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振蕩波電壓作用下的電纜介質損耗測量方法

2021-08-12 06:57:42徐小龍李波盧雨欣張航偉曾祥峰
電力工程技術 2021年4期
關鍵詞:測量

徐小龍, 李波, 盧雨欣, 張航偉, 曾祥峰

(1. 西安交通大學電氣工程學院,陜西 西安 710049;2. 國網(wǎng)江蘇省電力有限公司營銷服務中心,江蘇 南京 210036;3. 國網(wǎng)湖南省電力有限公司長沙供電分公司,湖南 長沙 410015)

0 引言

隨著電網(wǎng)的發(fā)展,電力電纜憑借其良好的電氣性能在電力系統(tǒng)中得到了大規(guī)模的應用。隨著運行年限的增加,電纜本身會出現(xiàn)不同程度的絕緣老化現(xiàn)象,對電網(wǎng)造成威脅。因此,保障電力電纜的安全、穩(wěn)定運行具有重要意義。介質損耗可以表征電纜整體的絕緣水平,通過對電纜進行介質損耗檢測,對其變化趨勢進行分析,能夠有效評估電力電纜絕緣的性能、壽命等[1—4]。

早期的介質損耗測量實驗一般采用西林電橋,但其輸出功率不能滿足大容值試品的測試要求,具有使用局限性[5—7]。在現(xiàn)場測試中,一般通過測量設備上的電壓與流過自身電流相位差實現(xiàn)介質損耗角的測量,但是該類方法的后處理算法均存在較大誤差[8—9]。例如,頻譜分析法由于頻譜泄露和柵欄效應,導致求解得到的電壓與電流相位有較大誤差[10—12];相關系數(shù)法由于環(huán)境噪聲干擾,得到的相位差的準確度具有隨機性;正弦波參數(shù)法無法準確得到基波頻率,導致所擬合函數(shù)與實際波形有較大偏差,從而產生較大誤差[13—15]。

目前介質損耗能采用單一頻率或掃頻方式進行測量,通過檢測、記錄固定頻率下容性試品的介質損耗,可得到容性試品的絕緣狀態(tài)變化趨勢,從而及時發(fā)現(xiàn)絕緣狀態(tài)異常情況并采取相應的補救措施。單一頻率一般采用50 Hz,掃頻方式的頻率一般為0.1~1 000 Hz[16]。

振蕩波測試系統(tǒng)(oscillating wave test system,OWTS)由于其便攜性、經濟性、等效性好,目前在電氣設備狀態(tài)檢測領域得到了較好的應用,但是振蕩波系統(tǒng)開展的工作主要針對局部放電領域,暫未集成介質損耗測量功能[17—19]。

為了解決上述方法、系統(tǒng)的局限性,文中提出了基于OWTS的介質損耗測量方法,即結合振蕩波測試過程中采集到的電壓波形或電壓、電流波形的數(shù)據(jù)計算得到介質損耗,并對這2種計算方式和應用場景進行分析對比。

1 OWTS原理

OWTS主要分為2種,分別為直流OWTS和交流OWTS,文中以直流振蕩波為例,介紹振蕩波結構以及產生過程。

傳統(tǒng)直流OWTS的步驟和結構如圖1、圖2所示,主要由市電輸入、整流濾波電路、變頻系統(tǒng)、升壓變壓器、倍壓電路、振蕩波轉換開關、控制和采集單元、電感以及容性試品構成。直流OWTS主要步驟為:(1) 系統(tǒng)通過市電供電,將市電整流、濾波后變成直流電;(2) 直流電經變頻系統(tǒng)逆變成倍壓電路所需的電源頻率;(3) 逆變后的電源經升壓變壓器、倍壓電路升至理想電壓后,通過控制單元關閉充電開關S2、打開振蕩波轉換開關S1,形成振蕩衰減的電壓波形,具體波形如圖3所示。

圖1 OWTS步驟Fig.1 Steps of OWTS

圖2 OWTS結構Fig.2 Structure diagram of OWTS

圖3 OWTS工作波形Fig.3 Working waveform of OWTS

2 振蕩波技術在介質損耗測量中的應用

2.1 介質損耗測量原理

介質損耗是高壓容性設備狀態(tài)評估的一項重要指標。由于電纜導體與屏蔽層形成兩極,導致電纜整體呈容性,因此測量介質損耗可以對電纜絕緣狀態(tài)進行評估。理想的電力電纜的電壓相角超前流過自身的電流相角90°,但實際情況難免有泄漏損耗、極化損耗導致相位差小于90°。

介質損耗一般采用電容與電阻并聯(lián)或串聯(lián)的等效電路來表示,文中以并聯(lián)形式舉例說明,如圖4(a)所示。其中,Ceq,Req分別為容性設備的等效電容與等效電阻。為了更好地理解介質損耗角的物理意義,將流過等效電容、電阻的電流用矢量圖形式表示,如圖4(b)所示。其中,φ為電壓U與電流I的相位差;δ為介質損耗角。

圖4 介質損耗并聯(lián)模型與相量圖Fig.4 Dielectric loss parallel model and phasor diagram

結合圖4,可得并聯(lián)等效電路下的介質損耗角正切值數(shù)學表達式如下:

(1)

2.2 基于振蕩波電壓波形的介質損耗角測量

振蕩波產生時的電路如圖5、圖6所示。其中,L為電感;R1為系統(tǒng)等效電阻;C為電容試品的等效電容;R2為電容試品的等效電阻。振蕩波轉換開關閉合后,原本充到預設電壓的電容試品與電感組成振蕩回路,由于系統(tǒng)電阻、泄露電阻的存在形成逐漸衰減的振蕩波。由直流振蕩波的工作方式可得,待電容兩端電壓升至預設電壓后,將會斷開電源側,同時電路結構為RLC電路,因此振蕩波過程屬于二階零輸入響應。

圖5 振蕩波過程電流走向Fig.5 Oscillating wave current trend graph

圖6 振蕩波過程電壓分布Fig.6 Oscillating wave voltage profile

由基爾霍夫電壓、電流定律可得:

i=iC+iR2

(2)

uL+uR1+uC=0

(3)

其中:

(4)

(5)

uR1=iR1

(6)

(7)

聯(lián)立方程可得:

(8)

解得:

uC(t)=U0e-λt(cosωt+αsinωt)

(9)

式中:U0為容性試品振蕩波的起始電壓。

(10)

(11)

(12)

結合式(1)和式(11),可得:

(13)

結合上述公式推導,得到了基于振蕩波電壓波形的介質損耗角正切值計算公式,在實際 tanδ測量過程中,通過分壓器測得電容試品的振蕩波電壓波形,然后通過波形分析,得到波形角頻率ω以及波形的衰減系數(shù)λ,同時電感L,系統(tǒng)等效電阻R1為已知參數(shù),代入式(13)即可得到 tanδ。

2.3 基于振蕩波電壓和電流波形的介質損耗角測量

由2.2節(jié)的結果可得,電容兩側電壓為:

(14)

其中:

tanφ=-α

(15)

回路總電流可表示為:

(16)

其中:

(17)

(18)

結合式(1)與式(18)可得:

(19)

結合上述公式推導,得到了基于振蕩波電壓、電流波形的介質損耗角正切值計算公式,在實際tanδ測量過程中,通過分壓器測得電容試品的振蕩波電壓波形,通過電流互感器或引入測量電阻測得回路總電流波形,對采集到的電壓、電流波形進行波形分析,得到電壓與電流的相位差θ,波形角頻率ω以及波形的衰減系數(shù)λ,代入式(19),即可得到 tanδ值。

2.4 振蕩波電壓下的介質損耗判斷標準

振蕩波頻率一般為20~500 Hz,由文獻[20]可得不同頻率下實際的介質損耗不同,因此不可按照工頻下的介質損耗檢測標準判斷試品的絕緣狀態(tài)。介質損耗實際表征試品的絕緣狀態(tài),頻率只是影響介質損耗的絕緣狀態(tài)判斷標準,因此振蕩波下的介質損耗測量可以針對同一試品建立介質損耗檔案,通過介質損耗變化趨勢評判試品的絕緣狀態(tài),或者參考超低頻正弦波電壓測量標準,對頻率進行分段,并設置相應頻段的介質損耗判斷標準[21]。

3 介質損耗測量仿真分析

基于Matlab中Simulink模塊搭建仿真平臺,對上述2種測量方法進行驗證。以直流振蕩波為例進行說明,Simulink電路如圖7所示。

圖7 仿真模型Fig.7 Simulation model

圖7中,U為高壓直流源;S1為充電開關;R3為充電電阻;S2為振蕩波開關;L為電抗器;R2為系統(tǒng)等效電阻;C為試品等效電容;R1為試品等效電阻。參數(shù)設置如下:高壓直流電源U充電電流為20 mA;R3為10 kΩ;L為4 H;R2為25 Ω;C為200 nF;R1為20 MΩ。仿真控制方式為:首先,斷開S2開關、閉合S1開關,高壓直流電源U以20 mA電流恒流充電,待試品電容兩側電壓升到預設電壓U0時,斷開S1開關、閉合S2開關,試品電容、電抗器組成振蕩回路,產生振蕩衰減的電壓波形,同時,采集振蕩波期間試品電容兩側的電壓以及回路總電流。

3.1 試品介質損耗角正切真實值

對于系統(tǒng)振蕩頻率,由于電容兩側并聯(lián)阻抗較大,對振蕩頻率影響較小,故忽略不計。振蕩時,電路圖可簡化為圖8。

圖8 簡化電路Fig.8 Simplified circuit

列寫微分方程求解振蕩頻率:

uL+uR1+uC=0

(20)

(21)

聯(lián)立方程可得:

(22)

由于振蕩波過程屬于欠阻尼狀態(tài),可得:

(23)

則uC可表示為:

uC=eαx(C1cosωt+C2sinωt)

(24)

其中:

(25)

(26)

結合參數(shù)設置,可得振蕩頻率與試品介質損耗角正切真實值為:

(27)

(28)

3.2 基于振蕩波電壓波形仿真處理

從Simulink模塊中提取振蕩波過程中電壓波形,如圖9和圖10所示。

圖9 振蕩波電壓波形Fig.9 Waveform of oscillation wave voltage

圖10 振蕩波局部電壓波形Fig.10 Waveform of oscillation wave local voltage

選取P1與P2點計算衰減系數(shù)以及角頻率,可得:

(29)

誤差為:

(30)

式中:ω為1 118.03 rad/s;λ為3.250。

3.3 基于振蕩波電壓、電流波形仿真結果分析

從Simulink模塊中提取振蕩波過程中試品電壓以及回路總電流波形,如圖11所示,衰減系數(shù)以及角頻率可以從電壓或電流波形直接得到,電壓、電流相位差可通過極值點相位比較法或過零點比較法得到,圖11為極值點相位比較法。

圖11 振蕩波電壓和電流波形Fig.11 Waveforms of oscillation wave voltage and current

(31)

誤差為:

(32)

式中:θ為90.153 2°。

改變試品電容兩端并聯(lián)電阻的阻值,重復多組試驗,試品電容均為200 nF, 結果見表1。

表1 不同并聯(lián)電阻處理結果Table 1 Data error comparison between two methods

其中方法1為基于振蕩波電壓波形方法;方法2為基于振蕩波電壓、電流波形方法。誤差均在允許范圍內,同時對比不同并聯(lián)電阻下的介質損耗正切值,介質損耗正切值隨并聯(lián)電阻的減小而增大,與實際情況相符,驗證了2種方法可以對不同絕緣狀態(tài)下的試品進行評估。

3.4 測試方法對比與現(xiàn)場誤差分析

3.4.1 參數(shù)變化

基于振蕩波電壓波形的介質損耗角測量方法在求解過程中,默認電感L,系統(tǒng)等效電阻R1是一組已知量。振蕩波設備出廠時,銘牌上有較為準確的L,R1,實際計算中可代入公式求解。

查閱文獻資料可得,在不同電流、頻率下,電感L,電阻R1會有變化,會偏離銘牌上所標的值[22—23]。同時,電阻R1也會隨現(xiàn)場溫度改變,因此基于振蕩波電壓波形的介質損耗角測量方法在現(xiàn)場有較大的局限性。

基于振蕩波電壓、電流波形的介質損耗角測量方法在求解過程中,所需要的參數(shù)均為波形后處理得到,因此不會受到現(xiàn)場條件影響,具有較高的準確性以及實用性。

3.4.2 測量誤差

試驗過程中,噪聲是影響tanδ測量準確度的一項重要因素,一般通過數(shù)字濾波方法對采集到的原始波形進行初步處理。噪聲一般為高頻信號干擾或工頻信號耦合到信號采集卡中。因此,在數(shù)據(jù)處理過程中,可以通過設置帶通濾波的方式將噪聲濾除。

振蕩波系統(tǒng)的分壓器根據(jù)不同情況選取不同的分壓比,一般選用10 000∶1或100 000∶1的變比,因此分壓后的值很小,微小的零點漂移對衰減系數(shù)λ影響較大,需要對其進行分析。

以y=Ae-λtcosωt+B函數(shù)為例,其中,A為峰值高度;B為零點漂移量;λ為衰減系數(shù);ω為信號角頻率。選取該函數(shù)一段波形進行分析,如圖12所示。

圖12 零點漂移分析Fig.12 Zero drift analysis

選取臨近的正、負峰值u1,u2,u3,u4,相應的時間為t1,t2,t3,t4,時間間隔為Δt,設u′1,u′2,u′3,u′4為消除零點漂移后的值,可得:

(33)

由于y=Ae-λtcosωt+B為正弦項與指數(shù)項相乘所得,正負峰值時的相位并不為0或π/2,但是兩相鄰的正峰值或負峰值的時間差均為整周期時間T,即峰值偏移相同的相位φ,故峰值處的幅值的基本項Acosφ、Acos(φ+π/2)用±C來表示,文中不再進行證明。

(34)

式中:u1,u2,u3,u4,Δt均為已知量,可以將e-λΔt替換為x,則式(34)可轉換為式(35),便可精確求出 λ,如式(36)所示。通過此算法可以彌補零點漂移帶來的誤差。

(35)

(36)

4 介質損耗測量實驗驗證

為了驗證基于振蕩波電壓的介質損耗測量方法的有效性,在實驗室搭建了實驗平臺,其原理如圖13所示。

圖13 實驗平臺原理Fig.13 Experimental platform schematic

其中,電壓與電流采集部分集成在介質損耗測量裝置里,電壓采用電阻分壓器提取,電流通過測量串入0.1 Ω 無感電阻上的電壓間接測量回路電流;容性試品為4組 0.5 μF 的電容,選取單組和2組、3組、4組并聯(lián)組成容值分別為0.5 μF,1 μF,1.5 μF,2 μF的試品作為研究對象;并聯(lián)電阻選取無窮大電阻(即不并聯(lián)電阻),500 MΩ,50 MΩ模擬不同絕緣狀態(tài)。依據(jù)上述參數(shù)進行實驗,設置峰值電壓為18 kV,使用基于振蕩波電壓、電流波形的介質損耗測量方法進行計算,結果如表2所示。

表2 介質損耗測量實驗結果Table 2 Dielectric loss experimental results

由表2可得,相同電容容值下,并聯(lián)電阻越大,計算得到的介質損耗角正切值越小,與實際情況相符合,可驗證文中介質損耗測量方法的有效性。

5 結語

目前振蕩波測試系統(tǒng)開展的工作主要針對局部放電領域,暫未集成介質損耗功能,針對目前系統(tǒng)的不足,提出了基于OWTS的介質損耗測量方法,采集振蕩波期間的電壓或電壓、電流波形數(shù)據(jù),對數(shù)據(jù)進行后處理得到介質損耗角正切值,實驗仿真驗證了文中方法的準確性。同時,結合現(xiàn)場測試條件,對2種振蕩波下介損測量方法進行對比,得到基于振蕩波電壓、電流波形的介質損耗角測量方法更適合現(xiàn)場測試,并提出了解決零漂的計算方法,可以提高現(xiàn)場測試結果的精確度。最后,通過實驗驗證了該方法的有效性。

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