陳品雄 ,羅聰 ,徐林
(1.貴州煤田地球物理勘探有限責任公司, 貴州 貴陽 550014;2.貴州省煤田地質局一七四隊, 貴州 貴陽 550014)
貴州山區,尤其是黔北地區的煤系地層上覆長興組地層及玉龍山組為灰巖地層,下覆茅口組為灰巖地層,灰巖的巖溶、巖體節理裂隙、構造等是礦山開采的重要致災因素。多數礦井開采深度為200~600 m,隨著開采深度增加,直流電阻率法探測煤礦水害已經不能滿足要求;而瞬變電磁法在貴州山區受地形起伏及植被影響,大發射框施測難度大、效率低。可控源音頻大地電磁法(CSAMT)具有探測深度大、工作效率高、抗干擾性強、受地形影響相對較小、設備相對輕便和橫向分辨率高等特點,將成為貴州山區煤礦水害勘探的重要方法[1-5]。
可控源音頻大地電磁法(CSAMT)是在大地電磁法(MT)、音頻大地電磁法(AMT)為基礎發展起來的方法,其采用人工源,提高了信號強度,但由于低頻數據的非平面波效應導致的近場效應,過渡帶數據產生低谷,近場區數據陡升,使低頻數據不能正常反映深部電性特征[6-8]。本文以黔北地區新田井田可控源音頻大地電磁測深數據為基礎,針對CSAMT低頻數據進行近場校正分析處理,以期達到充分利用低頻數據的目的[9-10]。
一般以長度為1~2 km接地導線向地下發送不同頻率的交變電流形成交變電磁場,觀測磁場振幅Hy和電場振幅Ex。根據Cagniard(卡尼亞)公式求得地下介質的視電阻率和阻抗相位:

式中,ρs為視電阻率,Ω·m;f為發射頻率,Hz;Ex為x方向的電場強度,Ⅴ/m;Hy為y方向的磁場強度,A/m;φ為阻抗相位;φE表示電場相應;φH表示磁場相伴。
CSAMT法探測的深度與大地電阻率和信號頻率有關,估算有效深度H的近似公式為:

式中,H為探測深度,m;σ為趨膚深度,m;ρ為大地電阻率,Ω·m。
由式(3)可知,當大地電性結構一定時,通過轉換收發電磁信號的頻率可測到不同深度的地電信息,從而達到勘探目標地質體的目的。
因為采用人工源,接收機靠近場源(采集低頻數據)時,收發距r不能遠遠大于趨膚深度,電磁波為非平面波,不滿足平面波垂直地面的假設條件,利用卡尼亞公式計算得到的視電阻率及阻抗相位會發生畸變,表現為過渡區出現低谷,近場區低頻段視電阻率以近45°陡升,阻抗相位下降趨于0,遠場區以外數據不適合理論公式。近場區電場與磁場完全飽和且磁場按照1/r2衰減;遠場區電場與磁場水平分量按照1/r3衰減。在近場區與過渡區曲線形態無法用MT或AMT方法進行解釋,限制了低頻段數據的使用。


Kn在近場時為常數 0.63,Kf在遠場時為常數1。根據實際f,r和測定的值,可以把研究區分為遠場區、近場區及過渡區。
在遠場區,因為Kf=1,表明式(4)與式(1)相同,而在近場區和過渡區則必須用Kf和Kn系數進行校正。
研究區地層出露地層有:三疊系下統夜郎組玉龍山段上部(灰巖)、三疊系下統夜郎組九級灘段下部(粉砂巖、泥巖)及第四系。未出露地層有三疊系下統夜郎組玉龍山段下部(灰巖)、沙堡灣段(主要為泥巖)、二疊系上統長興組(灰巖)、龍潭組(含煤地層,主要由薄至中厚層狀粉砂巖、粉砂質泥巖、泥質粉砂巖、泥巖及少量細砂巖組成)及下統茅口組(灰巖)。
研究區斷裂和巖溶發育。T1y2含水層富水性強,部分區域直接裸露地表,沿節理密集帶在T1y2含水層發育呈南北延伸的溝谷,沿溝谷形成季節性地表溪流,雨季溝谷中地表溪流在徑流過程中多沿落水洞集中注入地下,成為T1y2地下水的補給來源。
主采煤層M4與P3c-T1y2含水層間隔水巖層厚度小于礦井頂板冒落導水裂隙帶高度,未來開采過程中,P3c-T1y2巖溶地下水將通過裂隙或斷層帶進入礦井,造成礦坑涌水,特別是暴雨期間,大量地表水可能通過落水洞涌入礦坑,造成礦坑突水。P2m灰巖若存在巖溶裂隙發育,其對后續煤礦開采龍潭組底部煤層會造成水患威脅。研究區位于F5正斷層附近。F5正斷層位于井田西南部蒙家寨-梨子沖一帶,長3.2 km,走向NE35°~45°,傾向SE,傾角為71°,地表出露清楚,落差30 m左右。
通過對研究區及附近區域進行野外踏勘和調查,研究區無采掘活動。結合該區地層及地層產狀情況,地表泉點、巖溶、構造發育情況,研究區主要水患(富水區)為 F5正斷層和 T1y2、P3c、P2m灰巖內形成的巖溶裂隙。
結合研究區附近鉆孔的測井視電阻率曲線資料,將工區內地層視電阻率進行了統計,統計結果見表1。

表1 研究區附近鉆孔巖心視電阻率測量統計
本次 CSAMT探測布置一個發射源,長度為1990 m,收發距為8.25~8.65 km(大于探測深度10倍),接收偶極矩為20 m。采用標量測量方式。
圖1為1號測線10 m、130 m、230 m測點卡尼亞電阻率和阻抗相位曲線,雖然1號測線收發距為 8.65 km,但從曲線可以看出近場效應明顯。卡尼亞電阻率阻抗相位曲線均比較圓滑,未出現明顯畸變點,在低頻200~50 Hz左右,卡尼亞電阻率明顯進入低谷,尾部明顯升高;阻抗相位在200 Hz左右出現最高點,低頻衰減逐漸趨近于0。200~50 Hz明顯進入過渡帶低谷,50 Hz以后明顯進入近場區。表明在高頻區域(遠場區),卡尼亞視電阻率能夠客觀地反映出地電斷面的垂向變化;但在過渡區和近場區,電場和磁場衰減的強度變化不一致,卡尼亞視電阻率不能正確反映地電斷面變化情況。

圖1 1號測線10 m、130 m、230 m測點卡尼亞電阻率和阻抗相位曲線
圖2為1號測線10 m、130 m、230 m點位實測卡尼亞電阻率和近場校正后視電阻率曲線。近場校正后遠區(高頻段)無變化,過渡帶低谷消失,近場區低頻曲線不再陡升。表明近場校正效果良好,較好地解決了過渡帶及近場引起曲線畸變的問題。

圖2 1號測線10 m、130 m、230 m測點實測卡尼亞電阻率曲線(黑色)和近場校正后視電阻率曲線(藍色)
圖3為1號測線二維反演電阻率剖面圖(橫縱比例為1:5)。從電阻率剖面可以看出,T1y3地層整體呈相對低阻,符合砂巖和泥巖電性特征;T1y2地層呈相對高阻,符合灰巖電性特征;P2m地層整體呈相對高阻,符合灰巖電性特征;P3l地層呈相對低阻,符合粉砂巖、泥巖、煤層電性特征;尤其T1y1、P3c呈相對低阻(泥巖)—高阻(灰巖)薄互層,電性特征反應不明顯。表明CSAMT在縱向對高阻及低阻地層分辨率均較好;由于厚度關系,對薄層高阻或低阻互層反應不明顯。
F5斷層為正斷層,傾角為71°,斷距約31 m,出露明顯。在圖3上顯示上盤為相對高阻,下盤為相對低阻,推斷下盤發育破碎帶發育,F5斷層電性特征反應明顯。

圖3 1號測線二維反演電阻率剖面
據圖3推斷巖溶發育范圍6個,均呈相對低阻。T1y2地層發育4個,編號I至Ⅳ;P3c地層發育1個,編號Ⅴ;P2m地層發育1個,編號Ⅵ。該區域無煤層露頭,煤層埋深,據調查該區域未發生過煤層采掘活動,無采空區。
圖4為2號測線二維反演電阻率剖面圖(橫縱比例為1:5)。各地層電性特征與1號測線相似,表明CSAMT整體對高阻及低阻的地層均反應明顯,對高低阻互層的薄地層反應不明顯,對橫向上 F5斷層反應明顯。

圖4 2號測線二維反演電阻率剖面
據圖4推斷巖溶發育范圍9個,均呈相對低阻。T1y2地層發育6個,編號I至Ⅵ;P3c地層發育1個,編號Ⅶ;P2m地層發育2個,編號Ⅷ和Ⅸ。該區域無煤層露頭,煤層埋深,據調查該區域未發生過煤層采掘活動,無采空區。P2m地層發育較1號測線偏低,根據研究區附近302號鉆孔,茅口灰巖發育裂隙及溶蝕,表明測線2區段巖溶裂隙較為發育。
根據以上兩個剖面特征:表明通過近場校正后,CSAMT在縱向對高阻及低阻地層分辨率均較好;由于厚度關系,對薄層高阻或低阻互層反應不明顯。F5斷層斷距30 m,從淺部至深部均反應明顯,表明通過近場校正后,CSAMT在橫向上從淺部至深部均有良好的分辨率。兩條測線共推斷的巖溶發育位置15個,其橫向大小為15~30 m,表明通過近場校正后,可控源音頻大地電磁法橫向上區分巖溶異常也具有良好的效果。
(1)對數據進行近場校正,近場校正后遠場區(高頻段)無變化,過渡度帶低谷消失,近場區低頻曲線不再陡升。近場校正效果良好,較好地解決了過渡帶及近場引起曲線畸變的問題。
(2)對部分剖面進行分析,表明通過近場校正后,CSAMT在縱向對地層分辨率較好,其結果與測井曲線統計的視電阻率吻合度好;CSAMT對斷層具有良好的分辨率,對巖溶異常也具有良好的地響應效果。
(3)通過實測資料,可控源音頻大地電磁在按測量10倍深度選擇收發距時近場效應相當明顯,對其低頻數據進行近場校正處理提取并應用十分有必要。通過對實測資料近場校正處理后,能很好地反映深部地層及富水區的異常特征,表明視電阻率數據相當于遠區視電阻率數據,提高了 CSAMT深部低頻數據的可靠利用程度,能更好地服務于貴州山區礦山復雜地質條件下的的深部防治水工作。