*葉甜甜 林海峰 李彬
(1.青島科技大學化學與分子工程學院 山東 266042 2.青島科技大學材料科學與工程學院 山東 266042)
硅鋁磷酸鹽分子篩(SAPO-34)是由硅、鋁和磷三個主要元素組成的沸石[1-4]。其晶體結構與菱硼鎂石相似,屬于CHA結構,規則排列的籠狀物形成三維通道[5-7]。SAPO-34晶體具有很高的水熱穩定性,其特殊的八元環孔結構可以有效抑制芳烴的形成,SAPO-34是甲醇或二甲醚(DME)到輕烯烴工藝(MTO和DMTO)的首選催化劑,相比ZSM-5沸石具有優異的性能[8-11]。因此,需要開發一種綠色、高效、低成本的SAPO-34分子篩合成策略[12],對大規模工業生產具有重要指導意義[13-15]。Sun等[16]使用有機硅烷N-[3-(三甲氧基硅基)丙基]乙二胺(TPED)作為成孔劑,合成了由立方晶體組成的分層SAPO-34沸石。Zhou等[17]以四乙基氫氧化銨(TEAOH)和C4H9NO(MOR)為復合模板,添加十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)作為介孔劑和晶體生長抑制劑,采用水熱法合成了疊層球形分級SAPO-34沸石。這些合成方法都避免不了有機模板的加入,成本高且造成水的污染。近年來,肖豐收等人[18]報道了通過固相研磨固態轉晶的方法成功制備了SAPO-34沸石。與傳統的溶劑熱合成相比[19-21],該合成路線污染小、能耗低、收率高,工藝簡單。更重要的是能直接合成分級結構而不需要大量模板劑。但是,其合成影響因素如硅鋁比、模板劑用量對SAPO-34沸石結晶性和形貌的影響,并未詳細研究報道。
本文利用無溶劑法合成了SAPO-34分子篩,充分考量了硅鋁比、模板劑用量等前驅體的用量配比對產物結晶的影響。同時,探究了二氧化硅廢料合成SAPO-34分子篩的最優條件,為降低成本綠色合成SAPO-34分子篩打下了良好的基礎。
嗎啉C4H9NO(AR,98%)購買于阿拉丁公司。二氧化硅廢料來自于青島美高集團,擬薄鋁石(AR,>98%)購買于淄博百大有限公司,磷酸二氫銨(質量分數為25%)來自于肯特催化材料有限公司,所有化學試劑使用前均沒有經過純化。
反應過程中不涉及溶劑的條件下制備SAPO-34分子篩,其中擬薄水鋁石、NH4H2PO4和堿性二氧化硅廢料(分別作為鋁源、磷源和硅源,C4H9NO為結構導向劑,初始物料摩爾配比為:xSiO2:1.0Al2O3:yP2O5:zC4H9NO)。實驗過程如下(圖1):首先將鋁源、磷源和硅源按一定物質的量放入瑪瑙研缽中混合均勻,研磨的同時,將一定量的有機模板劑C4H9NO滴加到反應混合物中,研磨30min,使反應前驅體能夠充分混合相互作用;然后將研磨完成的樣品快速轉移到水熱反應釜中,把釜放入烘箱在180℃的條件下結晶24h;待反應結束后將反應釜取出降至室溫,樣品用去離子水抽濾洗滌至中性,再將樣品放入烘箱在80℃下干燥12h;最后,將樣品置于馬弗爐中煅燒,以2℃/min的升溫速度從常溫升至550℃,恒溫保持6h以除去殘留的C4H9NO,得到SAPO-34分子篩樣品。

圖1 SAPO-34沸石的制備流程
X射線衍射(XRD)測試:利用Rigaku D-MAX 2500/PC X射線衍射儀獲取SAPO-34分子篩的晶向譜圖,通過使用Cu Kα輻射在40kV和150mA下測量,掃速為10°/min,范圍5°~50°。電子掃描電鏡(SEM)圖像在Regulus 8100顯微鏡測試,工作電壓為5kV。透射電鏡(TEM)分析,樣品透射電子顯微鏡(TEM)圖像在JEM-F200電子顯微鏡(JEOL,Japan)上進行。氮氣吸附-脫附測試使用ASAP2460-2吸附分析儀記錄N2吸附等溫線。;以高純氮氣為吸附質,以液氮(-196℃)為冷阱。操作步驟為:在573K真空脫氣10h,總表面積采用Brunner-Emmet-Teller(BET)法進行分析,總孔體積(Vtotal)基于相對吸附N2的量P/P0=0.99所得,孔徑分布曲線由NLDFT計算模型計算。
以擬薄水鋁石、NH4H2PO4、二氧化硅廢料分別作為鋁源、磷源、硅源,C4H9NO作結構導向劑,初始原料的摩爾配比為:0.6SiO2:1.0Al2O3:0.5P2O5:zC4H9NO,其中z依次為0.75、1.25、2.5、3.75,探究模板劑的加入量對SAPO-34分子篩結晶的影響。由XRD譜(圖2)可知,當模板加入配比為0.75時,SAPO-34分子篩的峰強度較低,說明其結晶度低。隨著增大模板劑的加入量,樣品XRD峰強度逐漸升高,當模板劑加入配比為2.5時,其峰強度達到最高,當模板加入配比繼續增大時,相應樣品的結晶度卻呈下降趨勢。模板劑含量小不足以驅動前驅體生成足量的晶核,因而結晶度較低。而過量的模板劑增大了反應體系的pH值,pH值過高會導致結晶產物溶解,從而降低產物的結晶度。

圖2 不同模板劑加入量合成樣品的XRD譜圖
固定以擬薄水鋁石為鋁源,NH4H2PO4為磷源和二氧化硅廢料作為硅源,C4H9NO作結構導向劑,通過調控二氧化硅廢料的加入量不同,調控SiO2/Al2O3摩爾比為依次為0.15、0.3、0.6、0.9,探究SiO2/Al2O3對SAPO-34結晶的影響。由圖3可知,當硅鋁比為0.15與0.3時,SAPO-34分子篩的特征峰強度較低,隨著SiO2/Al2O3的上升,所得樣品的峰強度隨之上升,當SiO2/Al2O3摩爾比為0.6時,峰強度已經達到最高值;但是當硅鋁比增加到0.9時,峰強度降低。這是由于前驅體中鋁過量,不適宜SAPO-34晶體成核生長,故而產物出現無定型結構,進而結晶度下降。

圖3 不同硅鋁比樣品的XRD對比譜圖
以擬薄水鋁石為鋁源,NH4H2PO4為磷源和二氧化硅廢料作為硅源,C4H9NO作結構導向劑,SiO2/Al2O3摩爾比為0.6,P2O5/Al2O3摩爾比為0.5時合成的SAPO-34分子篩,由其N2吸-脫附等溫線可知(圖4),相對壓力P/Po<0.1時,吸附曲線可以觀察到明顯的上升,說明SAPO-34分子篩具有典型的微孔結構,在P/P0>0.05時出現滯后回線,說明樣品中存在少量介孔,這些介孔通常源自顆粒堆積造成的晶間介孔。圖4(B)為SAPO-34分子篩的NLDFT孔徑分布曲線,SAPO-34分子篩的微孔主要分布0.9nm左右。SAPO-34分子篩的比表面積為448m2/g,總孔體積為0.30cm3/g。

圖4 SAPO-34的N2吸-脫附曲線(A)與孔徑分布圖(B)
以擬薄水鋁石為鋁源,NH4H2PO4為磷源和二氧化硅廢料作為硅源,C4H9NO作結構導向劑,SiO2/Al2O3摩爾比為0.6,P2O5/Al2O3摩爾比為0.5時合成的SAPO-34分子篩,圖5(a)為樣品的掃描電鏡圖像,所得樣品具有規則的六面體形貌,同時表面有無序的介孔存在和圖5(b)。圖5(c)是SAPO-34分子篩的TEM圖像,所得樣品每個面為規則的四邊形。圖5(d)為SAPO-34分子篩的粒徑分布圖,SAPO-34的平均粒徑為2.75。

圖5 樣品SAPO-34的SEM圖像(a,b)、TEM圖像(c)與粒度分布(d)
本文通過無溶劑固相反應的方法,制備了SAPO-34分子篩,詳細考察了硅鋁比、模板劑用量等因素對產物結晶的影響。確定了以擬薄水鋁石為鋁源,NH4H2PO4為磷源和二氧化硅廢料作為硅源,C4H9NO作為結構導向劑,SiO2/Al2O3摩爾比為0.6,P2O5/Al2O3摩爾比為0.5時合成的SAPO-34分子篩為最佳,由二氧化硅廢料制備的SAPO-34分子篩比表面積達到448m2/g,總孔體積為0.30cm3/g。二氧化硅廢料的再利用為實現綠色合成SAPO-34分子篩提供了理論基礎。