基于虛擬存儲層的緩存控制軟件設(shè)計(jì)

賈德明，朱明勝，古 妍

(山東鯨鯊信息技術(shù)有限公司，山東 泰安 271000)

0 引言

隨著5G、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等信息技術(shù)的發(fā)展，數(shù)據(jù)呈爆炸式增長，對存儲系統(tǒng)的海量數(shù)據(jù)存儲能力提出了高性能、多樣化的訪問要求[1]。針對數(shù)據(jù)訪問局部熱點(diǎn)的特性，通常將高頻訪問的數(shù)據(jù)緩存在高速存儲介質(zhì)上，以加快數(shù)據(jù)讀寫速度[2]。緩存控制策略是緩存系統(tǒng)的核心，決定了緩存空間利用的有效性[3]。傳統(tǒng)的緩存策略都是基于訪問時間或訪問頻率進(jìn)行設(shè)計(jì)[4-5]。提高緩存命中率可以提高應(yīng)用程序的運(yùn)行速度，這是提高緩存性能的關(guān)鍵[4]。基于訪問時間僅考慮了時間局部性，忽略歷史上的高頻訪問數(shù)據(jù)；基于訪問頻率僅考慮高頻訪問數(shù)據(jù)，忽略最近訪問的數(shù)據(jù)可能成為訪問熱點(diǎn)[6]。兩種策略均不能有效滿足現(xiàn)有熱點(diǎn)數(shù)據(jù)緩存需求。

緩存數(shù)據(jù)生命周期控制的核心是根據(jù)對數(shù)據(jù)價值的精準(zhǔn)判斷，然后根據(jù)數(shù)據(jù)價值將數(shù)據(jù)分配到對應(yīng)的、性能合適的存儲設(shè)備上[7]。據(jù)研究結(jié)果表明，存儲系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)70%～80%是靜止不動的，數(shù)據(jù)寫入后很少被訪問。經(jīng)常訪問的熱點(diǎn)數(shù)據(jù)占20%～30%[8]。其中間歇性熱點(diǎn)數(shù)據(jù)的假性降溫表現(xiàn)，可能會從高速緩存介質(zhì)中移除，一旦被移除，數(shù)據(jù)塊可能因?yàn)榫彺嬷袝簳r性高頻訪問數(shù)據(jù)而很難再次遷入緩存層，而導(dǎo)致后面訪問持續(xù)性延遲過高，影響上層應(yīng)用運(yùn)行效率。

在較為復(fù)雜的數(shù)據(jù)訪問場景中，傳統(tǒng)基于訪問時間和基于訪問頻次的策略對于熱點(diǎn)數(shù)據(jù)的預(yù)測略顯不足，如圖1所示。

圖1 訪問頻次訪問時間示意圖

假設(shè)存在緩存塊D1、D2、D3，基于最近訪問時間排序，優(yōu)先級為D2，D3，D1；基于訪問頻率排序，優(yōu)先級為D1，D2，D3；在基于最近訪問時間的策略中，D1 將被淘汰，但D1會頻繁訪問數(shù)據(jù)，只是最近一段時間沒有被訪問，因此D3 替換將來可能被訪問的D1；在基于訪問頻率的策略中，未考慮訪問頻率的動態(tài)性，導(dǎo)致D1 和D2 的訪問頻率相同，事實(shí)上最近訪問的高頻數(shù)據(jù)D2 再次被訪問的可能性更大，不符合實(shí)際訪問規(guī)律[9]。CVSL策略綜合考慮最近訪問時間和訪問頻率，優(yōu)先級排序?yàn)镈2 >D1 >D3，能夠反映數(shù)據(jù)訪問頻率隨時間變化的變化，更能適應(yīng)熱點(diǎn)數(shù)據(jù)的訪問特點(diǎn)。因此CVSL策略克服了基于最近訪問時間和基于訪問頻率緩存策略的不足。

自動分層的數(shù)據(jù)遷移是定時執(zhí)行的，短時間內(nèi)無法快速響應(yīng)熱數(shù)據(jù)的變化[10-13]。例如，當(dāng)出現(xiàn)新的熱數(shù)據(jù)時，緩存在第一次訪問時就會將其調(diào)入SSD，接下來的讀請求都能直接從SSD訪問；而分層架構(gòu)，必須等待一段時間(數(shù)據(jù)遷移涉及不同層之間空間交換，必須后臺執(zhí)行)，才會將新的熱數(shù)據(jù)遷移到SSD，那么在這段時間內(nèi)，是無法享受到SSD的高性能的，甚至在極端的情況下，可能該數(shù)據(jù)被遷移到SSD后，熱度已過。另一方面，分層的優(yōu)點(diǎn)是其有足夠的時間更準(zhǔn)確地識別冷熱數(shù)據(jù)(識別順序IO)。因此，緩存適合負(fù)載變化迅速的場景；分層適合靜態(tài)的負(fù)載(冷熱數(shù)據(jù)很少變化)。

此外，固態(tài)硬盤由于寫前擦的硬件特性，非對齊訪問會導(dǎo)致寫放大，不能充分發(fā)揮固態(tài)盤性能優(yōu)勢，而且降低了SSD使用壽命[14-19]。

基于上述問題，研究設(shè)計(jì)了一種基于虛擬存儲層的緩存控制策略，該策略引入了虛擬存儲層的概念，綜合緩存技術(shù)和自動分層技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)，CVSL在結(jié)合訪問時間策略和訪問頻率策略基礎(chǔ)之上，引入虛擬存儲層概念，有效甄別數(shù)據(jù)訪問熱度，避免因間歇性訪問的假性冷數(shù)據(jù)被移除緩存，提高整體緩存命中率。

結(jié)合分層存儲中熱數(shù)據(jù)、溫?cái)?shù)據(jù)、冷數(shù)據(jù)的概念，虛擬存儲層承載訪問頻次的統(tǒng)計(jì)，充分考慮間歇性局部熱點(diǎn)數(shù)據(jù)的訪問特點(diǎn)，盡量避免熱點(diǎn)數(shù)據(jù)因暫時冷卻被遷入低速存儲介質(zhì)，將熱數(shù)據(jù)直接降級為冷數(shù)據(jù)，同時對順序?qū)慖O不緩存，再沒有增加硬件成本的情況下，提高了緩存命中率，充分發(fā)揮固態(tài)硬盤優(yōu)勢，提升了綜合訪問性能。

1 緩存控制的結(jié)構(gòu)及原理

虛擬存儲層是通過軟件劃分出的一個虛擬存儲域，邏輯上是位于高速存儲介質(zhì)和低速存儲介質(zhì)之間，存儲溫?cái)?shù)據(jù)。對于遷入虛擬存儲層的數(shù)據(jù)塊，僅緩存其塊描述信息，對應(yīng)數(shù)據(jù)實(shí)際存儲在低速介質(zhì)中。虛擬存儲層不存儲實(shí)際數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會直接存儲在低速存儲介質(zhì)，但在虛擬存儲層中保留數(shù)據(jù)塊的訪問時間，訪問頻次等信息。在虛擬存儲層中的數(shù)據(jù)會根據(jù)訪問熱度決定數(shù)據(jù)是重新遷入高速存儲介質(zhì)還是遷入低速存儲介質(zhì)。其中，數(shù)據(jù)塊在虛擬存儲層和低速存儲介質(zhì)之間流動，只需要移除該緩存塊的塊描述信息據(jù)即可，無須數(shù)據(jù)遷移，不會增加低速存儲介質(zhì)額外的IO負(fù)擔(dān)。

CVSL緩存控制邏輯架構(gòu)如圖2所示。

圖2 CVSL緩存控制邏輯架構(gòu)

數(shù)據(jù)物理從高速存儲介質(zhì)(SSD)和低速存儲介質(zhì)(HDD)之間遷移，邏輯上從高速存儲介質(zhì)、虛擬存儲層、低速存儲介質(zhì)之間遷移。溫?cái)?shù)據(jù)和冷數(shù)據(jù)均存放在低速存儲介質(zhì)HDD上。

CVSL緩存系統(tǒng)由以下模塊組成，如圖3所示。

圖3 CVSL模塊組成

1)緩存控制模塊，主要負(fù)責(zé)緩存數(shù)據(jù)的基本控制功能，按照SSD物理特性設(shè)計(jì)的，根據(jù)SSD擦除塊以chunk為最小單位(默認(rèn)512K)分配SSD空間，使用B+樹、最近最少使用(LRU，least recently used)鏈表、最不經(jīng)常使用(LFU，least frequently used)鏈表混合方法來跟蹤緩存數(shù)據(jù)，緩存數(shù)據(jù)可以是chunk上的任意一個扇區(qū)。最大程度上減少隨機(jī)寫的代價。定期喚醒或者達(dá)到空間閾值上限回寫緩存臟數(shù)據(jù)。

緩存頁控制根據(jù)SSD擦除塊大小將SSD空間分成若干個chunk。緩存數(shù)據(jù)與元數(shù)據(jù)都是按chunk來組織的。

(1)分配器：COW(copyonwrite)式的空間分配，分配的單元是chunk，數(shù)據(jù)在chunk內(nèi)部全部都是追加寫入的，不會出現(xiàn)覆蓋寫，當(dāng)有覆蓋寫時，會重定向到新的數(shù)據(jù)塊。

(2)元數(shù)據(jù)部分：B+樹節(jié)點(diǎn)數(shù)據(jù)是最主要的元數(shù)據(jù)，也是COW式分配，對于B+樹節(jié)點(diǎn)的修改，需要先分配新的節(jié)點(diǎn)，將新數(shù)據(jù)寫入，再丟棄老的節(jié)點(diǎn)。

2)邏輯遷移模塊，主要負(fù)責(zé)根據(jù)數(shù)據(jù)塊的訪問時間訪問次數(shù)信息進(jìn)行熱度統(tǒng)計(jì)，根據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果在虛擬存儲層和數(shù)據(jù)存儲層之間進(jìn)行邏輯調(diào)度。

3)虛擬存儲模塊，主要負(fù)責(zé)維護(hù)遷入虛擬存儲層數(shù)據(jù)塊的熱度信息以及與數(shù)據(jù)存儲層的映射關(guān)系。邏輯上使用page(4k)為最小單位管理數(shù)據(jù)塊。虛擬存儲層在內(nèi)存中開辟一定空間，暫存待遷入數(shù)據(jù)塊，多個數(shù)據(jù)塊合并后按照chunk對齊遷入，降低SSD寫入次數(shù)，盡量避免數(shù)據(jù)抖動影響性能。

4)數(shù)據(jù)存儲模塊，主要負(fù)責(zé)實(shí)際存儲所有的數(shù)據(jù)塊，包括虛擬存儲層的數(shù)據(jù)塊，因?yàn)閿?shù)據(jù)存儲層一般容量較大，所以采用1 M為最小單位管理數(shù)據(jù)塊，后面可設(shè)計(jì)為可變模式，支持1～64 M可調(diào)節(jié)。

數(shù)據(jù)存儲格式如圖4所示。

圖4 數(shù)據(jù)存儲格式

相比傳統(tǒng)策略，CVSL綜合考慮了訪問時間策略和訪問頻率策略，兼顧了SSD的物理特點(diǎn)，并且緩存塊在移除緩存層時，其訪問時間訪問頻次等信息仍維護(hù)在虛擬存儲層和數(shù)據(jù)存儲層中。數(shù)據(jù)熱度信息在數(shù)據(jù)塊整個生命周期中均有效，有助于緩存層、虛擬存儲層和數(shù)據(jù)存儲層進(jìn)行熱點(diǎn)數(shù)據(jù)追蹤。

2 緩存控制軟件設(shè)計(jì)

CVSL通過緩存頁管理將熱點(diǎn)數(shù)據(jù)存儲在高速介質(zhì)上，虛擬存儲層位于IO緩存層和數(shù)據(jù)存儲層之間，將溫?cái)?shù)據(jù)和冷數(shù)據(jù)邏輯隔離，防止冷熱數(shù)據(jù)頻繁遷入遷出造成抖動，造成性能波動，提高熱點(diǎn)數(shù)據(jù)命中率。

2.1 緩存控制設(shè)計(jì)

緩存控制模塊采用B+樹索引管理HDD和緩存數(shù)據(jù)的映射關(guān)系，建立LRU和LFU兩個鏈表，根據(jù)訪問時間和訪問次數(shù)控制緩存塊的遷入遷出。

當(dāng)有上層應(yīng)用訪問未在緩存中，但對應(yīng)block在虛擬存儲層時，判定該緩存頁為熱點(diǎn)數(shù)據(jù)，調(diào)入緩存層，根據(jù)LRU和LFU鏈表移除最長時間沒有使用以及最近最不常用的緩存頁。

當(dāng)有上層應(yīng)用訪問為在緩存中，且對應(yīng)block未在虛擬存儲層時，暫不將數(shù)據(jù)塊遷入緩存層。

被移除的緩存頁由調(diào)度模塊管理，根據(jù)其數(shù)據(jù)熱度遷入虛擬存儲層，或者數(shù)據(jù)存儲層。如果緩存頁為非臟數(shù)據(jù)，該過程為邏輯分層，僅涉及元數(shù)據(jù)修改，不會對機(jī)械盤進(jìn)行讀寫操作。

緩存控制模塊還承載著臟數(shù)據(jù)回寫的功能。當(dāng)緩存層中臟數(shù)據(jù)達(dá)到一定閾值會主動觸發(fā)回寫線程進(jìn)行臟數(shù)據(jù)刷寫；內(nèi)置定時器會觸發(fā)回寫線，定時掃描臟數(shù)據(jù)塊進(jìn)行臟數(shù)據(jù)回寫。

臟數(shù)據(jù)回寫時不會更新數(shù)據(jù)塊訪問次數(shù)、訪問時間等信息，直接寫入數(shù)據(jù)存儲層，防止內(nèi)部數(shù)據(jù)刷寫影響虛擬存儲層的數(shù)據(jù)熱度評估，造成緩存數(shù)據(jù)塊熱度出現(xiàn)偏差；

數(shù)據(jù)在寫入數(shù)據(jù)存儲時，合并排序?qū)懭耄浞掷脵C(jī)械盤的特性，提高數(shù)據(jù)寫入效率。

上層請求到達(dá)時，如果是順序IO，則不進(jìn)行緩存，直接繞過緩存控制層；如果數(shù)據(jù)塊在SSD緩存層，則直接讀寫訪問并向上返回請求結(jié)果；如果緩存未命中，則訪問虛擬存儲層。

如果數(shù)據(jù)在虛擬存儲層，則根據(jù)映射關(guān)系在數(shù)據(jù)存儲層訪問數(shù)據(jù)，向上返回請求結(jié)果，并且將該數(shù)據(jù)塊調(diào)入緩存層(此處會嘗試多個緩存頁合并調(diào)入緩存層，減少SSD寫入次數(shù))。

如果未在虛擬存儲層，則繼續(xù)向數(shù)據(jù)存儲層請求，未再虛擬存儲層的數(shù)據(jù)塊只更新訪問次數(shù)信息，不立即調(diào)入緩存層。

訪問完畢后，更新內(nèi)存中對應(yīng)block的訪問時間、讀寫次數(shù)等信息。

由于虛擬存儲層僅存儲緩存塊的塊描述信息，使用較小的空間即可存儲較大范圍的塊描述信息，即可在較大范圍內(nèi)篩選間歇性熱點(diǎn)數(shù)據(jù)，有效提高了此類數(shù)據(jù)的緩存命中率。

IO緩存層最大程度上保護(hù)數(shù)據(jù)，在系統(tǒng)異常關(guān)機(jī)時數(shù)據(jù)仍然是可靠的。因?yàn)橹挥性跀?shù)據(jù)完全寫回存儲設(shè)備才確認(rèn)寫成功。SSD的特點(diǎn)就是隨機(jī)IO性能很高，而對于順序IO提升卻并不大，所以會檢測順序IO并透傳給數(shù)據(jù)存儲層。

訪問流程如圖5所示。

圖5 應(yīng)用訪問流程圖

2.2 虛擬存儲層熱度統(tǒng)計(jì)

熱度統(tǒng)計(jì)線程會周期性遍歷設(shè)備所有的block，block的熱度由4個參數(shù)衡量，包括最近寫時間、被寫次數(shù)、最近讀時間、被讀次數(shù)。

邏輯上升的block滿足：1)自上次統(tǒng)計(jì)以來，被寫次數(shù)大于Whicount；或者，2)自上次統(tǒng)計(jì)以來，被讀次數(shù)大于Rhicount。滿足條件的block按被訪問時間和被訪問次數(shù)降序排列，熱數(shù)據(jù)塊在前，形成邏輯上升數(shù)據(jù)塊鏈表Queueup。

邏輯下降的block滿足：1)自上次統(tǒng)計(jì)以來被寫次數(shù)小于Wlowcount；并且，2)自上次統(tǒng)計(jì)以來被讀次數(shù)小于Rlowcount。滿足條件的block按被訪問時間和被訪問次數(shù)升序排列，冷數(shù)據(jù)塊在前，生成邏輯下降數(shù)據(jù)鏈表Queuedown。

Whicount為寫次數(shù)高水位線，Rhicount為讀次數(shù)高水位線，Wlowcount為寫次數(shù)低水位線，Rlowcount，為讀次數(shù)低水位線，可以根據(jù)實(shí)際業(yè)務(wù)調(diào)整，注意需滿足Whicount≥Wlowcount，Rhicount≥Rlowcount，默認(rèn)Whicount=Wlowcount=Rhicount=Rlowcount=AVGrwcount(平均讀寫次數(shù))

熱度統(tǒng)計(jì)完畢后，熱度統(tǒng)計(jì)線程會清除數(shù)據(jù)塊中的訪問時間、讀寫次數(shù)信息。熱度統(tǒng)計(jì)流程如圖6所示。

圖6 熱度統(tǒng)計(jì)流程圖

2.3 虛擬存儲層邏輯遷移

在確定了需要向上或者向下遷移的block后，數(shù)據(jù)遷移線程將待遷移的block逐個遷移。在遷移每個block前會判斷是否停止此次遷移任務(wù)。停止的條件有：1)遷移線程工作時間限制，如果超時就中止這次遷移；2)檢查目前虛擬存儲層的邏輯利用率，如果利用率為大于95%，則只允許向下遷移任務(wù)；如果利用率小于60%，則只允許執(zhí)行向上遷移任務(wù)；如果利用率大于60%小于90%時，則同時允許執(zhí)行向上遷移和向下遷移任務(wù)。

該數(shù)據(jù)遷移不會對數(shù)據(jù)塊進(jìn)行讀寫，僅修改虛擬存儲層的邏輯關(guān)系，不會對機(jī)械盤造成額外的性能負(fù)擔(dān)。由于緩存層管理單位為page=4 k，數(shù)據(jù)存儲層管理單位為block=1 M。所以當(dāng)命中虛擬存儲層block時，僅將其訪問的page調(diào)入緩存層，不需要加載整個block。

邏輯遷移流程如圖7所示。

圖7 數(shù)據(jù)邏輯遷移流程圖

由于寫入數(shù)據(jù)存在熱數(shù)據(jù):溫?cái)?shù)據(jù):冷數(shù)據(jù)=15%:5%:80%的特點(diǎn)，建議SSD：HDD容量比為(15+5)%:80%。其虛擬存儲層block總數(shù)計(jì)算公式如下：

Cblock=Vhdd×(15%+5%)÷Sblock

(1)

式中，Cblock代表虛擬存儲層管理的block總數(shù)，Vhdd代表磁盤容量(單位MiB)，Sblock代表block大小(單位MiB)。

3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析

為了驗(yàn)證CVSL中基于虛擬存儲層設(shè)計(jì)的緩存管理和動態(tài)遷移策略的有效性，本節(jié)采用具有代表性的Linux開源緩存加速軟件dmcache和CVSL模塊進(jìn)行了隨機(jī)IO性能對比測試實(shí)驗(yàn)。

本實(shí)驗(yàn)基于FT2000+平臺和Linux操作系統(tǒng)，dmcache模塊(對應(yīng)內(nèi)核版本4.19)，50GSSD+1片1TSATA機(jī)械硬盤進(jìn)行測試。測試工具采用fio-3.28，direct訪問，排除服務(wù)器內(nèi)存影響。

首先使用fio分別測試SSD和HDD的4K隨機(jī)讀寫性能，測試5 min，確保SSD和HDD機(jī)械盤性能表現(xiàn)正常。

性能測試流程具體如下：

步驟一：SSD全盤trim后，使用dmcache模塊將SSD綁定為HDD的緩存設(shè)備。

步驟二：使用fio進(jìn)行隨機(jī)4 K隨機(jī)讀寫預(yù)熱模擬應(yīng)用訪問，讀寫比例為4∶6，預(yù)熱時間為48 h。

步驟三：預(yù)熱完畢后，使用fio分別進(jìn)行4 K隨機(jī)IO讀寫測試，測試5分鐘，記錄測試結(jié)果。

步驟四：重復(fù)步驟二和步驟三3次，并記錄測試結(jié)果。

CVSL模塊測試方法同步驟一～步驟四。

1)4 k隨機(jī)寫性能測試結(jié)果對比，如圖8所示。

圖8 四次4 k隨機(jī)寫測試結(jié)果

dmcache的4次隨機(jī)寫測試結(jié)果分別為781，712，799，752，平均值為761；CVSL的4次隨機(jī)寫測試結(jié)果分別為840，835，846，841，平均值為840，相對dmcache提升約10.5%。

2)4 k隨機(jī)讀性能測試結(jié)果對比，如圖9所示。

圖9 四次4 k隨機(jī)讀測試結(jié)果

dmcache的4次隨機(jī)讀測試結(jié)果分別為587，553，580，554，平均值為569；CVSL的4次隨機(jī)讀測試結(jié)果分別為620，621，612，627，平均值為620，相對dmcache提升約9%。

從圖8和圖9可以看出，CVSL相比dmcache模塊，隨機(jī)讀寫性能均有明顯提高，緩存加速性能提高了9%～10%。而且CVSL在進(jìn)行了4次48小時的模擬應(yīng)用訪問后，4 k隨機(jī)寫IOPS穩(wěn)定在840左右，4 k隨機(jī)讀IOPS穩(wěn)定在620左右，性能值比較平穩(wěn)。從實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析，CVSL在未增加硬件成本的情況下，有效的提高了機(jī)械硬盤的性能，而且在模擬間歇性數(shù)據(jù)訪問后，性能沒有明顯波動，達(dá)到了預(yù)期設(shè)計(jì)效果。

4 結(jié)束語

在全球數(shù)據(jù)爆炸性增長的背景下，如何結(jié)合固態(tài)硬盤和傳統(tǒng)機(jī)械硬盤的優(yōu)勢應(yīng)對海量數(shù)據(jù)的高效存儲，具有很高的社會意義和研究價值。針對緩存數(shù)據(jù)尤其是間歇性頻繁訪問的緩存數(shù)據(jù)特點(diǎn)，引入虛擬存儲層概念，在傳統(tǒng)緩存策略上融合了自動分層技術(shù)并做了改進(jìn)，主要有以下技術(shù)優(yōu)勢：1)綜合考慮了訪問時間和訪問頻率對緩存塊的影響，結(jié)合了傳統(tǒng)緩存適合負(fù)載變化迅速的場景自動分層適合靜態(tài)負(fù)載的特點(diǎn)，對熱數(shù)據(jù)判定更精準(zhǔn)。充分利用自動分層熱點(diǎn)數(shù)據(jù)升溫和降溫較慢，可更準(zhǔn)備識別熱點(diǎn)數(shù)據(jù)的技術(shù)原理，降低間歇性熱點(diǎn)數(shù)據(jù)變?yōu)槔鋽?shù)據(jù)的概率，也降低了緩存頁抖動對性能造成的影響；2)虛擬存儲層和數(shù)據(jù)存儲層之間遷移數(shù)據(jù)時，僅需修改數(shù)據(jù)塊描述信息和映射關(guān)系。緩存層淘汰非臟緩存頁時，也是僅做頁面信息修改，都不會沒有對機(jī)械硬盤進(jìn)行讀寫操作，不會增加額外的磁盤IO，對訪問性能沒有影響；3)虛擬存儲層不存儲真實(shí)數(shù)據(jù)，可在較大范圍內(nèi)承載因暫時不訪問被移出緩存層的間歇性熱點(diǎn)數(shù)據(jù)，有效的提高了緩存命中率；4)數(shù)據(jù)塊的訪問時間訪問頻次具有全局性，提高了熱點(diǎn)數(shù)據(jù)追蹤效率；數(shù)據(jù)存儲層使用block為最小單位，降低了元數(shù)據(jù)的占用空間。相比傳統(tǒng)緩存策略，在沒有增加硬件成本的情況下，降低了緩存頁被誤判為冷數(shù)據(jù)的概率，提高了緩存命中率。

基于虛擬存儲層的SSD緩存控制策略可應(yīng)用于磁盤陣列、分布式存儲等企業(yè)級網(wǎng)絡(luò)存儲系統(tǒng)，能夠有效提高在云平臺、大數(shù)據(jù)分析、數(shù)據(jù)庫等高并發(fā)隨機(jī)讀寫應(yīng)用場景下的存儲訪問性能，提高應(yīng)用系統(tǒng)的響應(yīng)時間。