化合物半導體產業趨勢論壇：迎接產業化浪潮

諸玲珍

編者按：日前，第二屆全球IC企業家大會在上海舉辦。作為六個分論壇之一的化合物半導體產業趨勢論壇同期舉辦，分論壇由賽迪智庫集成電路研究所、中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟承辦，主題為《迎接化合物半導體的產業化浪潮》，與會專家就化合物半導體材料、芯片、設備等發展現狀及未來趨勢進行了研討。

浙江大學電氣工程學院院長盛況：新能源為寬禁帶半導體帶來機遇

功率半導體技術的發展與全球能源的消耗緊密相關。在過去的幾十年以及未來30年，我們面臨的趨勢是化石能源使用的逐漸減少，可再生能源應用的進一步增加。

可再生能源開發及節能減排都需要用到電力電子技術。不管是光伏、風電、新能源汽車，都需要對電能進行控制，而電能控制最核心的元件就是芯片，即供能芯片。供能芯片不需要精細線寬，它需要和應用緊密結合，在這方面，中國企業有優勢，因為市場需求在我們自己手里，而且離我們最近。

功率半導體芯片目前發展到第3代，即以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶半導體，它們具有導熱率高、擊穿電場高、介電常數低、禁帶寬度高、飽和漂移速度高等一系列優勢。以新能源汽車電機驅動器為例，采用寬禁帶半導體芯片可以提高效率、節省冷卻系統體積、提高功率密度，使電池效率提高10%，這是一個很大的比例.

碳化硅電力電子器件主要包括二極管及MOSFET。在碳化硅二極管器件產品方……