基于有限元仿真后處理的傳感器電容值計算方法申請號: 202010573493.3

【公開號】CN111737900A

【公開日】2020-10-02

【分類號】G06F30/23

【申請日】2020-06-22

【申請人】電子科技大學

【發明人】杜江鋒;劉成藝;楊榮森

【摘 要】本發明公開了一種基于有限元仿真后處理的傳感器電容值計算方法。首先根據傳感器的結構和約束條件，利用有限元仿真軟件進行傳感器的建模和力學仿真，將力學仿真結果中的形變結果導出；然后處理形變結果獲得每個絕緣層界面中各節點的絕對坐標與每個絕緣層邊緣閉環路徑中各節點的絕對坐標；再根據加密法、映射法分別計算傳感器可變電容部分和固定電容部分的電容值后相加，獲得最終傳感器電容值，加密法和映射法結合使用增加了設計的靈活性。本發明解決了一些有限元仿真軟件無法直接求解傳感器電容值的問題，通過構造絕對坐標的方式，利用微元法思想，能夠用于計算發生不規則形變的電容器，突破了均勻壓力條件下小撓度和大撓度理論計算的限制，計算誤差小。