臺積電又推先進制程增強版本N7P和N5P

本報訊 晶圓代工龍頭臺積電先進制程近期又推新產品——7納米深紫外DUV（N7）和5納米極紫外EUV（N5）制程的性能增強版本。被稱為NTP和N5P的制程技術，專門為需要7納米設計運算更快或消耗電量更少的客戶所設計。

據悉，臺積電全新N7P制程技術采用與N7相同設計規則，但優化前端（FEOL）和中端（MOL）架構，可在相同耗能下，將性能提升7%，或者在相同的性能頻率下，降低10%的能耗。

臺積電最早是于今年在日本舉辦的VLSI研討會透露的有關全新N7P制程技術的相關信息，不過當時并沒有進行廣泛宣傳。N7P目前采用經驗證的深紫外（DUV）光刻技術，與N7制程技術相比，沒有改變電晶體密度。針對需要電晶體密度高出約18%-20%的客戶，臺積電預計建議使用N7+或N6制程技術。N6制程技術采用極紫外（EUV）光刻技術進行晶圓多層處理。

除了N7P的新制程技術，臺積電下一個顯著提升電晶體密度、改進功耗和性能的主要制程節點，就是5納米N5制程技術。臺積電為此特提供定名為N5P的性能增強版本，采用FEOL和MOL優化功能，以便在相同功率下使芯片運行速度提高7%，或在相同頻率下將功耗降低15%。