武漢新芯50nm SPI NOR Flash產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

近日，紫光集團(tuán)旗下武漢新芯集成電路制造有限公司宣布，采用50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC全線量產(chǎn)，產(chǎn)品容量覆蓋16Mb～256Mb。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計(jì)方案。據(jù)悉，該公司是一家非易失性存儲供應(yīng)商。

新產(chǎn)品在1.65V～3.6V電壓范圍內(nèi)讀取速度可達(dá)每秒133MHz，可以更好地支持電池供電便攜式產(chǎn)品的工作要求。在電源電壓下降后，時(shí)鐘速度沒有任何減慢，其傳輸速率可以勝過8位和16位并行閃存。在連續(xù)讀取模式下，新產(chǎn)品能實(shí)現(xiàn)高效的存儲器訪問，僅需8個(gè)時(shí)鐘的指令周期即可讀取24位地址，從而實(shí)現(xiàn)真正的芯片內(nèi)執(zhí)行操作，這樣系統(tǒng)可以直接從Flash閃存內(nèi)讀取指令并執(zhí)行，不必再把代碼讀到RAM中運(yùn)行，加快了數(shù)據(jù)處理速度，更好地滿足各類嵌入式應(yīng)用的實(shí)時(shí)性要求。

此外，該系列產(chǎn)品工作溫度也可以達(dá)到-40℃～105℃的工業(yè)級溫度范圍，這能滿足物聯(lián)網(wǎng)、工控、通信等對外部工作環(huán)境要求苛刻的應(yīng)用模塊。

“XM25QWxxC系列產(chǎn)品采用50nm Floating Gate工藝，在性能和成本方面進(jìn)一步提高了競爭力。”武漢新芯運(yùn)營中心副總裁孫鵬表示，“針對快速發(fā)展的IoT和5G市場，公司將持續(xù)投入研發(fā)自有品牌的閃存產(chǎn)品，不斷拓展產(chǎn)品線，為客戶帶來更多高性價(jià)比的產(chǎn)品與解決方案。”

武漢新芯的50nm產(chǎn)品在Channel length、Layout、Design rule以及外圍電路方面都做了優(yōu)化，有效減小芯片面積，綜合成本全球最低。其中，256Mb大容量寬電壓產(chǎn)品die size比市場主流產(chǎn)品縮小15%～20%左右，且可支持SOP8小尺寸封裝形式。