張 苗, 熊明姚, 文杜林, 蘇 欣
(1. 伊犁師范大學(xué) 物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院, 伊寧 835000; 2. 伊犁師范大學(xué) 新疆凝聚態(tài)相變與微結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)室, 伊寧 835000)
稀土作為重要的戰(zhàn)略性資源,享有“工業(yè)黃金”、“工業(yè)維生素”等美稱. 稀土元素位于元素周期表的ⅢB族,因其獨(dú)特的電子填充方式,決定了稀土離子獨(dú)特的發(fā)光特性和異常豐富的能級(jí)躍遷. 稀土發(fā)光材料具有強(qiáng)吸收、高轉(zhuǎn)化率等優(yōu)點(diǎn)被廣泛研究,其中稀土磷酸鹽發(fā)揮了重要的作用[1]. 稀土磷酸鹽就是一種良好的發(fā)光材料,其具有良好的化學(xué)性和熱穩(wěn)定性,在熒光、生物標(biāo)記和激光等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用[2-4]. 近年來(lái),由于稀土元素具有獨(dú)特的最外層電子結(jié)構(gòu),對(duì)于改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型電子結(jié)構(gòu)有一定的影響,進(jìn)而改變材料的光學(xué)性質(zhì),使材料具有特定的價(jià)值或用途[5, 6]. 此外,通過(guò)能帶結(jié)構(gòu)的計(jì)算,休克耳分子軌道的計(jì)算以及漫反射光譜發(fā)現(xiàn)稀土正磷酸鹽在真空紫外區(qū)具有較高的吸收,并能向摻雜在其中的稀土離子發(fā)光中心傳遞能量,從而獲得較高的發(fā)光效率[7]. LaPO4是熒光粉中的一類優(yōu)異的基質(zhì)材料,具有高熔點(diǎn)、良好的高溫相穩(wěn)定性、高熱膨脹系數(shù)、較低的熱導(dǎo)率和化學(xué)惰性等,被廣泛用在作為發(fā)光基質(zhì)應(yīng)用在等離子顯示、陰極射線管和燈用熒光粉中. ScPO4是一種深紫外線發(fā)射閃爍體,這種材料即使在白天也有助于檢測(cè)開(kāi)放區(qū)域中的電離輻射,同時(shí)也作為發(fā)光材料的基質(zhì)被引入其它活性離子后具有優(yōu)良的多色光學(xué)性質(zhì). 因此,深入研究LaPO4和ScPO4的能帶結(jié)構(gòu)、電子結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì)是研究LaPO4和ScPO4光電特性不可或缺的理論基礎(chǔ).
據(jù)文獻(xiàn)調(diào)研可知,Anfimova等[8]研究了LaPO4水合物的熱穩(wěn)定性和質(zhì)子導(dǎo)電性;Macalik等[9]研究了棒狀納米LaPO4的結(jié)構(gòu)隨溫度和酸度的變化;Trukhin等[10]研究了ScPO4的熱釋電發(fā)光;Trukhin Anatoly等[11]研究了ScPO4在8~300 K范圍內(nèi)的紫外發(fā)光衰減動(dòng)力學(xué). 對(duì)LaPO4和ScPO4電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的對(duì)比研究報(bào)道還有待推進(jìn),所以本文采用第一性原理方法中的密度泛函理論,利用CASTEP程序模塊對(duì)LaPO4晶體和ScPO4晶體的能帶結(jié)構(gòu)、電子結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì),進(jìn)行模擬計(jì)算. 通過(guò)對(duì)比,從理論基礎(chǔ)上分析這兩種稀土磷酸鹽的光電特性.
本文中的計(jì)算工作由Materials Studio 8.0軟件中的CASTEP軟件包完成,CASTEP是一個(gè)基于密度泛函理論結(jié)合平面波贗勢(shì)方法的從頭算量子力學(xué)程序[12-14]. 計(jì)算選取廣義梯度近似GGA-PBE來(lái)處理電子-電子相互作用的交換關(guān)聯(lián)能部分[15-18];平面波截止能量取為500 eV,體系總能量收斂值取1×10-5eV/atom,并且K網(wǎng)格格點(diǎn)設(shè)置為4×4×4.
LaPO4晶體屬于單斜相晶系P21/N空間群,ScPO4晶體屬于四方晶系I41/AMD空間群. 晶體結(jié)構(gòu)如圖1所示,(a)圖是LaPO4晶體結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)a=7.01126 ?,b=7.18059 ?,c=6.56379 ?. (b)圖是ScPO4晶體結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)a=6.65719 ?,b=6.65719 ?,c=5.79670 ?. 一個(gè)原胞中有二十四個(gè)原子,計(jì)算過(guò)程中選取的價(jià)電子組態(tài)分別為L(zhǎng)a-5s25p65d16s2、Sc-3s23p63d14s2、P-3s23p3、O-2s22p4.

圖1 晶體結(jié)構(gòu)圖:(a)LaPO4; (b) ScPO4Fig. 1 Crystal structure diagrams:(a)LaPO4;(b)ScPO4
圖2分別給出了LaPO4和ScPO4禁帶附近能帶結(jié)構(gòu)的片段和電子態(tài)密度. (a)圖為L(zhǎng)aPO4能帶圖,選取-3~7 eV能量區(qū)間,從圖中可以看出LaPO4的能帶帶隙為5.646 eV,比實(shí)驗(yàn)值(7.8 eV)要小[19]. (b)圖為ScPO4能帶圖,選取-3~7 eV能量區(qū)間,從圖中可以看出ScPO4的能帶帶隙為4.531 eV,比實(shí)驗(yàn)值(7.2 eV)小[20]. 理論和實(shí)驗(yàn)帶隙的差別主要是由于交換關(guān)聯(lián)能的不連續(xù)性會(huì)導(dǎo)致低估了計(jì)算的帶隙. 計(jì)算和實(shí)驗(yàn)所得帶隙值的相對(duì)大小關(guān)系相同. (c)圖為L(zhǎng)aPO4電子態(tài)密度,從圖中可以分析出LaPO4晶體在費(fèi)米面至10 eV能量范圍內(nèi),主要由La-5d、P-3p貢獻(xiàn);在-10 eV到費(fèi)米面的能量范圍內(nèi),主要由P-3s、P-3p、O-2p以及少量的O-2s貢獻(xiàn);在-25 eV~-10 eV能量范圍內(nèi),主要由La-5p、P-3s、P-3p、O-2s 貢獻(xiàn);在-35 eV~-25 eV能量范圍內(nèi),主要由La-6s貢獻(xiàn). (d)圖為ScPO4電子態(tài)密度,從圖中可以分析出ScPO4晶體在費(fèi)米面至10 eV能量范圍內(nèi),主要由Sc-3d貢獻(xiàn);在-10 eV至費(fèi)米面的能量范圍內(nèi),主要由P-3s、P-3p、O-2p及少量的O-2s貢獻(xiàn);在-30 eV~-10 eV能量范圍內(nèi),主要由Sc-3p、P-3s、P-3p、O-2s貢獻(xiàn);在-50 eV~-30 eV能量范圍內(nèi),主要由Sc-4s貢獻(xiàn). 從圖中可以看出導(dǎo)帶部分,Sc-3d在ScPO4的貢獻(xiàn)峰值要比La-5d在LaPO4的貢獻(xiàn)峰值大,且所在的能量范圍更接近于費(fèi)米面,由此可見(jiàn),ScPO4的能帶帶隙比LaPO4的能帶帶隙窄與此有一定的關(guān)系.
光學(xué)性質(zhì)是可測(cè)量的宏觀物性,CASTEP從介電函數(shù)中計(jì)算光學(xué)性質(zhì),介電函數(shù)是光電子材料溝通微觀物理過(guò)程與晶體宏觀物性的媒介[21]:
ε(ω)=ε1(ω)+iε2(ω)
(1)
所有的光學(xué)常數(shù)都將從ε1(ω)和ε2(ω)中推導(dǎo)出來(lái),例如反射率R(ω)、吸收系數(shù)α(ω)等.
(2)
(3)
圖3是LaPO4和ScPO4的介電函數(shù)實(shí)部圖. 當(dāng)沒(méi)有入射光(光子能量為零)時(shí),對(duì)應(yīng)著靜介電常數(shù). 從圖中可以看出LaPO4的靜介電常數(shù)為1.92,ScPO4的靜介電常數(shù)為2.03. ScPO4的靜介電常數(shù)比LaPO4大. LaPO4有兩個(gè)主峰分別位于6.04 eV和19.79 eV附近,ScPO4有兩個(gè)主峰分別位于4.65 eV和30.82 eV附近. 在0 eV~15 eV區(qū)域ScPO4比LaPO4更快的到達(dá)峰值,且峰值比較大,體系極化能力較好;在15 eV~25 eV區(qū)域LaPO4有峰值,體系極化能力強(qiáng);在25 eV~40 eV區(qū)域,ScPO4有峰值,體系極化能力強(qiáng).
圖4是LaPO4和ScPO4的介電函數(shù)虛部圖. 介電函數(shù)的虛部對(duì)應(yīng)介質(zhì)光吸收的損失譜,它是描述光子在通過(guò)均勻介質(zhì)時(shí)能量損失情況的物理量. 從圖4可以看出,LaPO4有兩個(gè)主峰分別位于8.51 eV、20.65 eV處,ScPO4有兩個(gè)主峰分別位于6.39 eV、31.71 eV處. 在0 eV~15 eV區(qū)域,ScPO4先到達(dá)峰值,需要的能量較低,效果好;在15 eV~25 eV區(qū)域,LaPO4比ScPO4先到達(dá)峰值,且峰值大;在25 eV~40 eV區(qū)間,ScPO4有峰值,能夠發(fā)生能級(jí)躍遷的電子數(shù)目較多.
圖5為L(zhǎng)aPO4和ScPO4的反射光譜圖. 反射率表示光子在傳輸?shù)倪^(guò)程中的反射幾率. LaPO4明顯有兩個(gè)主峰分別位于光子能量為9.58 eV、22.14 eV處,且在22.14 eV處達(dá)到最大峰值,此時(shí)的反射系數(shù)最大,反射率最大,說(shuō)明此時(shí)的LaPO4使得光子的透過(guò)率明顯最小. ScPO4有兩個(gè)主峰分別位于9.24 eV、32.75 eV處. 在0 eV~15 eV區(qū)域,ScPO4對(duì)光子的反射能力最先達(dá)到峰值;在15 eV~30 eV區(qū)域,LaPO4對(duì)光子的反射能力最先達(dá)到峰值,且峰值大,反射效果好;在30 eV~40 eV區(qū)間,ScPO4對(duì)光子的反射能力比較好.

圖5 反射光譜Fig. 5 Reflectivity spectra
圖6為L(zhǎng)aPO4和ScPO4的吸收光譜圖. 吸收系數(shù)表示光子在介質(zhì)中單位傳播距離光強(qiáng)度衰減的百分比. 從圖6可以看出,LaPO4有兩個(gè)主峰分別位于9.20 eV、21.12 eV處,且在21.12 eV達(dá)到最大值,此時(shí)的吸收系數(shù)最大,吸收率最大. ScPO4有兩個(gè)主峰分別位于7.28 eV、32.05 eV處,且到達(dá)最大峰值所需要的能量比LaPO4高. 通過(guò)對(duì)比,在0 eV~15 eV區(qū)域,ScPO4先達(dá)到峰值;在15 eV~30 eV區(qū)間LaPO4的吸收率明顯比ScPO4的高很多,使得能級(jí)間躍遷的電子數(shù)目多,吸收效果比較好;在30 eV~40 eV區(qū)間ScPO4的吸收率很高,使得能級(jí)間躍遷的電子數(shù)目多,吸收效果好.

圖6 吸收光譜Fig. 6 Absorption spectra
本論文采用基于密度泛函理論的第一性原理贗勢(shì)平面波方法,對(duì)比研究LaPO4和ScPO4的能帶結(jié)構(gòu)、電子態(tài)密度及光學(xué)性質(zhì). 結(jié)果表明:(1)ScPO4的帶隙寬度比較窄,光子的躍遷強(qiáng)度大,電子從價(jià)帶向?qū)Ъぐl(fā)所需要的能量比較小,這與Sc-3d在導(dǎo)帶部分的貢獻(xiàn)有關(guān). (2)ScPO4的靜介電函數(shù)比LaPO4的靜介電函數(shù)大,體系的極化能力比較強(qiáng). (3)在光子能量為0 eV~15 eV區(qū)間,ScPO4比LaPO4先達(dá)到峰值;能量在15 eV~30 eV區(qū)間,LaPO4的光學(xué)性質(zhì)比較好;在30 eV~40 eV區(qū)間,ScPO4的光學(xué)性質(zhì)比較好.