新潔能：明星機構提前布局MOSFET等產品未來替代空間大

林續

產業政策利好資本市場加持，半導體產業在二級市場穩中求進，自2020年年初至今，半導體產業指數已由3770.2點大漲至5699.54點，漲幅高達51.17%。新潔能作為這一賽道中的細分領域領軍企業，公司MOSFET、IGBT等產品體系豐富，未來國產替代空間廣闊。公司于2020年9月28日正式登陸上交所掛牌與投資者見面，借助資本市場的力量，乘著半導體產業快速發展的東風，新潔能將迎來利潤的持續釋放期。

市盈率較低 獲達晨創投、上海貝嶺等明星機構提前布局

目前A股已經集齊了從芯片設計、制造、封裝測試、設備、材料等領域的半導體上市公司，作為未來十年確定性最強的投資機遇，巨大的進口替代市場、國家的信息安全成為國內半導體產業發展的主要邏輯。此外，半導體產業市場景氣度較高，據WIND數據顯示，截至9月25日A股收盤，申萬二級半導體指數近20日主力凈流入額高達75.93億元，位居申萬二級行業第二。

新潔能是一家在江蘇無錫成長起來的半導體功率器件設計領軍企業，公司專業從事MOSFET、IGBT等半導體芯片和功率器件的研發、設計及銷售，且MOSFET、IGBT等產品逐步實現進口替代。公司發行價格為19.91元/股，市盈率為22.99倍，同行業可比上市公司中，揚杰科技目前動態市盈率為72.3倍，韋爾股份為117倍，富滿電子則高達160倍，可以看到，新潔能目前估值相較于可比公司遠遠處于低點，上市后有望迎來價值回歸。

值得關注的是，公司在上市前即獲得達晨創投、上海貝嶺、金浦新投、祥禾涌安、武岳峰等明星投資機構加碼布局。據公司股權結構資料顯示，公司第二位至第七位股東分別為達晨創投、上海貝嶺、國聯創投、金浦新投、金投控股、君熠投資。其中，上海貝嶺于2015年11月成為公司股東，達晨創投、金浦新投也均于2017年上半年成為公司股東，目前上述股東仍在公司股東名列，側面反映了明星機構對公司內在價值的認可，這也留給二級市場一定的想象空間。

技術驅動高成長 MOSFET、IGBT或將成為未來增長最強勁的產品

公司具備獨立的MOSFET和IGBT芯片設計能力和自主的工藝技術平臺，是國內率先掌握超結理論技術，并量產屏蔽柵功率MOSFET及超結功率MOSFET的企業之一。同時，為持續鞏固并提升公司在市場中的技術競爭優勢，近幾年公司持續加大研發投入，數據顯示，2017年—2019年，公司研發費用分別為2162.27萬元、3283.88萬元、3449.53萬元，年均復合增長率為26.31%。

經過多年的經驗積累，目前公司已形成了11項核心技術且均處于國內領先地位。與此同時，公司亦率先在國內研發基于12英寸晶圓片工藝平臺的MOSFET產品，且部分產品已經處于小批量風險試產環節。此外，公司提前布局半導體功率器件最先進的技術領域，開展對SiC/GaN寬禁帶半導體功率器件的研究探索及產業化。

目前公司主要產品包括MOSFET及IGBT，兩者已成為最主流的功率器件之一。與此同時，伴隨下游需求增長的供不應求，目前功率器件應用范圍已經逐步拓展至新能源、軌道交通、智能電網等新領域，可以說未來凡是用到電的地方，就會用到功率器件。據Gartner統計數據顯示，汽車行業越來越成為下游主要需求方，而功率半導體尤其是MOSFET及IGBT，是汽車電子的核心，根據Strategy Analytics的分析，在傳統內燃機車上，功率半導體價值為71美元，而在純電動車上，功率半導體價值為387美元。此外，5G通訊建設和設備升級、智能家居逐步普及、制造業升級及工業自動化也將促進大量功率半導體需求的釋放。由此可見，受益于下游行業蓬勃發展帶來的旺盛需求，公司MOSFET與IGBT模塊有望成為未來增長最強勁的產品。

募投產品擴產增效 上市開啟新局面

公司擬將此次募集資金全部用于超低能耗高可靠性半導體功率器件研發升級及產業化、半導體功率器件封裝測試生產線建設、碳化硅寬禁帶半導體功率器件研發及產業化、研發中心建設及補充流動資金。

上述項目落地投產后，公司將實現對封裝環節質量的自主把控，確保產品的可靠性和一致性，同時實現產品結構升級，從而打破國際半導體企業在高端應用領域的壟斷地位，打造中國制造高端品牌。未來公司將借助資本市場力量，持續整合半導體功率器件封裝測試環節垂直產業鏈，掌控先進半導體功率器件封裝產線并布局SiC/GaN寬禁帶半導體功率器件，力爭發展成為國際一流的半導體功率器件企業。