陳 莽 張 更
北京航天長征飛行器研究所 ,北京 100076
低噪聲微波放大器(LNA)已廣泛應用于微波通信、GPS接收機、遙感遙控、雷達、電子對抗及各種高精度的微波測量系統中,是必不可少的重要電路。低噪聲放大器位于射頻接收系統的前端,其主要功能是將來自天線的低電壓信號進行小信號放大。前級放大器的噪聲系數對整個微波系統的噪聲影響最大,它的增益將決定對后級電路的噪聲抑制程度。應用于導航接收系統中的LNA,要求噪聲低、可靠性高,考慮到復雜的電磁環境,要對大功率的S波段遙測信號進行干擾抑制。
2.1 低噪聲放大器的理論
LNA的性能指標主要是噪聲系數、增益、工作頻帶及電壓駐波比等,尤其是噪聲系數和增益對整機性能影響較大。要實現理想功率傳輸,必須使負載阻抗與源阻抗相匹配,這就需要插入匹配網絡。放大管存在最佳源阻抗Zsopt,LNA的輸入端應按Zsopt進行匹配,此時放大器的噪聲系數為最小,稱為最佳噪聲匹配。而為了獲得較高的功率增益和較好的輸出駐波比,輸出端采用輸出共軛匹配。如果增益不夠,需采用多級放大電路。
噪聲系數F為輸入信噪比比輸出信噪比。信號通過放大器后,由于放大器產生噪聲,使信噪比變壞,信噪比下降的倍數就是噪聲系數。
Si,So,Ni和No分別為放大器輸入和輸出的信號功率和噪聲功率;G為放大器增益。一個具有增益G1,G2,…,Gn和噪聲系數為F1,F2,…,Fn的n級串接級聯的放大器的噪聲系數為:

F為放大器整機的噪聲系數,Fn為放大器第n級的噪聲系數,Gn-1為放大器第n-1級的增益,K為放大器后續級的噪聲系數與噪聲因子的關系式。可以看出級聯放大器的噪聲系數主要由第一級的噪聲系數決定,為了獲得盡可能低的噪聲系數,第一級放大器必須實現最佳噪聲輸入匹配電路設計。
2.2 放大器的設計思路
LNA的綜合設計包括如下幾個方面:電路形式的選擇、器件的選擇、匹配網絡設計和偏置電路設計和優化設計。
由于增益較高,本文設計的LNA由兩級放大電路組成。根據對遙測信號的陷波要求,在導航信號進入放大芯片前,采取遙測信號陷波技術,對遙測信號進行抑制,防止功率大的遙測信號阻塞放大電路。輸入匹配電路,利用斯密斯圓圖進行匹配設計。該設計匹配電路是采用集總參數元件實現,在獲得低噪聲的前提下,很容易獲得純50Ω 的電阻性阻抗電路和優異的駐波比。電源采用5V 直流電壓供電。放大器的結構框圖如圖1 所示。

圖1 放大器的結構框圖
3.1 設計指標
本LNA應用于某衛星導航系統中,主要指標為:
工作頻率:1550~1609MHz;
噪聲系數NF≤1.5dB;
增益 :32dB~36dB;
S波段陷波抑制:≥20dB。
3.2 S波段陷波電路
S波段遙測陷波采用電感和電容組合形成低通陷波器,由于對遙測信號的抑制要大于20dB,在放大芯片前端采用兩階低通陷波設計,對遙測信號進行陷波。其遙測信號低通陷波原理圖如圖3所示。

圖2 遙測信號低通陷波原理圖
3.3 放大器電路
前級放大器相對注重噪聲性能,輸入端針對最佳噪聲系數要求設計匹配電路,不要求增益太高。后級放大器則相對注重增益性能,適當降低對噪聲系數的要求。即輸出端口和級間針對增益最大和平坦度進行匹配電路設計。
設計時,放大電路一級放大芯片選擇HMC618LP3,其放大增益為21dB,噪聲系數為0.8dB;二級放大芯片選擇SGA3563,其放大增益為23dB,噪聲系數為2.5dB。低噪聲放大器HMC618-LP3設計為工作電壓3.3V。設計噪聲系數F為1.2dB,放大器增益34dB。
低噪聲放大器原理如圖3所示。
根據以上設計分析,原材料選用美國Rogers公司雙面覆銅介質基板Rogers4350,介電常數:3.38;厚度:0.5mm,進行了硬件的加工并測試。LNA的PCB板如圖4所示。
S波段遙測信號的陷波實測曲線如圖5所示,增益測試曲線如圖6所示。

圖3 低噪聲放大器原理圖

圖4 LNA的PCB板

圖5 遙測信號的陷波測試曲線

圖6 增益測試曲線
根據圖5可以得出,陷波衰減能達到25dB以上,陷波損耗約為0.3dB。根據圖6可以得出,放大器的增益33.4dB,通過遙測信號的陷波設計,使得放大器在遙測工作頻帶處的增益迅速下降,放大器的增益曲線顯示放大器有“濾波放大”的作用,對遙測信號抑制能達到25dB以上。經噪聲儀測試,其噪聲系數為1.2dB。通過以上測試分析顯示實際測試值與設計指標要求一致,達到了設計要求。
根據導航系統對L波段低噪聲放大器的指標要求,選擇合適的電路拓撲、元器件和板材,通過對遙測信號的陷波設計,采用封閉盒體結構等方法,在設計上提高放大器的環境適應能力和系統抗干擾特性。最終通過實測驗證了該方案的可行性,測試結果與設計結果吻合較好。這里的創新點是采用遙測信號陷波技術,L波段低噪聲放大器具有增益高、噪聲系數小及對S波段信號抑制等優點,可廣泛應用于微波通信、衛星導航通信等各種電子設備中。
[1] 陳天麒. 微波低噪聲晶體管放大器[M]. 北京: 人民郵電出版社,1983.(Chen Tianlin. A Design of Low Noise Transistor Amplifier [M]. Post & Telecom Press. Beijing. 1983.)
[2] Guillermo Gonzalez 著, 白曉東譯. 微波晶體管放大器分析與設計[M]). 北京: 清華大學出版社, 2003.(Guillermo Gonzalez, Bai Xiaodong.Design and Analysis of Low Noise Transistor Amplifier. Beijing: TsingHua University Press, 2003. )
[3] (美)Reinho ld L udw ig, Pavel Bretchko著. 王子宇,等譯, 射頻電路設計理論與應用[M ]. 北京: 電子工業出版社, 2002.(Reinho ld L udw ig, Pavel Bretchko, Wang Ziyu. Theory and Application Research of RF Circuits [M].Beijing: Publishing House of Electronics Industry,2002.)
[4] Bal S Virdee, Avtar S Virdee, Ben Y Banyamin.Broadband Microwave Amplifiers[M]. Boston London: Artech House, Inc,2004:17-50.