劉 迪,蔡衛濱,韓 雪,李 奕,王永剛
[中國礦業大學(北京)化學與環境工程學院,北京100083]
五氧化二鈮(Nb2O5)是一種白色粉末,密度為4.55 g/cm3,熔點為1 512℃,主要用于陶瓷、電子陶瓷、光學玻璃、玻璃鍍膜、液晶顯示器、能源等行業。近年來,隨著玻璃鍍膜、液晶顯示器等行業的飛速發展,對五氧化二鈮靶材特別是高品質五氧化二鈮靶材的需求量越來越大。通常情況下,對于高品質靶材,一是要求具有較高的致密度(>99.5%)和較高的純度(>99.99%);二是要求具有良好的微觀相組織,即微觀上靶材晶體的顆粒大小在微米級且分布均勻。此外,五氧化二鈮靶材還需要具有較好的力學性能。而制備高品質五氧化二鈮靶材的關鍵之一,就在于五氧化二鈮粉體的粒徑、分散性和純度等物理參數。目前,五氧化二鈮粉體的制備多以氟鈮酸等為原料[1-4],經沉淀反應后,所得前驅體氫氧化鈮中夾帶大量F-、Cl-和SO42-等無機陰離子,需要大量的純水清洗,且不易洗凈。筆者以氫氧化鈮和草酸反應制備草酸鈮,再以氨水為沉淀劑,通過直接沉淀法制備五氧化二鈮粉體。由于前驅體中殘留的草酸在焙燒過程中可以被完全除去,因此可以有效克服無機陰離子殘留問題。
氫氧化鈮(純度大于99.99%);草酸(分析純);氨水(分析純);去離子水(實驗室自制)。
制備草酸鈮反應:

沉淀反應:

焙燒主要化學反應:

根據草酸鈮分子式,鈮與草酸物質的量比為2∶5。實驗按照物質的量比為2∶5分別稱取氫氧化鈮和草酸,加入適量去離子水,在90℃反應1 h,過濾除去不溶物,得到草酸鈮溶液。在設定溫度的水浴中,在劇烈攪拌下同時滴加草酸鈮溶液和氨水,生成氫氧化鈮沉淀。反應結束后,在反應溫度下劇烈攪拌陳化2 h。陳化完成后,抽濾、洗滌、烘干,得到氫氧化鈮粉末。將氫氧化鈮研磨粉碎,置于焙燒爐中在高溫下焙燒,得到五氧化二鈮超細粉末。
用D/max2500PC全自動粉末X射線衍射儀(XRD)分析產物晶型;用Autosorb-1全自動比表面和孔徑分析儀采用BET法分析產物比表面積;用JSM-7401F場發射掃描電鏡(SEM)觀察產物粉體的形貌、分散性以及測量粒徑;用Q-500型熱分析儀對產物進行熱分析(TG-DSC)。
2.1.1pH的影響
草酸鈮溶液濃度為0.45 mol/L,氨水質量分數為25%,反應溫度為30℃,焙燒溫度為800℃,焙燒時間為2 h,考察反應終點pH對五氧化二鈮粉體粒徑的影響,結果見圖1。由圖1看出,隨著pH從8.5升高到9.2,五氧化二鈮粉體粒徑從123 nm增加到201 nm。由于pH低于9.0時鈮離子沉淀不完全[7],因此制備五氧化二鈮時pH不宜過低。

圖1 反應終點pH對五氧化二鈮粉體粒徑的影響
2.1.2原料濃度的影響
氨水質量分數為25%,反應溫度為60℃,反應終點pH約為9.0,焙燒溫度為800℃,焙燒時間為2 h,考察草酸鈮溶液濃度對五氧化二鈮粉體粒徑的影響,結果見圖2。由圖2看出,隨著草酸鈮溶液濃度從0.2 mol/L增加到0.6 mol/L,五氧化二鈮粉體粒徑從220 nm下降到121 nm。這是由于,反應物濃度越高,形成氫氧化鈮過飽和度越高,根據結晶動力學[5],生成物飽和濃度越高成核速率越快,形成的晶種越多,粉體粒徑越小。2.1.3 反應溫度的影響

圖2 原料濃度對五氧化二鈮粉體粒徑的影響
草酸鈮溶液濃度為0.45 mol/L,氨水質量分數為25%,反應終點pH約為9.0,焙燒溫度為800℃,焙燒時間為2 h,考察反應溫度對五氧化二鈮粉體粒徑的影響,結果見圖3。由圖3看出,隨著反應溫度升高,五氧化二鈮粉體粒徑增大。在沉淀反應中,存在成核和晶核生長兩個過程。在沉淀反應初始階段,草酸鈮和氨水反應形成一定數量的晶種,這是晶種培養過程。隨后,繼續加入草酸鈮和氨水,新形成的晶核在原有晶種表面成長,使晶體長大。隨著溫度升高,新生成的晶核在溶液中的運動速度加快,增加了晶核在溶液中的碰撞幾率,更易于在原有晶種表面成長,也即溫度升高有利于晶核成長[6]。因此,反應溫度升高,五氧化二鈮晶體粒徑增大。

圖3 反應溫度對五氧化二鈮粉體粒徑的影響
2.1.4焙燒溫度的影響
草酸鈮溶液濃度為0.45 mol/L,氨水質量分數為25%,反應溫度為60℃,反應終點pH約為9.0,焙燒時間為2 h,考察焙燒溫度對五氧化二鈮粉體形貌、晶相、粒徑、比表面積的影響,結果見圖4、圖5、表1。

圖4 不同焙燒溫度制備五氧化二鈮粉體SEM照片
由圖4可知,焙燒溫度為600℃時,五氧化二鈮粉體的顆粒尺寸均一、分散性較好(團聚較少)。隨著焙燒溫度升高,五氧化二鈮粉體的分散性有一定程度的下降,但仍呈現出均一的顆粒尺寸。當五氧化二鈮粉末在高溫下焙燒時,會逐漸發生小晶體合并長成大晶體的過程,溫度越高這種成長過程越快。

圖5 不同焙燒溫度制備五氧化二鈮粉體XRD譜圖
由圖5看出,干燥的氫氧化鈮樣品呈現無定型態,其含有一部分正交晶型的水合五氧化二鈮;經600℃焙燒處理后,氫氧化鈮轉化為正交晶型五氧化二鈮(JCPDS#27-1003)晶體,但由于焙燒溫度較低,因此樣品中仍存在部分未完全轉化的雜質;經800℃焙燒的樣品,其XRD出峰位置與600℃樣品基本一致,但峰形更為尖銳,與正交晶型Nb2O5標準卡片(JCPDS#27-1003)完全吻合,說明 800℃焙燒樣品晶相更純,即基本不存在殘留前驅體雜質相;值得注意的是,當焙燒溫度升高至1 000℃時,五氧化二鈮晶體轉變為單斜晶型(JCPDS#37-1468)。同時由不同焙燒溫度所得樣品XRD譜圖也可以看出,隨著焙燒溫度升高,產物衍射峰更加尖銳,說明產物結晶性逐步增強;產物衍射峰持續變窄,說明顆粒尺寸逐步變大。這說明更高溫度的焙燒會促使產物顆粒團聚生長,從而得到顆粒尺寸較大的產物。

表1 不同焙燒溫度制備五氧化鈮樣品比表面積和粒徑
由表1可見,隨著焙燒溫度從600℃升高到1 000℃,五氧化二鈮粉體的SEM粒徑從63 nm快速增加到386 nm;比表面積則從14.18 m2/g快速下降到1.91 m2/g,這是由于粒徑增大造成的。
圖6為實驗制備五氧化二鈮前驅體(氫氧化鈮)TG-DSC曲線。從圖6看到,100~300℃TG曲線下降較快,一方面是由于氫氧化鈮中自由水和吸附水脫除,另一方面是由于氫氧化鈮在溫度到達150℃后開始分解形成五氧化二鈮,同時脫除相應的水分,因此質量損失較快。隨著溫度繼續升高,TG曲線下降速率減慢,同時DSC數值為負,此段表現為放熱,這是由于氫氧化鈮中殘留的草酸銨受熱分解放熱所致。DSC曲線中550℃左右出現一個尖銳放熱峰,而TG曲線上并沒有明顯的質量損失,說明此處發生了晶型轉變,結合XRD分析可知,此處對應前驅體由無定型轉變為正交晶型[7]。當溫度升高到950℃左右時,DSC曲線迅速由負轉正,也就是由放熱轉為吸熱,TG曲線并無明顯的質量損失,說明此時晶體再次發生晶型轉變,對應為正交晶型向單斜晶型轉變。

圖6 前軀體氫氧化鈮TG-DSC曲線
以草酸鈮和氨水為原料,利用直接沉淀法制備前驅體氫氧化鈮,再經過焙燒得到超細五氧化二鈮粉體。不同條件制備的五氧化二鈮粉體尺寸均一、分散性良好,平均粒徑在63~386 nm可調,可滿足行業不同的用途與需求。
此外,研究發現產物粒徑受反應終點pH、反應溫度、反應液濃度及焙燒溫度的影響:隨著反應終點pH以及反應溫度增加,五氧化二鈮粉體粒徑皆增大;增大草酸鈮溶液濃度,可提高產物的過飽和度,使成核速率增大,從而使五氧化二鈮粒徑減小;焙燒溫度對五氧化二鈮粒徑和晶形有較大影響,隨著焙燒溫度升高,產物晶相純度明顯增加(雜質相減少),且產物粒徑迅速增大,而比表面積則相應減小。焙燒溫度為600~800℃時,所得粉體為正交晶型;當焙燒溫度上升到1 000℃后,晶體轉化為單斜晶型。