米級單壁碳納米管薄膜的連續制備及全碳電路研制獲進展

中國科學院金屬研究所先進炭材料研究部孫東明團隊與劉暢團隊合作，提出了一種連續合成、沉積和轉移單壁碳納米管薄膜的技術，實現了米級尺寸高質量單壁碳納米管薄膜的連續制備，并基于此構建出高性能的全碳薄膜晶體管（TFT）和集成電路（IC）器件。研究人員采用浮動催化劑化學氣相沉積方法，在反應爐的高溫區域連續生長單壁碳納米管，然后通過氣相過濾和轉移系統在室溫下收集所制備的碳納米管，并通過“卷到卷”轉移方式轉移至柔性PET基底上，從而獲得了長度超過2 m的單壁碳納米管薄膜。