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物理光學法在吸收體散射特性研究中的運用探究

2021-06-11 16:55:38蘇焌發
錦繡·上旬刊 2021年3期

蘇焌發

摘要:物理光學法的思想是計算高頻近似值。其基本思想是,通過簡化物體表面散射場的幾何形狀,把數學與物理相結合,把吸收體的散射形狀轉化為光學和積分公式。所以物理光學方法在研究吸收體的散射特性方面發揮了重要作用。其優點可以從表面簡化為計算結果。

關鍵詞:物理光學法;吸收體特性;散射場計算;吸收體散射

1.物理光學法

散射感應電流被用來代替物理和光學理論中的近似場和積分場。對于計算相對封閉的散射曲面來說,這些方程是正確的,但Stratton-Chu積分方程的積分項的字段是整個字段,它包含入射和散射兩個子項。物理法和化學法均為高頻近似法。在散射距離遠大于波長的情況下,用物理光學方法對切線表面進行粗略的整合。假設表面電流與電流值相等,積分面是理想的平滑面。該方法可以應用于任何物體或表面材料。本文歸納出物理光學法具有以下特點:

1)物理光學法的計算。該過程是由入射場求表面電流密度,密度求比特函數,再求散射場。一般情況下,能嚴格按積分要求進行具體計算的情況并不多見,多數情況下需要采用數學方法進行近似簡化。

2)在散光區域中,也就是說,電流密度不是零。對于散射陰影區域,入射場不為零,電流密度為零;所以在研究吸收體在物理光學系統中的散射時,一般不會考慮陰影區域。

3)由于不需要處理吸收體的虛線和陰影邊界,所以物理光學方法是解決吸收體散射問題的常用方法。把散射問題的曲面分割成多邊形單元,利用數學積分法,把曲面積分作為數學積分處理。

2.對吸收體的特征分析

對物理光學法研究的對象而言,吸收體的結構形狀不規則,此時可通過簡化其表面結構來研究其散射場。研究發現,由于吸收體表面具有二維周期特征,將涂層介質三角板與涂層介質二面反射單元簡化為周期組合,可將其細化為近似正四棱錐的導體。單層涂層三角板和雙面角型結構,消耗介質為涂層介質。其主要參數是, d為介質的厚度, a為兩面角的夾角, l為兩個三角面的共同變長, a為棱錐上相鄰點的距離, l= a為正四棱錐。

只計算導體被介質覆蓋的兩側,利用矩陣法對角形、三角形單元的雜散場進行分析,得到各方向的雜散場。這時,兩個矩陣和三角矩陣的中心位置是1。

3.對吸收體散射場的計算

吸收體入射電磁波時,材料表面就會在吸收體面上形成散射。普通吸收體上方為涂層介質,下方為導體或基材。

在一般情況下,在計算此類吸收體的散射場和研究其特性時,必須考慮多次反射的影響,計算方法與涂層導體板完全相同。因此在計算漸變吸收體散射時,必須進行分解計算,分離出構成漸變吸收體面與吸收體面的單元,再利用疊加原理。

基于有損耗介電參數對涂層導體 RCS的影響,在最佳介質厚度條件下,多層吸收器的 RCS計算結果確定了涂層導體 RCS,并展示了天線陣列技術。用該方法計算了由兩面角、入射波、相對介電常數和相對磁導率組成的梯度吸收 RCS。測定總傾斜吸收面的 RCS,其中包括總吸收面 RCS,并提出了基于 HFSS的大尺寸吸收體 RCS的計算方法,但是由于采用了本文的分析和計算方法,使得整個吸收體 RCS的快速計算成為可能。研究發現,隨著吸收率的變化,吸收率逐漸呈周期性變化;最小值為0.5°、10°、15°、20°、25°和30°等。在設計漸變散射體時應注意改變其大小,使吸收體的 RCS減小。

4.物理光學法對吸收體散射分析的具體做法

一是采用散射射電大尺寸介質包覆的導體二面角單元,其面積為2 a"-180平方米,適用于局部覆蓋介質的導體雙面角導體結構。a=80 mm, l=40 mm, d=1.155 mm,介電常數為 e=2-2 j,相對磁導率為 u=4~4 j,平面波頻率為12 GHz。采用 HFSS軟件進行了數值計算,并對雙站圖進行了 RCS分析。然后用 HFSS軟件對其進行模擬,得到模擬結果與零變化關系曲線,而虛線是計算結果與零變化關系曲線。計算結果表明,該方法與計算機仿真軟件計算結果基本一致。因此,對于局部涂覆吸波材料的電磁大尺寸導體散射目標,可以采用物理光學方法結合等效電磁流量表達式計算散射場。

其次,涂布導體表面的角元形成一維陣列散射體時,涂布介質的入射波在涂布表面的大小、頻率和方向與前面11個角元相同。當前,一維陣列散射體電性能較強,難以直接用數值方法和 HFSS軟件進行計算。利用各元素的結構周期特性,采用物理光學方法計算散射場,利用一維陣列分析技術進行計算。若0=0,則一維數組的 RCS與0 e有很大關系。原因在于每一個陣列元素在不同的0 E角度有不同的相位。

研究吸收體的散射特性,吸收體的偏振方向是1 ez,并且偏振方向是 Ei。選定的減震器是由 n× n個齒輪組成的。將陣元的位置坐標組成獨立的散射單元。兩面角陣列單元的位置坐標,基于電磁波的偏振方向,可以得到兩種不同的入射波: TE波和 TM波。它同樣發生在三角形陣列元素的位置坐標,也就是入射坐標。這是 TE波或者 TM波。

對不同的入射波采用同樣的計算方法。采用物理光學方法計算各單元的散射場,利用陣列分析技術計算了整體點體單向的雜散場。在入射波頻率不變的情況下,吸收體的散射特性隨介質表面厚度的不同而不同。有一個最小值存在于某一點,這個值隨 d而增大。在峰值時刻,散射特性隨 d的增大而減小。檢測吸收體的散射特性需要考慮三個主要因素:吸收體結構、入射波的頻率和涂層介質的厚度。綜合上述三方面因素,才能更好地運用物理光學方法進行合理、準確的研究,從而得出正確的結論。

總結

對吸波體包覆局部導體,利用低頻數值方法直接計算散射場。運算量大,運算速度慢,無法實現。所以你應該用高頻方法來近似。散射因表面或涂層的改變而對反射過程產生顯著影響。對散射特性進行研究并獲取某些參數是一個困難的工作。對這一問題,一般采用物理光學的方法來研究,即精細分解。

參考文獻

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(四川輕化工大學?644000)

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