SiGe半導體在微電子技術發展中的重要作用

龍炬泉

摘要：半導體技術的發展與進步是實現集成電路的關鍵，推動著電子產品的微型化以及高性能化發展。本文將對SiGe半導體在微電子技術發展中的應用進行探討，研究其對于微電子行業的重要作用。

關鍵詞：SiGe半導體;微電子技術;場效應晶體管

中圖分類號：TN304 文獻標識碼：A 文章編號：1007-9416（2019）05-0225-01

0 引言

在半導體行業發展初期，以仙童半導體為主要代表的硅谷半導體企業都著重研究硅（Si）的半導體性能以及其在晶體管、集成電路中的有效應用。從Si技術中衍生而來的SiGe半導體得到了有效的開發利用，SiGe半導體是將硅片的性能進行了改變，采用的手段多為能帶工程以及應力工程等，在使用過程中滿足硅半導體通用的易加工特點，應用前景廣泛，在微電子技術領域尤其是集成電路中能夠發揮出重要價值。

1 SiGe半導體在雙極性晶體管中的應用

1.1 雙極性晶體管介紹

雙極性晶體管指的是在源漏電極溝道內既可以通過電子傳輸也可以進行空穴傳輸的晶體管，通常而言，這類晶體管的功耗大且工作頻率高、噪聲小，在高頻模擬電路中有著重要的應用價值。但是，雙極性晶體管由于半導體材料的限制，在應用到高頻模擬電路中時存在著一系列問題，很難保證信號傳輸的超高頻和超高速，這是因為雙極性晶體管本身就存在著很多固有的限制，同時，由于雙極性晶體管在提高基區摻雜濃度以及基區寬度方面有很大的技術限制，使得基極電阻做不到極低的程度，這也使得BJT達不到高頻模擬電路關于低噪聲的要求[1]。……