國家產品標準GB/T2881-2014《工業(yè)硅》中規(guī)定,檢測工業(yè)硅中雜質元素采用電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀測定。本實驗參照標準GB/T14849.4-2014《工業(yè)硅化學分析方法第四部分:雜質元素含量測定電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法》測定工業(yè)硅中鋁、鉻、鈣、硼、銅、鐵、鎂、鎳、錳、磷、鈉、鈦的元素含量。對工業(yè)硅樣品進行對比測試,檢測結果與客戶化學法基本一致。
儀器特點
Plasma3000型和Plasma2000型電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀(鋼研納克檢測技術股份有限公司)是使用方便、操作簡單、測試快速的全譜ICP-OES分析儀,具有良好的分析精度和穩(wěn)定性。
Plasma3000
高效固態(tài)射頻發(fā)生器,超高穩(wěn)定光源;
大面積背照式CCD芯片,寬動態(tài)范圍;
中階梯光柵與棱鏡交叉色散結構,體積小巧;
多元素同時分析,全譜瞬態(tài)直讀。
多種進樣系統,可選擇性好;
垂直炬管,雙向觀測,檢出限更加理想;
Plasma2000
高效固態(tài)射頻發(fā)生器,超高穩(wěn)定光源;
大面積背照式CCD芯片,寬動態(tài)范圍;
中階梯光柵與棱鏡交叉色散結構,體積小巧;
多元素同時分析,全譜瞬態(tài)直讀;
多種進樣系統,可選擇性好;
垂直炬管水平觀測,耐鹽性更佳。
使用Plasma3000和Plasma2000能夠很好的解決工業(yè)硅中雜質元素分析問題,完全滿足國家標準GB/T2881-2014《工業(yè)硅》和GB/T14849.4-2014《工業(yè)硅化學分析方法第四部分:雜質元素含量測定電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法》要求。