[M].北京:科學出版社,2006.
[2]王文祥.微波工程技術[M].北京:國防工業出版社,2014.
Abstract: This paper introduces a highly integrated TDD mode RF transceiver module. In F band (2 015-2 025 MHz) of the mobile communication, it actualizes the conversion of radio frequency signal and digital baseband signal, and Tx power reaches 2 W, Rx NF is less than 2.1 dB, Tx and Rx EVM fully meet the requirements.
Key words: highly integrated; TDD mode; mobile communication; F band; RF module; digital baseband