文/劉凌云
量子點(QDs)是一種三維團簇,它由有限數目的原子組成,三個維度尺寸均在納米量級。電子在量子點中的能量狀態呈現類似原子的分立能級結構,因此量子點又被稱作“人造原子”。狹義的量子點即指半導體納米晶,所以歸納而言,量子點可以解釋為粒徑小于或接近激子波爾半徑的半導體納米晶粒。目前研究較多的量子點為Ⅱ-Ⅳ族(如CdSe、ZnS、ZnSe)、Ⅲ-Ⅴ族(如GaAs、InP)及Ⅳ-Ⅵ族(如PbS、PbSe)3 個系列的量子點材料。ZnS 是性能優良的Ⅱ-Ⅵ族半導體材料,禁帶寬度為3.66eV,有效帶隙為339nm,是傳統陰極射線管發光材料的重要組成部分,在光致發光、電致發光、磷光體、傳感器、紅外窗口材料、光催化等許多領域有著廣泛的用途。對于摻雜型ZnS 量子點,摻雜離子在ZnS 禁帶中產生附加能級,為電子和空穴提供了新的復合中心,導致出現全新的熒光發射,是非常有潛在應用價值的熒光材料。基于此,本文制備了摻雜ZnS 基量子點材料,并對其光學性能進行了研究。
水熱法是在密閉反應器中,以水溶液作為反應體系,通過將反應體系加熱至臨界溫度,在體系中產生高壓環境,而進行無機合成與材料制備的方法。
水熱法ZnS 基量子點合成過程為:用3- 巰基丙酸(MPA) 作為表面活性劑,[FeSO4·7H2O]作為摻雜離子Fe2+來源。配置20ml [Zn(CH3COOH)2·2H2O]的水溶液和20ml CH3CSNH2的乙醇溶液;稱取一定量硫酸亞鐵[FeSO4·7H2O]溶于10ml 除氧去離子水中;將乙酸鋅溶液加入反應釜中,然后依次加入硫酸亞鐵溶液、MPA 溶液和硫代乙酰胺溶液。關閉反應釜,在高溫下反應16h。反應結束后將產物離心、洗滌、干燥,即得ZnS:Fe 量子點。

表1:不同反應溫度合成的ZnS:Fe 納米晶的粒度測試報告

圖1:不同反應溫度制備的ZnS:Fe 的發射光譜(325nm 激發)
利用粒度分析儀對不同反應溫度制備的ZnS:Fe 量子點的粒度分布測試結果如表1所示。從表1中可以看出,隨反應溫度的增加,納米晶的粒度分布也有一定程度的增大。當反應溫度分別為80 ℃、100 ℃、160 ℃時,合成的納米晶的粒度平均值分別為8.2nm、25.7nm、35.8nm。
圖1為不同反應溫度制備的ZnS:Fe 納米晶的熒光發射光譜,從圖1中可以看到ZnS:Fe納米晶在450nm 附近有一個熒光發射峰,且反應溫度越高,熒光發射越強,這是因為為,反應溫度高時,加速了納米晶的奧氏熟化過程,納米晶的結晶性更好,表面缺陷更少,從而熒光發射越強。反應溫度超過140 度以后,熒光發射趨于穩定,不再增加,說明其他機制占取主要位置,或許可以解釋為,溫度過高使納米晶表面的表面活性劑碳化,附著在表面影響了其發光性能。
本文采用水熱法制備了ZnS:Fe 量子點,通過粒度分布測試看出隨反應溫度的增加,納米晶的粒度分布也有一定程度的增大。當反應溫度分別為80℃、100℃、160℃時,合成的納米晶的粒度平均值分別為8.2nm、25.7nm、35.8nm。熒光發射光譜顯示ZnS:Fe 納米晶在450nm 附近出現熒光發射峰,可用于光致發光、電致發光、磷光體等領域。