雜散電容對串級式電壓互感器介損測量的影響分析

李洋洋 張緯怡 吳凱 徐藝敏

摘 要 采用末端屏蔽法測量串級式電壓互感器一次繞組對二次繞組的介質損耗因數tanδ時，發現介質損耗因數tanδ測量值隨R4并聯電阻變化而發生改變。通過等值電路分析，導致誤差的根本原因主要是雜散電容所致，實際值可通過兩次測量計算得到。

關鍵詞 雜散電容;串級式電壓互感器;介質損耗因數

引言

測量串級式電壓互感器一次繞組對二次繞組的介質損耗因數tanδ，能夠靈敏地發現電壓互感器內部絕緣受潮、劣化等缺陷。在采用末端屏蔽法測量串級式電壓互感器一次繞組對二次繞組的介質損耗因數tanδ時，發現當并聯電阻R4發生變化，所測量得到的介質損耗因數tanδ也隨之發生變化。對此，本文進行了研究，發現介質損耗因數tanδ變化主要是由于雜散電容所致。

1末端屏蔽法測量介質損耗因數tanδ

末端屏蔽法測量電壓互感器介質損耗因數tanδ接線圖，如圖1所示。互感器一次繞組A端接高壓，末端X端接電橋屏蔽。由于一次繞組對二次繞組間的CX值較小，且R3量程有限，一般需要在R4上并聯一個電阻R進行測量[1]。

2雜散電容對介質損耗因數tanδ的影響

本文選取了一臺110kV電壓互感器，采用末端屏蔽法測量電壓互感器介質損耗因數tanδ。結果如表1所示。

由表1可以發現，R4并聯電阻后，介質損耗因數tanδ發生變化，原因如圖2所示，圖中CX為被試品的電容量，由于試品電容量很小，R3值相對較大，此時與R3并聯的雜散電容Cc，影響不可忽略。雜散電容Cc既包含CX引線芯線對屏蔽層的電容，還包含橋體內的寄生電容以及試品CX測量電極對地的電容，tanδc為式（1）所示。當R4并聯不同電阻時，等效電阻為kR4，在試品電容不變條件下，R3電阻也變為kR3，tanδc為式（2）所示。

聯合式（1）與式（2）可計算得到實際介損：

將表1中數據代入式（3）可計算考慮誤差影響后的介質損耗因數tanδx =0.9%[2]。

3結束語

本文通過等值電路圖分析了雜散電容對串級式電壓互感器一次繞組對二次繞組的介質損耗因數tanδ測量結果的影響。介質損耗因數tanδ隨著橋臂電阻R4并聯的電阻變化而變化，主要原因是雜散電容所致。介損實際值，可通過兩次測量計算得到。

參考文獻

[1] 陳天翔，王寅仲，海世杰. 電氣試驗[M].北京：中國電力出版社，2008：56.

[2] 李建明，朱康. 高壓電氣設備試驗方法[M].北京：中國電力出版社，2001：73.

作者簡介

李洋洋（1992-），男，學歷：碩士，職稱：助理工程師，研究方向：高電壓技術與絕緣試驗研究。

張緯怡（1993-），女學歷：本科，職稱：助理工程師，現就職單位：國網江蘇省電力有限公司鎮江供電分公司，研究方向：高電壓技術與絕緣試驗研究。