噻吩環摻雜氮化碳納米片的制備及光催化性能

李 雪 徐紅赟 王乙舒 宋艷華 崔言娟

(江蘇科技大學環境與化學工程學院，鎮江 212100)

0 引言

以化石燃料為主要能源所引發的環境問題已成為人類社會可持續發展的一大瓶頸。H2作為一種清潔能源已逐漸成為能源科學的一大研究熱點。通過光催化技術進行光解水制氫是將太陽能轉化為可存儲清潔能源的一種理想策略[1]。因此，設計開發具有高效產氫(HER)性能的光催化材料是一大挑戰并具有重要的科學意義[2]。π?共軛聚合物已廣泛應用于有機電子學和光子學領域[3]。諸多具有線性、平面和三維結構的共軛聚合物已被報道用于氣體吸附、多相催化和電能存儲等[4]。聚合物材料由于離域π體系的存在，在大多數情況下可以吸收利用可見光。1985年，Yanagida等率先制備了線性聚對亞苯基，這是一種用于光催化HER的共軛材料，這一發現促進了新型共軛催化劑的發展[5]。這類材料在化學成分、電子結構和能帶方面具有高度可調性，因此，研究人員開展了一系列共軛聚合物的拓展研究[6]。

眾所周知，石墨相氮化碳聚合物(CN)已被廣泛報道用于可持續光催化和光化學應用[7]。CN具有良好的穩定性、無毒性以及可見光活性，代表了新一代環境友好型光催化劑。然而，開發具有高效催化性能的CN基材料來實現實際應用仍需要不斷探索。優化其微觀結構以縮小帶隙并增加電荷載流子的遷移率仍然是提高光催化性能的主要策略。將大塊材料剝離成納米薄片并構建分層納米結構可以增加表面積，縮短傳輸距離，是一種提高光生載流子分離效率的有效方法[8]。其中，熱剝離法是合成二維CN納米片的一種簡單直接的途徑。在二次熱煅燒過程中，一些不穩定的聚合單元如表面不完全聚合基團會被分解，從而增加表面活性位。例如，由直接熱剝離合成的P摻雜CN納米片的最佳HER 速率達到 1 146.8 μmol·g?1·h?1，與原始塊狀 CN相比提高了近15倍[9]。同樣，在2021年，Chen等將軟模板與熱剝離相結合合成多孔CN納米片，實現了提升3.6倍的光催化制H2速率[10]。然而，超薄納米片的形成往往伴隨著光吸收的藍移和缺陷增加，降低了可見光的有效利用和載流子的分離效率。

分子修飾作為一種有效方法在材料工程中具有特定意義，可以改變聚合物半導體材料的電學和光學性質[11]。2019年，Liu等通過尿素和4，4′?磺酰二酚(BPS)熱共聚合合成了苯環摻雜CN納米片(BS?CN)，其光催化HER性能幾乎是純CN納米片的12倍[12]。其他氨基/氰基化合物(巴比妥酸、2?氨基芐腈等)也被用于功能化CN聚合物，產物比純CN表現出不同程度的HER性能增強[13?15]。因此，在不引入金屬元素的同時通過共軛鍵將共軛結構整合到CN骨架中以擴大π電子離域，是提高聚合物半導體光電性能的有效策略。

具有強大給電子能力的噻吩及其衍生物已廣泛用于設計新型光伏器件和光催化相關聚合物[16?17]。其π共軛鏈中獨特的發色團在可見光和近紅外區域具有很強的吸收和發射能力。此外，噻吩環中硫原子的高極化率可促進共軛鏈穩定，并優化電荷傳輸性能。2014年，Wang等討論了各種芳香族共聚單體的聚合改性對CN光催化活性的影響，在CN基體中加入2?氨基噻吩?3?甲腈(ATCN)使HER速率提高了約9倍[18]。最近，Xu等構建了含硫噻吩接枝的CN并表現出良好的光催化雙酚A(BPA)分解和制氫性能[19]。因此，噻吩基分子是優化聚合物半導體材料性能的有效改性化合物。值得注意的是，與無機改性不同，有機分子改性(表面接枝、分子摻雜等)的熱穩定性仍值得探索，這是催化應用的重要參數。

在本工作中，通過尿素和ATCN分子進行原位兩步熱聚合成功合成了噻吩環摻雜的二維共軛氮化碳納米片光催化劑。采用X射線衍射(XRD)、FT?IR、透射電子顯微鏡(TEM)和X射線光電子能譜(XPS)研究了產物的組成、晶體結構和形貌。利用紫外可見漫反射光譜(UV?Vis DRS)、光致發光(PL)光譜、光電流測量和電化學阻抗譜(EIS)研究了其光電性能，并評估了樣品的光解水制H2和制H2O2的性能。我們發現，二次熱剝離后，樣品仍保持噻吩環摻雜結構，噻吩環的引入進一步擴展了其可見光吸收，提升了光生載流子的分離，因此顯著增強了材料的光催化活性。

1 實驗部分

1.1 樣品的制備

將10 g尿素與xmg(x=0、2、5、10、15)ATCN在10 mL水中混合，在室溫下攪拌1 h直至完全溶解。在80℃下除去水分。將完全干燥的混合物研磨成粉末，然后在馬弗爐中以5℃·min?1的升溫速率在550℃下煅燒2 h。獲得的固體樣品標記為CN和CN?Thx。隨后，將上述樣品在相同條件下進行第2次煅燒，得到樣品記為CNN(x=0)和CNN?Thx(x=2、5、10、15)。

1.2 物性表征

采用XRD(D/max 2500PC，日本理學株式會社)分析材料成分，測試電壓及電流分別為40 kV和30 mA，CuKα射線(波長為0.150 4 nm)輻射，掃描范圍為 10°～50°。采用 Cary 630(美國 Aagilent公司)測試材料紅外光譜。通過TEM(JEM?2100，日本理學株式會社)觀察樣品形貌和晶相，工作電壓為200 kV。采用UV?Vis(UV?2550，日本Shimadzu公司)表征樣品的光吸收性質，BaSO4為標準物質，掃描范圍：200～800 nm。通過 ESCALAB 250(美國 Thermo Fisher Scientific公司)測定材料的XPS。采用QuantaMasterTM40(美國PTI公司)考察催化劑的熒光發光性能。采用瞬態熒光光譜儀(FLS1000，英國愛丁堡)考察催化劑的瞬態熒光壽命。利用電化學工作站(CHI660E，上海辰華儀器有限公司)表征催化劑的光電化學性質。

1.3 光催化性能測試

光解水制氫：將50 mg催化劑粉末分散在水溶液(100 mL，含有體積分數10%的三乙醇胺和100 μL 0.04 g·mL?1的H2PtCl6·6H2O)中。攪拌 30 min 并抽真空后，使用300 W氙燈(420 nm截止濾光片)進行光照。通過氣相色譜儀(熱導檢測器，N2作為載氣)在線自動檢測H2。

光催化制H2O2：將50 mg催化劑分散在50 mL H2O中。攪拌并充氧氣30 min后，使用300 W氙燈(420 nm截止濾光片)進行光照。每隔一定時間，取樣2.0 mL并離心以獲得反應溶液。將0.5 mL指示劑(含 1% 鄰聯甲苯胺的 0.1 mol·L?1鹽酸)加入2.0 mL反應液中，靜置 2 min，然后加入 2.0 mL 1 mol·L?1鹽酸進行酸化。在436 nm處用比色法測定H2O2的濃度[20]。

2 結果與討論

2.1 物相結構分析

圖1為CNN和CNN?Thx的XRD圖。與之前的報道一致，所有樣品均在12.9°和27.3°處出現2個衍射峰，分別來自三?s?三嗪單元的平面結構排列((100)面，d=0.69 nm)和(002)面的二維層間堆積(d=0.32 nm)[21]。從CNN?Th2至 CNN?Th15，增加ATCN的聚合摻雜量，樣品的特征峰基本保持不變，只有CNN?Th15的(002)面衍射峰強度略有下降。這表明適當的噻吩環摻雜對基本有序雜環聚合結構影響不大，但過多的摻入會降低CNN層間堆疊結構的長程有序度。

圖1 CNN和CNN?Thx的XRD圖Fig.1 XRD patterns of CNN and CNN?Thx

CNN和CNN?Th10的FT?IR光譜如圖2所示。位于809 cm?1處的特征峰來自三嗪環的振動吸收，位于1 200～1 600 cm?1范圍內的吸收峰則來自骨架中的C=N振動或C—N振動。在3 000～3 500 cm?1范圍的寬峰歸因于氨基的N—H伸展振動和C—OH鍵。CNN?Th10中末端氨基峰強度降低，意味著雜環邊緣聚合度增強。除此之外，CNN和CNN?Th10的吸收峰位置基本一致，說明噻吩環摻雜并未破壞CNN的結構，這與XRD表征結果一致。

圖2 CNN和CNN?Th10的FT?IR譜圖Fig.2 FT?IR spectra of CNN and CNN?Th10

從圖3的13C NMR譜圖可以清晰地觀察到CNN和CNN?Th10均在δ=155.6、164.3處出現標志性的化學位移峰，分別歸屬于CN七嗪環結構中的C峰，說明二者基本共軛骨架保持一致。同時，在CNN?Th10譜圖中δ=105處出現了一個新的寬峰，證明噻吩環的碳成功地摻入了CNN共軛系統[13,15]。

圖3 CNN與CNN?Th10的13C NMR譜圖Fig.3 13C NMR spectra of CNN and CNN?Th10

采用TEM對改性后的CNN?Th10的表面形貌和微觀結構進行了觀察。圖4a～4f為CNN以及CNN?Th10的TEM圖。從以往報道中可以了解到，以尿素為前驅體制備的CN為典型的塊狀分布[22]，且呈現主要由許多致密的薄片堆疊在一起的形態。熱氧化剝離進一步削弱了堆積薄片的密度。與ATCN共聚合后，通過TEM觀察可直觀看出納米薄片的分布。CNN由原始的致密堆積剝離成薄片，且具有明顯的片狀扭曲(邊緣卷曲)。圖4g～4j為CNN?Th10的元素映射圖，可以看出在整個分析區域中，除了主要的組成元素C、N和O外，顯然存在均勻分布的S，可以推測在CNN骨架中成功摻雜了含S的噻吩環。

圖4 (a、c、e)CNN和(b、d、f)CNN?Th10的TEM圖以及(g～j)CNN?Th10的元素映射圖Fig.4 TEM images of(a,c,e)CNN and(b,d,f)CNN?Th10,and(g?j)element mappings of CNN?Th10

XPS是研究催化劑組成元素化學鍵合狀態的有效方法。從CNN和CNN?Th10的XPS全譜圖(圖5a)來看，最顯著的差異是CNN?Th10中S的檢出信號，這與TEM的結果一致。XPS的元素含量(原子百分數)對比分析如表1所示?？傮w而言，C元素的含量從CNN的39.16%增加到CNN?Th10的41.42%，而N的含量從58.54%減少至55.63%。同時，CNN?Th10中含有微量S(0.37%)。結合C元素含量的增加和微量S的檢測，可以推斷噻吩環結構參與了CNN的共軛雜環。

表1 CNN和CNN?Th10中元素含量Table 1 Content of elements in CNN and CNN?Th10

為了驗證CNN骨架中噻吩環的成功引入，對CNN?Th10進行XPS高分辨分析。如圖5b所示，C1s譜可擬合為結合能分別位于284.6、286.3和288.0 eV的3個特征峰，其中284.6 eV處的峰代表CNN?Th雜環骨架中的sp2C—C鍵；286.3 eV峰可歸因于C—O鍵的存在；288.0 eV處的峰歸屬于CN三嗪環結構中的sp2雜化C原子(N—C=N)[23]。圖5c顯示N1s峰主要存在398.4、399.6和400.5 eV三個峰，分別對應sp2雜化的N原子(C—N=C)、與雜環結構相連的橋接N原子(N—(C)3)和末端氨基中的N原子(C—N—H)[24]。這一結果與之前報道過的由尿素直接煅燒制備CN的文獻一致[25]。換句話說，經過二次熱蝕刻后得到的CNN?Thx仍然保持CN雜環結構。圖5d顯示，在164 eV附近觀察到S元素峰，可以擬合為S2p3/2(163.8 eV)和S2p1/2(165.2 eV)，這與文獻中對噻吩分子的分析一致(其中S2p3/2和S2p1/2分別出現在163.8 和 165.0 eV)[26?27]，但與報道的 S 摻雜石墨 C3N4(C3N4?xSx)結論相差甚遠(S的結合能出現在163.9和168.5 eV)[28]。因此，基于上述表征和分析結果，可以得出結論：本工作中所制備的CNN?Th材料為噻吩環摻雜，而不是碳與硫原子共摻雜。同時，這種分子摻雜在二次熱剝離后仍穩定存在。為了進一步證實噻吩環摻雜完全融入了CNN骨架，對CNN?Th10進行了Ar+表面蝕刻(30 s)，S2p的相應XPS譜圖如圖5e所示。顯然，S2p3/2的163.8 eV峰和S2p1/2的165.2 eV峰仍然存在，證明了噻吩環穩定嵌入CNN骨架。ATCN單體與尿素分子聚合過程示意圖如Scheme 1所示。

Scheme 1 Proposed copolymerization process of urea with ATCN

圖5 (a)CNN和CNN?Th10的XPS全譜圖;(b～d)CNN?Th10的C1s、N1s和S2p譜圖;(e)CNN?Th10刻蝕30 s后的S2p譜圖Fig.5 (a)XPS survey spectra of CNN and CNN?Th10;(b?d)C1s,N1s and S2p spectra of CNN?Th10;(e)S2p spectrum of CNN?Th10after 30 s etching

2.2 光電性質分析

將噻吩環摻雜到CN骨架中，可以顯著調控其半導體特性，例如電子結構、光學吸收等[29]。UV?Vis吸收光譜是由分子(或離子)吸收紫外光或可見光(通常為200～800 nm)后價電子發生躍遷而引起的，廣泛應用于有機和無機化合物的分析。光吸收的增強(特別在可見光范圍內)是提高催化劑光響應活性的重要因素。圖6a給出了CN、CNN和CNN?Thx的UV?Vis DRS光譜。所有樣品富含π電子，均在紫外區顯示出π→π*躍遷。CN和CNN的吸收帶邊分別在440和420 nm左右，表明熱剝離后的樣品吸收帶邊發生藍移[30]。當噻吩環嵌入后，CN?Th10的可見光區吸光性增強，這是由于噻吩環的引入而產生了新的n?π*躍遷，但吸收帶邊幾乎不發生變化。經過熱剝離后得到的CNN?Thx的光吸收與CNN相比發生顯著紅移，且可見光區(420～550 nm)吸光性進一步明顯增強，而樣品粉末的顏色也從淺黃色逐漸加深到橙色。形成鮮明對比的是，CNN?Th10在500 nm附近比CN?Th10具有更顯著的可見光響應。這是由于熱剝離得到的二維納米片面內扭曲引起聚合單元的變形，從而引起更顯著的n?π*躍遷。

根據Kubelka?Munk方程獲得樣品的光學帶隙，如圖6b所示[31]。CNN的帶隙值為2.94 eV，而CNN?Thx的帶隙值明顯向低位移動，其中CNN?Th10、CNN?Th15、CNN?Th5、CNN?Th2分別為 2.78、2.88、2.91、2.93 eV。光催化劑的帶隙減小說明可見光利用范圍變寬，在長波長光照下即可生產光生載流子，可大大擴展光催化劑的應用。這種變化可能源于噻吩環摻雜到CNN骨架中引起π電子的重新定位分布[32]。

圖6 樣品的(a)UV?Vis DRS吸收光譜和(b)Kubelka?Munk方程的帶隙值Fig.6 (a)UV?Vis DRS absorbance spectra and(b)band gap values from Kubelka?Munk equation of the samples

電子?空穴對的高效分離在光催化反應中起著至關重要的作用。圖7a給出了催化劑的穩態PL光譜。在CNN中可以觀察到在440～470 nm范圍的強PL發射峰，這是由光激發電荷的帶邊復合產生的。對于CNN?Thx，發射峰逐漸轉移到更長的波長(從460到550 nm)。這種變化與光吸收的紅移特性相一致。同時，隨著摻雜噻吩環含量的增加，發射峰強度迅速下降，其中CNN?Th10的熒光發射峰幾乎被完全抑制。這表明摻雜適量的噻吩環大大降低了CNN?Thx中光生電子?空穴對的復合率。圖7b展示了CNN和CNN?Th10在室溫下由400 nm激光激發的瞬態PL衰減曲線。通過雙指數函數擬合計算光生電荷載流子的壽命。CNN和CNN?Th10的平均壽命(τ)分別為5.18和5.70 ns。CNN?Th10上光生載流子的壽命延長進一步說明噻吩環的引入有效地延遲了載流子的復合，因此這些載流子可以繼續參與后續的光催化反應。

圖7 樣品的(a)穩態PL發射光譜和(b)CNN、CNN?Th10的瞬態PL光譜Fig.7 (a)Steady?state PL emission spectra of the samples and(b)time?resolved PL spectrum of CNN,CNN?Th10

光電流的大小通常也用來反映光催化劑電子?空穴對的產生和分離效率，測試結果如圖8a所示。在可見光照射下，CNN和CNN?Th10都表現出明顯的光電流響應，意味著快速的光電轉換。CNN?Th10顯示出比CNN更高的瞬時光電流密度，表現出有更多的電子產生并可以參與光還原反應。采用EIS直接表征半導體中的電荷轉移性能。圖8b為CNN和CNN?Th10的EIS測試曲線。顯然，CNN?Th10的奈奎斯特圖中的弧半徑比CNN小得多。這一結果代表了CNN?Th10較低的電荷傳輸阻力，更有利于光催化反應中的電荷遷移?？偠灾?，將噻吩環引入CNN骨架有效地提高了聚合物基質的電子導電率，從而促進了電荷分離。結合PL分析和光電測試結果，噻吩環摻雜修飾后的共軛結構促進了光生電荷的產生和轉移，因此有利于提高光催化活性的提升。

圖8 CNN和CNN?Th10的(a)瞬時光電流響應光譜和(b)EIS圖Fig.8 (a)Photocurrent spectra and(b)EIS diagram of CNN and CNN?Th10

2.3 光催化性能分析

采用封閉循環系統，以三乙醇胺為犧牲試劑，鉑為助催化劑，測試了材料的光催化HER性能。首先，對比了一次和二次煅燒下噻吩環摻雜樣品的HER性能，結果如圖9a所示。CNN的HER活性達到89.4 μmol·h?1，約為一次煅燒樣品CN的2倍(43.9 μmol·h?1)。與未修飾的樣品相比，摻雜后所有樣品的活性均有所提高。尤其是CNN?Thx表現出優異的HER性能，并且隨著噻吩環摻雜量的增加而逐漸提高。其中，CNN?Th10的HER活性最佳，為322.8 μmol·h?1，是 CNN 的 3.6 倍和 CN?Th10的 1.6倍。而CNN?Th15的活性略有下降可能是因為過多的摻雜劑進入半導體破壞了電子結構有序性。我們推斷，經過二次熱處理，增加的催化劑表面反應位點有利于光催化反應進行。同時，噻吩環摻雜改性能夠優化光生電子的產生和遷移，有利于光催化還原制氫反應。

圖9 (a)以Pt為助催化劑(wPt=3%)時樣品的HER活性;(b)不同助催化劑作用下CNN?Th10的HER活性;(c)不同單波長(nm)光照下樣品的HER活性;(d)CNN?Th10的制氫穩定性Fig.9 (a)HER activity of the samples with Pt as co?catalysts(wPt=3%);(b)HER activity of CNN?Th10with different cocatalysts;(c)HER activity of the samples under illumination with different single wavelengths(nm);(d)H2evolution stability of CNN?Th10

助催化劑通常應用于光催化制氫反應來促進表面動力學。貴金屬(如Pt)在傳統上用作助催化劑，將光生電子“帶到”催化劑表面并提供有效的質子還原位點，從而極大地促進質子還原反應[33]。噻吩環摻雜的CNN雖然具有長波長吸收，但在光照無助催化劑參與下幾乎檢測不到H2，因此助催化劑是光催化制氫反應體系的重要組成。圖9b顯示了以Pt或其他貴金屬(Au、Ag)作為助催化劑在CNN?Th10上的產氫結果。可以看出，隨著Pt負載量的增加，CNN?Th10的HER活性增強?？紤]到經濟性和實用性，Pt負載量以質量分數3%為宜。此外，也研究了Ag、Au作為助催化劑的HER結果。光照1 h后，負載3%Ag和3%Au 的樣品僅顯示出 55.6 和 151.1 μmol·h?1的HER活性，遠低于Pt負載的樣品。因此，Pt仍然是此光催化HER過程中的首選助催化劑。

從前期分析已知，擴展的可見光吸收范圍是噻吩環摻雜CNN的重要功能之一。圖9c為CN、CNN、CN?Th10和 CNN?Th10在 420～600 nm單色光照下的HER活性。隨著光照波長的增大，所有樣品的H2產量逐漸降低，趨勢幾乎與光吸收一致。值得注意的是，即使在600 nm光照下，CNN?Th10也能達到較明顯的HER活性。這進一步證實在CNN共軛環中摻雜適量的噻吩環有助于提高材料的光催化還原性能，同時可擴展至可見光區的應用。

為了研究噻吩環摻雜樣品的穩定性和可重復利用性，對CNN?Th10進行了循環5次的HER活性測試。每次光反應結束后將光催化劑收集、洗滌和干燥用于下一次循環。從圖9d中可以看出，CNN?Th10在連續5個循環中仍表現出線性HER，且保持良好的穩定性。

光催化活化氧制H2O2是人工光合作用的重要應用之一。對制備的催化劑進行了光催化制H2O2的性能研究。圖10a給出了CNN?Thx在O2氛圍下光照4 h后的制H2O2活性。在沒有助催化劑的情況下，CNN僅產生約10 μmol·L?1的H2O2。隨著噻吩環摻雜量的增加，CNN?Thx產生的H2O2濃度大幅度升高，其中 CNN?Th10呈現出最優的活性(223.1 μmol·L?1)。受光催化HER過程的啟發，測試了以3%Pt為助催化劑時CNN?Thx的制H2O2活性。所有樣品的H2O2產量增加了1倍以上，在CNN和CNN?Th10反應體系中分別檢測到約74.2和600.7 μmol·L?1的H2O2。

圖 10b為有/無 Pt助催化劑的 CNN?Th10的制H2O2活性?光照時間曲線?？梢灾庇^看出，隨著光照時間的延長，H2O2的濃度增加，但在無Pt參與的體系中，增長趨勢要比有Pt助催化的體系要低。因此，在催化劑表面負載Pt助催化劑更有利于提升光催化活性并保持連續穩定性[34]。CNN?Thx的光催化制H2和H2O2活性的提高可能與噻吩環摻雜形成的載流子更容易激發電子和提高運輸效率有關。

圖10 (a)樣品的光催化制H2O2活性;(b)CNN?Th10在有/無助催化劑條件下光催化制H2O2活性Fig.10 (a)Photocatalytic H2O2production of the samples;(b)Photocatalytic H2O2production of CNN?Th10with/without co?catalyst

2.4 光催化制H2和H2O2的反應機理

眾所周知，要使H2O分解釋放出H2，熱力學上要求光催化材料的導帶(CB)電位比氫電極(H+/H2)電位低。根據Mott?Schottky曲線，CNN?Th10的CB電位確定為?1.23 V(vs SCE)，即以標準氫電極為參比時為?0.99 V(圖11a)，滿足熱力學產氫要求。再依據帶隙值可確定CNN?Th10的價帶(VB)電位為1.79 V(vs SHE)。圖11b解釋了所制備的光催化劑HER反應機理，催化劑CNN?Th10受到足夠能量的光激發，光生電子從價帶躍遷到導帶，而空穴則留在價帶，使電子和空穴發生分離，并在Pt助催化劑的輔助下參與還原反應分解水釋放H2。

圖11 CNN?Th10的(a)Mott?Schottky圖和(b)HER機理圖Fig.11 (a)Mott?Schottky plots and(b)HER mechanism diagram for CNN?Th10

在光催化過程中，除了電子直接還原外，H2O2的產生還可能來自其他途徑。為了闡明H2O2在CNN?Th10反應體系的形成機理，進行了一系列捕獲實驗(圖12)。首先，在光催化過程中通入高純N2以消除O2的影響。結果，H2O2的產生受到很大抑制，說明O2對于H2O2的生成至關重要。光照射過程中氧自由基的生成通常是光催化的中間途徑。對苯醌(BQ)被用于驗證·O2?在反應過程中的影響。隨著BQ的加入，H2O2的生成顯著減少，表明·O2?的單電子還原是產生H2O2的主要途徑。同樣，添加AgNO3作為電子犧牲劑后被大幅抑制的H2O2活性證明了電子還原的關鍵作用。此外，使用叔丁醇(TBA)來驗證·OH影響的可能性。幾乎沒有變化的測試結果表明·OH幾乎不參與H2O2的生成過程。驗證了能帶位置分析，即CNN?Th10的價帶電位低于OH?/·OH的氧化電位(1.99 V)[35]?；谝陨戏治?，CNN?Th10光催化制H2O2涉及以下反應：

圖12 不同捕獲劑對CNN?Th10光催化制H2O2的影響Fig.12 Effect of different scavengers on photocatalytic H2O2production of CNN?Th10

3 結論

以2?氨基噻吩?3?甲腈為聚合分子將噻吩環原位引入CN半導體，進一步熱剝離得到噻吩環摻雜的CNN?Thx納米片。在熱剝離處理后，摻雜的噻吩環仍然穩定存在于二維納米片中。納米片的面內扭曲和噻吩環摻雜共同加強了n?π*電子躍遷，π?共軛體系的優化降低了催化劑禁帶寬度，同時增強420～600 nm的可見光吸收強度。此外，優化的光生電荷遷移和分離性能提高了光生電子的反應效率。因此，與未摻雜納米片相比，CNN?Thx光催化劑的光解水制H2和活化O2制H2O2活性均得到顯著提升。