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尺寸可控CsPbBrx微球的制備及其光學(xué)特性研究

2022-07-15 07:54:00夏力吳海霞施潤(rùn)宇陳敏杰陳洪龍張依琳楊慶林圳旭林澤文宋捷

夏力,吳海霞,施潤(rùn)宇,陳敏杰,陳洪龍,張依琳,楊慶,林圳旭,林澤文,宋捷

(韓山師范學(xué)院 材料科學(xué)與工程學(xué)院,廣東 潮州 521041)

全無(wú)機(jī)銫鉛鹵鈣鈦礦(CsPbX3,X=Cl,Br,I)材料作為一種新型發(fā)光材料,具有高熒光量子產(chǎn)率、可調(diào)發(fā)光波長(zhǎng),窄發(fā)射譜線等優(yōu)點(diǎn),非常有望實(shí)現(xiàn)高效光發(fā)射、高色域覆蓋和高色彩純凈度,在顯示、照明、發(fā)光二極管、激光器等方面展示出巨大的應(yīng)用價(jià)值,使得CsPbX3材料在發(fā)光領(lǐng)域成為極具競(jìng)爭(zhēng)力的材料之一[1-5].近十年來(lái),CsPbX3材料的研究主要集中于納米尺度(CsPbX3量子點(diǎn)、CsP‐bX3納米線等),且在該體系已實(shí)現(xiàn)高效的光熒光發(fā)射和光增益[6-8].盡管鈣鈦礦納米激光器的研究已取得非常大的進(jìn)步,然而較高的激光器激射閾值嚴(yán)重制約其在器件中的應(yīng)用,這主要是由于其內(nèi)部過(guò)大的光損耗.近年來(lái),CsPbX3微球晶體由于其高品質(zhì)、低閾值、激射波長(zhǎng)可調(diào)的單模激光輸出特性,日益受到關(guān)注[9-11].Tang等人利用氣相傳輸冷凝技術(shù)制備不同鹵族元素的亞微米尺度CsPbX3微球,獲得高品質(zhì)因子(Q值:~6 100)且激射波長(zhǎng)可調(diào)的單模激光輸出[9].此外,相比于CsPbX3量子點(diǎn)薄膜等增益介質(zhì)材料,CsPbX3微球晶體球體本身形成的回音壁(WGM)微腔模式,光波在內(nèi)部以連續(xù)全反射進(jìn)行傳播,能夠降低光在內(nèi)部傳輸?shù)膿p耗,從而增強(qiáng)其熒光發(fā)射.

利用高溫化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)制備CsPbBrx微球,研究通入Ar 流量對(duì)微球尺寸調(diào)控和發(fā)光特性的影響.利用XRD 和EDS 圖譜對(duì)制備CsPbBrx微球材料的物相結(jié)構(gòu)和元素組分進(jìn)行分析.實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,CsPbBrx微球的尺寸隨著通入Ar 流量的提高逐漸增大,其相結(jié)構(gòu)未發(fā)生明顯變化.光熒光光譜表明,隨著通入Ar 流量的提高,樣品的發(fā)光峰位逐漸紅移,并在CsPbBrx微球觀測(cè)到垂直腔面的放大自發(fā)輻射.

1 實(shí)驗(yàn)

利用高溫化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),分別取50 mg 和100 mg 的CsBr 和PbBr2粉末(99.999%,西安寶萊特光電科技有限公司)作為前驅(qū)體放入石英舟中制備CsPbBrx微球,將CsBr 粉末放置于管式爐的加熱中心,PbBr2粉末放置于距離管式爐的加熱中心上游4 cm 處,將表面濺射40 nmAg 薄膜的單晶硅襯底放置于管式爐的下游,距其加熱中心50 cm.利用機(jī)械泵對(duì)管式爐抽取真空,然后通入流量分別為40、100和200 sccm 的高純Ar,對(duì)應(yīng)樣品編號(hào)為S40、S100和S200,管式爐加熱溫度為630 ℃,加熱時(shí)間為30 min,生長(zhǎng)完成后待管式爐自然冷卻至室溫,如圖1 所示.利用Hitachi SU5000 熱場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(搭配Bruker EDS QUANTAX)對(duì)制備CsPbBrx微球材料的形貌和元素組分進(jìn)行表征分析.利用Rigaku MiniFlex 600 X 射線衍射儀對(duì)CsPbBrx微球材料的X 射線衍射(XRD)圖譜進(jìn)行測(cè)試.通過(guò)搭配Kimmon 325 nm He-Cd 激光器的HORIBA LabRAM HR Evolution 拉曼光譜儀微區(qū)發(fā)光測(cè)試系統(tǒng)對(duì)CsPbBrx微球的光致發(fā)光光譜進(jìn)行測(cè)試.

圖1 高溫化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備CsPbBrx微球示意圖

2 結(jié)果與分析

圖2為不同Ar流量制備CsPbBrx微球的SEM照片.從圖2可以發(fā)現(xiàn),隨著通入Ar流量由40 sccm提高至200 sccm,襯底表面CsPbBrx微球的分布密度逐漸增大.當(dāng)通入Ar流量為40 sccm 時(shí),CsPbBrx微球的尺寸在300 nm~400 nm 左右.隨著通入Ar流量逐漸提高,CsPbBrx微球的尺寸逐漸增大.當(dāng)Ar流量提高至200 sccm,CsPbBrx微球的尺寸在800 nm~1 000 nm 左右.以上結(jié)果表明,通過(guò)調(diào)控CVD 系統(tǒng)通入Ar流量的大小能夠?qū)崿F(xiàn)CsPbBrx微球的尺寸調(diào)控.

圖2 不同Ar流量制備CsPbBrx微球的SEM照片

為了進(jìn)一步研究CVD 制備CsPbBrx微球的生長(zhǎng)機(jī)制,利用XRD 和EDS 圖譜對(duì)制備CsPbBrx微球材料的物相結(jié)構(gòu)和元素組分進(jìn)行分析.由圖3 可知,樣品的CsPbBr3微球的衍射峰未隨著通入Ar 流量的提高而發(fā)生明顯變化.所有樣品的衍射峰位 置 分 別 在21.5o,30.72o,34.2o,37.89o,44.04o對(duì)應(yīng)正交相CsPbBr3的{110},{002},{210},{211},{001}晶 面,其JCPDF 卡 片對(duì)應(yīng)編號(hào)為JCPDF #01-072-7929[12];其衍射峰的位置分別在18.62o, 21.70o,23.63o,30.65o,33.94o,42.82o對(duì)應(yīng)正交相PbBr2的 {020}, {120}, {111}, {211},{031},{022}晶面,其ICSD 卡片對(duì)應(yīng)編號(hào)為01-084-1181[12].以上結(jié)果表明,所制備的CsPbBrx微球材料主要存在兩個(gè)物相結(jié)構(gòu),分別為正交相CsPbBr3和正交相PbBr2.由圖4(a)可知,當(dāng)通入Ar 流量為40 sccm 時(shí),CsPbBrx微 球 的Cs、Pb 和Br 組分比例分別為1.36%、52.34% 和46.30%.隨著通入Ar 流量的逐漸提高,CsPbBrx微球中Br 的組分比例逐漸提高,相反地,Pb 與Cs 組分比例逐漸減小.當(dāng)通入Ar 流量為200 sccm 時(shí),CsPbBrx微球的Br 組分比例提高至67.18%,而Pb 與Cs 組分比例分別減小至32.24%和0.58%,該結(jié)果表明所制備的樣品的相結(jié)構(gòu)以富Pb的CsPbBr3相為主.此外,圖4(b)-(f)為樣品S100的EDS圖譜和Cs、Pb和Br元素組分mapping照片,上述結(jié)果表明CsPbBrx微球的Cs、Pb、Br元素的整體分布較為均勻.

圖3 不同Ar流量制備CsPbBrx微球的XRD圖譜

圖4 (a)不同Ar流量制備CsPbBrx微球的Cs、Pb和Br元素組分,

在激光375 nm 激發(fā)下,不同Ar流量制備CsPbBrx微球的室溫發(fā)光光譜如圖5所示.樣品在可見(jiàn)光波段450~600 nm 表現(xiàn)出較強(qiáng)的綠光發(fā)射特性.隨著通入Ar 流量由40 sccm 提高至200 sccm,樣品的發(fā)光峰位由507 nm 紅移至514 nm,這主要是由CsPbBrx微球的量子限制效應(yīng)引起的.進(jìn)一步對(duì)CsPbBrx微球的激射特性進(jìn)行研究,利用微區(qū)光譜測(cè)試系統(tǒng)通過(guò)改變325 nm 激發(fā)光的功率密度對(duì)CsPbBrx微球的發(fā)光光譜進(jìn)行測(cè)試,如圖6 所示,當(dāng)激發(fā)光功率密度為100 mW/cm2時(shí),微球在可見(jiàn)光波段450~600 nm 表現(xiàn)出較強(qiáng)的綠光發(fā)射,其發(fā)光中心峰位位于510 nm 左右;隨著激發(fā)光功率的逐漸提高,其發(fā)光強(qiáng)度顯著增強(qiáng).當(dāng)激發(fā)光功率密度提高至460 mW/cm2時(shí),其發(fā)光光譜在525 nm 附近出現(xiàn)一個(gè)小肩峰,有趣地是,隨著激發(fā)光功率的提高,在525 nm 附近的肩峰的強(qiáng)度快速增強(qiáng),且光譜的半高寬由30 nm減小至10 nm;以上結(jié)果表明,在CsPbBrx微球獲得垂直腔面的放大自發(fā)輻射,其激發(fā)閾值為460 mW/cm2.

圖5 不同Ar流量制備CsPbBrx微球的發(fā)光光譜

圖6 Ar流量為100 sccm制備CsPbBrx微球的發(fā)光強(qiáng)度隨激發(fā)功率密度的變化

3 結(jié)論

利用高溫化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)制備CsPbBrx微球,研究通入Ar流量對(duì)微球尺寸調(diào)控和發(fā)光特性的影響.利用XRD和EDS圖譜對(duì)制備CsPbBrx微球材料的物相結(jié)構(gòu)和元素組分進(jìn)行分析.實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,隨著通入Ar 流量由40 sccm提高至200 sccm,CsPbBrx微球的尺寸逐漸增大,其相結(jié)構(gòu)未發(fā)生明顯變化.此外,光熒光光譜表明,隨著通入Ar 流量的提高,樣品的發(fā)光峰位由507 nm 紅移至514 nm,并在激發(fā)閾值為460 mW/cm2條件下獲得CsPbBrx微球垂直腔面的放大自發(fā)輻射.

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