Plasma 3000型和Plasma 2000型電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀測(cè)定工業(yè)硅中雜質(zhì)元素含量

國(guó)家產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)GB/T2881-2014《工業(yè)硅》中規(guī)定，檢測(cè)工業(yè)硅中雜質(zhì)元素采用電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀測(cè)定。本實(shí)驗(yàn)參照標(biāo)準(zhǔn)GB/T14849.4-2014《工業(yè)硅化學(xué)分析方法第四部分：雜質(zhì)元素含量測(cè)定電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法》測(cè)定工業(yè)硅中鋁、鉻、鈣、硼、銅、鐵、鎂、鎳、錳、磷、鈉、鈦的元素含量。對(duì)工業(yè)硅樣品進(jìn)行對(duì)比測(cè)試，檢測(cè)結(jié)果與客戶化學(xué)法基本一致。

儀器特點(diǎn)

Plasma3000型和Plasma2000型電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀（鋼研納克檢測(cè)技術(shù)股份有限公司）是使用方便、操作簡(jiǎn)單、測(cè)試快速的全譜ICP-OES分析儀，具有良好的分析精度和穩(wěn)定性。

Plasma3000

高效固態(tài)射頻發(fā)生器，超高穩(wěn)定光源;

大面積背照式CCD芯片，寬動(dòng)態(tài)范圍;

中階梯光柵與棱鏡交叉色散結(jié)構(gòu)，體積小巧;

多元素同時(shí)分析，全譜瞬態(tài)直讀。

多種進(jìn)樣系統(tǒng)，可選擇性好;

垂直炬管，雙向觀測(cè)，檢出限更加理想;

Plasma2000

高效固態(tài)射頻發(fā)生器，超高穩(wěn)定光源;

大面積背照式CCD芯片，寬動(dòng)態(tài)范圍;

中階梯光柵與棱鏡交叉色散結(jié)構(gòu)，體積小巧;

多元素同時(shí)分析，全譜瞬態(tài)直讀;

多種進(jìn)樣系統(tǒng)，可選擇性好;

垂直炬管水平觀測(cè)，耐鹽性更佳。

使用Plasma3000和Plasma2000能夠很好的解決工業(yè)硅中雜質(zhì)元素分析問(wèn)題，完全滿足國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T2881-2014《工業(yè)硅》和GB/T14849.4-2014《工業(yè)硅化學(xué)分析方法第四部分：雜質(zhì)元素含量測(cè)定電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法》要求。