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TFT-LCD制程中吸盤Mura分析及改善研究

2019-12-15 02:30:35唐樂
市場周刊·市場版 2019年48期

摘 要:IJP液晶噴涂工藝和采用D-PSC的真空貼合系統是目前TFT-LCD生產中,ODF工藝的最新技術,兩者的結合對常見不良和異常有明顯的改善,但也出現了新的吸盤Mura不良。通過分析和實驗,確認了不良改善的方法,并據此反推和驗證了關于不良真因的推測。

關鍵詞:液晶噴涂;D-PSC;吸盤Mura

一、 引言

TFT-LCD行業的傳統液晶灌注工藝為液晶滴下工藝。其原理類似針管注射,單滴最小滴下量約為0.15mg。這種方式滴下的液晶,需要在貼合后由單滴擴散為整面,均一性較難控制。而新型的IJP液晶噴涂工藝類似噴墨打印,以電壓控制上千個針孔的壓電陶瓷開閉,單滴滴下量可小至0.00004mg,使液晶天然具有較好的均一性。

真空貼合系統上基板在真空環境中的吸附方式包括ESC(靜電吸附盤)、PSC(物理吸附盤)等。分布式物理吸附盤(D-PSC)則是最新技術,在保證吸附能力的情況下,因為吸附面積小,使基板的剝離變得容易。

以上兩者均被運用到最新型的高世代液晶面板產線中,對ODF產線常見的滴下痕、四角真空泡、塊狀Mura、貼合掉片等不良有明顯的改善,提升了產線的良率。

二、 不良現象

隨著新技術的運用,新的不良也出現在生產過程中。出現的新的不良現象是規則排列的白色的小圓形Mura,位置與真空貼合設備的D-PSC完全一致,被命名為吸盤Mura。

通過收集發生異常的基板的履歷及制程數據,與正常基板對比后發現,基板在真空貼合設備內停留的時間越長,異常的發生率越高:正常制程時間下,發生率約0.1%,超過2倍制程時間后,發生率高達6.4%。

三、 解析

根據經驗,與設備機構相關的Mura類異??赡芤驗橐韵略虍a生:①靜電;②盒厚差異;③液晶成分變化。為了確定異常產生原因,對異常基板和正常基板進行相應的檢查和測量。

通過調取設備靜電監控數據,發現異?;迮c正?;逯g,靜電數據無明顯差異。關閉除靜電棒,進行惡化實驗,異常現象并未加重或減弱,可以排除靜電影響。

對異常基板,使用盒厚測量設備測量同一基板上OK區域與Mura區域的盒厚,對比其差異。通過OK區域與Mura區域各10個點的測試后發現,Mura區域與OK區域盒厚無明顯差異,可以排除Mura是由盒厚差異造成。

將同一基板上Mura區域與OK區域的液晶進行取樣后,使用氣相色譜進行分析其成分。根據結果,Mura區域與OK區域和標樣相比,各組分出峰時間、峰面積均無明顯差異,無法證明Mura是由液晶成分變化產生。

四、 分析實驗

通過對異常基板的解析無法得知異常的原因,因此,對產生異?;宓纳a過程進行進一步分析。

分析基板在真空貼合設備內經過的過程及其可能發生滯留的原因,并收集異?;逡虿煌蛟谫N合機內滯留同樣時間后,造成的D-PSC吸盤Mura的比例,發現當基板滯留原因是粗對位異常時,D-PSC吸盤Mura的發生率(60%以上)遠遠高于因精對位異常和加壓對位異常滯留的基板(6%以下)。

不難推斷,粗對位異常時,基板所處的狀態造成了D-PSC吸盤Mura的發生。對各個狀態下兩個主要因素:真空度、上定盤高度的差異進行對比,發現相對于精對位和加壓對位階段,粗對位階段的上定盤高度較高(高10mm)。

為驗證異常是否由此差異產生,分別進行優化和惡化實驗,即將初始上定盤高度分別變更-10、-5、5、10mm進行實驗。結果顯示,高度變更-10mm以后,Mura未發生。將此優化參數通過小中大量驗證導入量產后,Mura發生率從1.6%下降到0.01%,成功解決此異常,每月減少超過10000片因此異常降等的基板。

五、 根因推測

根據異常的最終解決方法,推測異常發生的機理如下。上定盤高度決定了上下基板間的距離。上定盤高度相差10mm時,扣除結構產生的厚度,上下基板間的間距差異實際達到4~5倍。

初始上定盤高度較高時,由于上下基板間的氣體量大,其氣流量也較大。由于IJP工藝,液晶在基板表面的分布更加平坦,使液晶表面組分分布更容易受到氣流影響。同時在D-PSC吸附的作用下,基板有輕微的形變,造成D-PSC位置與其他位置的液晶受氣流影響程度不同。滯留時液晶分布持續受氣流影響,因此現象惡化。當初始上定盤高度較低時,由于上下基板間的氣體量小,其氣流量也較小,液晶表面組分分布受氣流的影響也較小,即使滯留也很難產生差異,不會產生Mura的現象。

為驗證這一設想,進行了以下實驗:將上定盤高度恢復,在抽真空時,通過關閉一臺干泵的方式,降低抽真空的速度,從而減少氣流量。經過一段時間的驗證,在此期間,異常發生率為0.2%,也有明顯降低,設想得到佐證。

六、 結語

針對應用液晶噴涂與D-PSC真空貼合技術的液晶面板產線上出現的吸盤Mura,文章作者通過分析及實驗,最終鎖定了解決問題的關鍵是降低真空貼合設備的初始上定盤高度,使基板表面的液晶不會因為抽真空時的氣流發生改變。并且通過降低抽真空速度的方式驗證了對異常發生機理的推測。

參考文獻:

[1]葉寧,戴明鑫,李廣圣.液晶滴下制程IJP、MPP工藝差異及工藝難點分析[J].現代鹽化工,2017,44(6):53-56.

[2]顏媛.高世代TFT-LCD真空貼合新型技術應用研究[J].科學技術創新,2018(30):168-169.

作者簡介:唐樂,南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司。

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