周晶
(山東理工職業學院 化工新材料工程學院,山東 濟寧 272400)
作為間接帶隙半導體的三氧化鎢具有良好的光電化學性質,其帶隙寬度為2.5~3.5eV,與二氧化鈦催化劑相比具有可見光性質,已在光催化材料、氣敏材料、電致變色器件材料方面有所應用[1~3]。目前,國內外研究者通過金屬摻雜[4]、非金屬摻雜[5]、半導體復合和多元摻雜等[6、7]改性技術,進一步提高了三氧化鎢的光催化活性。
本文采用水熱法合成三氧化鎢/石墨烯光催化材料,采用X-射線衍射和掃描電子顯微鏡手段對樣品的晶粒尺寸、晶型和形貌進行了表征。以降解印染廢水(羅丹明B溶液)為目標降解物,考察不同反應溫度、反應時間以及石墨烯摻雜量等參數,結合光催化材料的光催化活性,探討了合成三氧化鎢/石墨烯光催化材料的最佳制備條件。
實驗所用的化學試劑與藥品主要有氧化石墨烯(AR,南京先豐)、鎢酸鈉(AR,巴斯夫)、氟硼酸(AR,國藥集團)和羅丹明B溶液等。所使用化學儀器主要有D/max-rA型X-射線衍射儀(XRD)、JSM-7500F掃描電子顯微鏡(SEM)、電子天平、光化學反應儀、超聲清洗器等。
(1)稱取不同質量的氧化石墨烯(0.001g、0.002g、0.005g)倒入燒杯,分別加入異丙醇(20mL),保鮮膜密封并開啟超聲儀(2h)。
(2)稱取1g鎢酸鈉(Na2WO4·2H2O)于燒杯中,然后加入氟硼酸(20mL),保鮮膜密封并磁力攪拌至產生淡黃色沉淀。
(3)超聲2h后,將步驟(1)溶液倒入步驟(2)溶液中,保鮮膜密封并磁力攪拌30min,然后超聲30min。
(4)將步驟(3)混合溶液倒入反應釜(聚四氟乙烯內膽),密封后放入烘箱中不同反應溫度(120℃、160℃)、反應時間(12h、48h)后取出反應釜。
(5)反應釜中沉淀物用二次水和無水乙醇洗滌多次至中性,在烘箱(60℃)中干燥得到樣品。
不同反應溫度(120℃、160℃)下,反應12h制備的納米光催化材料X-射線衍射情況見圖1。由圖1可知,不同反應溫度制備的納米光催化材料XRD衍射峰都比較尖銳,結晶度比較高,沒有任何其他晶型或雜質的特征峰出現。但120℃下反應12h的峰略高于160℃,說明反應溫度在120℃時納米顆粒結晶度較好,較高的結晶度有利于促進電子-空穴對向表面遷移,較高的遷移可以提高三氧化鎢/石墨烯的光催化活性。

圖1 不同反應溫度下反應12h的光催化劑X-射線衍射圖譜
圖2為不同反應溫度(120℃、160℃)下,反應12h制備的納米光催化材料的掃描電鏡圖。

圖2 不同反應溫度下反應12h的光催化劑掃描電鏡圖
由圖2可看出,隨著反應溫度的增加,三氧化鎢/石墨烯納米片顆粒的尺寸越來越大,與XRD的結果一致,反應溫度120℃下制備的樣品結晶度略高于160℃。

表1 不同反應溫度制備光催化材料對羅丹明B的降解率
不同反應溫度(120℃、160℃)下,反應12h制備的三氧化鎢/石墨烯對羅丹明B的降解率見表1。從表1可看出,所制備的三氧化鎢/石墨烯均有明顯的光催化活性。反應溫度越高,三氧化鎢/石墨烯對羅丹明B的降解率越低。在光照2h后,在反應溫度120℃下反應12h制備的納米光催化材料對羅丹明B的降解率達91%;在反應溫度160℃反應12h下光照2h降解率達89.1%。其原因可能是:反應溫度越低制備的三氧化鎢/石墨烯粒徑越大,越易于促進電子-空穴對向表面遷移,因此三氧化鎢/石墨烯光催化活性也有所提高。
在反應溫度120℃下,不同反應時間(12h、48h)制備的三氧化鎢/石墨烯X-射線衍射見圖3。由圖3可知,對比純三氧化鎢X-射線標準譜圖,所有樣品不同反應時間制備的納米光催化材料晶型都是正交晶系,X-射線衍射峰都比較尖銳,結晶度都較高,沒有任何其他晶型或雜質的特征峰出現。但反應48h的峰型發生了變化,說明隨著反應時間的增加三氧化鎢/石墨烯出現了其他的峰。

圖3 反應溫度120℃下不同反應時間的光催化劑X-射線衍射圖譜
圖4為在反應溫度120℃下,不同反應時間(12h、48h)制備的三氧化鎢/石墨烯的掃描電鏡圖。

圖4 反應溫度120℃下不同反應時間的光催化劑掃描電鏡圖
由圖4可以看出,隨著反應時間的增加,三氧化鎢/石墨烯納米片顆粒的碎片越來越多,與三氧化鎢/石墨烯X-射線衍射結果一致,反應時間12h下制備的樣品結晶度略高于48h。
在反應溫度120℃下,不同反應時間(12h、48h)制備的三氧化鎢/石墨烯對羅丹明B的降解率見表2。從表2可以看出,所制備的樣品均有明顯的光催化活性,隨著反應時間的延長,羅丹明B的降解率逐漸降低。在光照2h后,在反應溫度120℃下反應12h制備的納米光催化材料對羅丹明B的降解率達91%;在反應時間48h下光照2h降解率達80.6%。其原因可能是:反應時間越長制備的三氧化鎢/石墨烯結晶度越低,比表面積也越小,越不利于電子-空穴對向表面進行遷移,因此三氧化鎢/石墨烯光催化活性越低。

表2 不同反應時間制備光催化材料對羅丹明B的降解率
表3是在反應溫度120℃、反應時間12h,分別添加不同質量的氧化石墨烯(0.001g、0.002g、0.005g)制備的納米光催化材料對羅丹明B的降解率。從表3可以看出,在光照2h后,在反應溫度120℃、反應時間12h、加入0.001g氧化石墨烯的光催化材料,對羅丹明B的降解率達到79.8%;加入0.002g氧化石墨烯的光催化材料對羅丹明B的降解率達91%;加入0.005g氧化石墨烯的光催化材料對羅丹明B的降解率達87.6%。
結果表明,在反應溫度120℃、反應時間12h、加入0.002g氧化石墨烯所制備的三氧化鎢/石墨烯光催化活性最好。其原因可能是:當添加較少的氧化石墨烯時,可能無法促成氧化石墨烯與三氧化鎢的復合;當添加較多時,可能會導致部分氧化石墨烯沒有參與復合造成浪費,同時干擾催化劑電子-空穴對向表面的遷移,導致三氧化鎢/石墨烯光催化活性降低。

表3 不同添加量制備光催化材料對羅丹明B的降解率
采用水熱法制備了三氧化鎢/石墨烯納米復合光催化劑,通過改變不同反應溫度、反應時間和氧化石墨烯添加量等參數,研究了納米三氧化鎢/石墨烯的制備條件,通過XRD和SEM表征三氧化鎢/石墨烯進行了驗證,并模擬降解印染廢水(羅丹明B溶液)考察其三氧化鎢/石墨烯光催化反應活性,得到了三氧化鎢/石墨烯光催化劑的最佳反應條件為氧化石墨烯添加量0.002g、反應時間12h、反應溫度120℃,該條件制備的三氧化鎢/石墨烯納米復合光催化劑對印染廢水(羅丹明B溶液)的降解率達91%。