測(cè)量電極箔比容時(shí)雙片法和單片法誤差分析

鄒道兵

（新疆眾和股份有限公司 烏魯木齊 830013）

1 前言

鋁電極箔是生產(chǎn)鋁電解電容器的原料之一，有陽(yáng)極箔和陰極箔之分，陽(yáng)極箔又根據(jù)電容器不同的工作電壓等分為極低壓箔、低壓箔和中高壓箔，箔的比容從0.1～500μF/cm2，有的陰極箔容量甚至超過(guò)1 000μF/cm2。對(duì)陰極箔和極低壓箔采用雙片法測(cè)量比容，而低壓箔、中高壓箔采用單片法測(cè)量比容。

容量測(cè)試儀器中顯示測(cè)量結(jié)果應(yīng)為：

單片法中C1?C2，數(shù)據(jù)處理中，待測(cè)片結(jié)果近似為C1≈Cm；雙片法中，C1≈C2，待測(cè)片結(jié)果近似為C1≈C2≈2Cm。在此數(shù)據(jù)處理中引入的誤差即為方法引起的誤差，誤差大小的分析可決定選用的測(cè)量裝置類型。

2 誤差分析

測(cè)量電極箔比容時(shí)，固定待測(cè)箔的范圍，此時(shí)，箔片的真實(shí)平均比容存在，且唯一確定，在此，不妨假設(shè)為x（μF/cm2）。無(wú)論采用單片法或采用雙片法，取樣、進(jìn)入測(cè)試液的程度和儀器的產(chǎn)生的誤差的大小的概率是相等的（忽略雙片侵入的不平行性）。故可設(shè)雙片法時(shí)雙片的電容為（x＋e1）S、（x＋e2）S，單片法時(shí)等效電路中C1、C2的電容分別（x＋e3）S、y≥4×104μF/cm2（e1S、e2S、e3S為取樣和侵入等產(chǎn)生的誤差，S為標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的取樣面積，單位cm2）。

2.1 雙片法的分析

雙片法時(shí)，儀器顯示結(jié)果為（儀器產(chǎn)生誤差相同，故此時(shí)忽略儀器的影響）：

待測(cè)箔片的比容為2C雙/S。

2.2 單片法的分析

2.3 兩種方法的誤差比較

雙片法的相對(duì)誤差：

上式中，C1為待測(cè)樣片的實(shí)際比容，C2為對(duì)面電極（要求C2＞4×104μF），εr為取樣面積、浸入深度等產(chǎn)生的相對(duì)誤差。

3 結(jié)論