李海林,武 歡,王 瑞
(中國電子科技集團公司第二十六研究所,重慶 400060)
晶體具有優異的光敏特性、熱敏特性和摻雜特性,是電子工業和高技術領域中不可缺少的材料。人工晶體材料的制備是將組成晶體的基元(原子、分子或離子)解離后按照一定規則又重新組合的過程[1]。提拉法[2]是目前獲取人工晶體材料的主要方法之一,其原理是:熔體在接觸到籽晶時,通過降低熔體溫度來形成過冷度,從而使熔體沿籽晶結晶,并隨籽晶的逐漸上升而生長成棒狀晶體。
由于傳統的晶體生長設備在晶體生長過程中不會補充原料,所以,坩堝內的固-液界面會因熔體結晶而逐漸下降,直至熔體全部結晶完成。因此,最終晶體的大小取決于預先放置于坩堝中的原料多少,而坩堝中原料的多少取決于坩堝和生長設備的大小。如果想通過大的坩堝和設備來生長大尺寸晶體,則成本高。如何在生長過程中添加原料,使固-液界面保持不變,從而利用小坩堝生長大尺寸晶體以降低生長成本,已成為晶體生長工作者追求的重要目標。
自動加料單晶爐(見圖1)是在原提拉單晶爐(以中國電子科技集團公司第二十六研究所生產的JGD系列提拉單晶爐為參考設備)的基礎上進行改進和優化設計,主要由晶體自動生長控制系統和自動加料控制系統組成,自動加料控制系統受控于晶體自動生長控制系統。

圖1 自動加料單晶爐結構示意圖
晶體自動生長控制系統(見圖1)由提拉模塊、稱重模塊、旋轉模塊、加熱模塊及中央控制模塊等組成[3]。提拉模塊為晶體提供一個垂直向上的移動速度v1,使晶體不斷向上生長。稱重模塊實時測量,并向中央控制系統反饋晶體的質量M(晶體開始生長前稱重傳感器清0)。旋轉模塊為晶體提供一個旋轉速度ω1,保證晶體生長的連續性。加熱模塊為原料融化和晶體生長提供所需熱量。中央控制模塊對反饋回來的數據信息進行處理,并根據處理結果對加熱功率及加料速度等參數進行控制調整。
自動加料控制系統(見圖2)由稱重模塊、加料模塊和中央控制系統組成。稱重模塊實時測量料斗中剩余原料質量,同時將數據反饋給中央控制模塊。中央控制模塊根據數據計算出已向坩堝中添加的原料質量m;加料模塊通過電機旋轉將原料以速度v2從料斗底部出口推向落料口,原料通過引料管后落入坩堝。

圖2 自動加料系統結構示意圖
晶體自動生長控制系統和自動加料控制系統均采用稱重反饋方式[4],v1作為輸入參數,由晶體生長人員設置確定,v2(或ω2)作為自動調整參數,根據反饋回來的數據信息作出相應變化。生長過程中,兩個稱重傳感器獲得質量數據,中央控制系統根據數據計算出晶體質量M和添加粉料質量m,在對其進行比較判斷后,通過控制自動加料系統中電機的旋轉速度ω2,調整推料速度v2,使m=M,確保自動添加的原料質量和生長的晶體質量一致,從而實現坩堝內的固-液界面保持不變,保證晶體能一直持續生長,直到程序結束為止。
晶體自動生長控制系統的原理是將晶體的實際質量M與理論質量M′進行比較,并根據比較結果來控制加熱功率,調節晶體結晶速度的快慢,進而實現M=M′。
在放肩階段,晶體的理論質量為
M′=ρ1·V1
(1)
式中:ρ1為晶體密度;V1為放肩階段晶體體積。
若將其近似為圓錐體[5],則有:
(2)

若程序設置等徑半徑為R,則有:
(3)
由式(1)~(3)可得放肩階段晶體的理論質量為

(4)

(5)
在等徑階段,晶體的理論質量為
M′=ρ1·V2
(6)
式中V2為等徑階段晶體總體積,可視為一個圓錐體和圓柱體組成,即
(7)
式中T為系統設置的生長結束時間。
結合式(6) 、(7)可得等徑階段晶體的理論質量為
(8)
根據稱重傳感器1返回的數據得到晶體的M。當M>M′時,說明晶體結晶速度較快,需要適當加大加熱功率P,以減小溫場梯度,降低結晶速度;當M 圖3 晶體自動生長控制流程圖 在自動加料控制系統中,以補充的原料理論質量m′作為參考量,補充的原料實際質量m作為調整變量,通過系統控制最終實現m=m′。m的變化通過自動調整理論加料速度v2(或電機理論轉速ω2)來實現,所以,m是一個關于v2(或ω2)和時間t的函數。 在晶體放肩階段,補充原料的m′為 (9) 式中:t0為晶體放肩階段任一時刻;ρ2為原料密度;S為腔室有效截面積(除去螺旋推桿外的截面積(見圖2))。 根據質量守恒定律有: m′=M′ (10) 由式(4)、(9)及(10)可得: (11) (12) (13) 在晶體等徑階段,補充的原料理論總質量為 (14) 由式(8)、(10)及(14)可得: (15) (16) 結合式(12)、(16),則理論加料速度為 (17) 又有: v2=ω2k (18) 式中:ω2為電機的理論轉速;k為螺旋推桿導程。 由式(17)、(18)得電機的理論轉速為 (19) 根據(19)可知,在晶體放肩階段,自動加料系統中,ω2是t的二階函數。在晶體等徑階段,ω2只是一個常數,其曲線示意圖如圖4所示。 圖4 電機理論轉速ω2曲線示意圖 在實際生長過程中,補充原料為粉狀物,由于在不同部位其密實程度存在一定差異,所以,ρ2也并非固定不變,這導致補充原料的m與m′有一定偏差。在晶體生長控制系統下,M=M′,結合式(10)可得m′=M′=M。因此,要想實現m=M,保證坩堝內固-液界面不變,則必須滿足m=m′。而m=m′的實現,需要中央控制系統對加料系統的ω2進行比例、積分和微分(PID)閉環控制。其控制流程圖如圖5所示。 圖5 自動加料系統控制流程圖 在系統PID控制下,加料系統中電機的實際轉速會隨著理論轉速來回波動,尤其是兩個階段的前期較明顯,隨后波動幅度逐漸減小。在等徑階段后期,實際轉速較平穩,無明顯波動。電機在系統控制下的轉速示意圖如圖6所示。 圖6 電機轉速示意圖 本文根據補充粉料質量與生長晶體質量相等這一原則,以晶體質量為參考,通過自動加料系統對加料速度進行控制,確保坩堝內固-液界面保持不變,進而實現小坩堝生長大尺寸晶體的目標,提高了設備利用率,節約了能源,降低了生長成本。但在實際生產中,當晶體長度尺寸達到一定值后,晶體上端可能會因離溫場距離較遠,溫度下降過快而開裂。若要防止晶體開裂,唯有加大溫場高度,但如何對其進行分段控制,形成合理的溫場梯度,從而避免晶體在生長及降溫過程中開裂,還需要進一步研究。
3 自動加料控制系統







4 結束語