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MoS2/Cd2SnO4復(fù)合材料的制備及其氣敏性能

2022-12-06 06:29:44鮑思潔儲(chǔ)向峰梁士明王春水白玉瑩
關(guān)鍵詞:復(fù)合材料實(shí)驗(yàn)檢測(cè)

卜 鑫 鮑思潔 儲(chǔ)向峰*, 梁士明 王春水 白玉瑩

(1安徽工業(yè)大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院,馬鞍山 243032)

(2臨沂大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,臨沂 276005)

0 引言

甲醛是常見室內(nèi)污染氣體之一,顏色透明且具有刺激性氣味。在2004年,甲醛被國際癌癥研究機(jī)構(gòu)(IARC)認(rèn)定為第一類人類致癌物[1]。當(dāng)人類在甲醛濃度超過0.08μL·L-1的室內(nèi)環(huán)境中停留超過30 min,甲醛氣體會(huì)對(duì)人體的呼吸系統(tǒng)、肺部以及免疫系統(tǒng)產(chǎn)生嚴(yán)重的損害[2-3]。因此,對(duì)低濃度的甲醛進(jìn)行實(shí)時(shí)有效地監(jiān)測(cè)具有重要意義。與半導(dǎo)體氣體傳感器法相比較,目前常用來檢測(cè)揮發(fā)性有機(jī)氣體的分光光度法[4]、氣相色譜法[5]、電化學(xué)傳感器法[6]具有操作復(fù)雜、成本高和不能實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)等問題,這些問題限制了這些檢測(cè)方法在實(shí)際生活中的應(yīng)用。半導(dǎo)體氣體傳感器具有便攜、操作簡(jiǎn)單以及檢測(cè)成本低等優(yōu)點(diǎn),被廣泛地應(yīng)用在氣敏檢測(cè)領(lǐng)域[7-8]。Li等[9]使用水熱法成功制備了NiO納米線,其在200℃對(duì)濃度為100μL·L-1的甲醛氣體的靈敏度為12.0,最低檢測(cè)限僅為5μL·L-1。Meng等[10]利用水熱法成功制備了具有空心微球結(jié)構(gòu)的CuO材料,該材料在300℃時(shí)對(duì)濃度為100μL·L-1的甲醛氣體靈敏度為3.2,最低檢測(cè)限為5 μL·L-1。Wang等[11]采用溶液法制備了中空管狀Co3O4納米材料,該材料在180℃時(shí)對(duì)濃度為50μL·L-1的甲醛氣體靈敏度為6.3,最低檢測(cè)限為5μL·L-1。雖然金屬氧化物對(duì)于甲醛氣體都具有靈敏度,但是它們對(duì)于甲醛氣體的最低檢測(cè)限都高于所允許的室內(nèi)最高甲醛濃度。因此尋找能夠檢測(cè)室內(nèi)低濃度甲醛氣體敏感材料是當(dāng)前研究的熱點(diǎn)之一。近年來,多元氧化物因其優(yōu)異的光學(xué)和電學(xué)特性主要被應(yīng)用于光催化、太陽能儲(chǔ)能和電化學(xué)領(lǐng)域[12-14],但作為半導(dǎo)體氣體傳感器的材料也擁有一定的潛力。如Sa等[15]采用微波加熱法制備了ZnSnO4納米材料,由氣敏實(shí)驗(yàn)得該材料在最佳工作溫度為350℃時(shí)對(duì)濃度為100μL·L-1的三乙胺氣體的靈敏度為57.5,并且響應(yīng)時(shí)間較短,僅有4 s。Wang等[16]利用了二嵌段共聚物模板法成功制備了CdIn2O4薄膜,實(shí)驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn)該材料在100℃時(shí)對(duì)濃度為100μL·L-1的甲醛氣體的靈敏度為16.0,最低檢測(cè)限為10 μL·L-1。其中,Cd2SnO4作為一種特殊的多元金屬氧化物,擁有SnO2和CdO的優(yōu)異特性,如高電子遷移率(100 cm2·V-1·s-1)、低電阻率、熱穩(wěn)定性好等,然而目前關(guān)于Cd2SnO4材料在氣體傳感器領(lǐng)域的文獻(xiàn)報(bào)道較少。王彩虹等[17]利用水熱法制備了Cd2SnO4材料,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該材料在300℃時(shí)對(duì)100μL·L-1的三乙胺、乙醇以及丙酮3種氣體的靈敏度分別為16.9、14.1和12.1,其中對(duì)三乙胺氣體的最低檢測(cè)限為5μL·L-1。田豐收等[18]通過水熱法制備了Au-Cd2SnO4復(fù)合材料,在240℃時(shí)其對(duì)100μL·L-1丙酮?dú)怏w靈敏度為75.0,相比純Cd2SnO4材料的靈敏度提升了8倍。上述多元金屬材料作為氣敏材料擁有較高的靈敏度,但是仍然具有一定的提升空間,使用二維材料對(duì)多元金屬材料進(jìn)行摻雜是提高氣敏性能的方法之一。

二硫化鉬(MoS2)作為一種典型的n型半導(dǎo)體二維材料,具有比表面積大、電子遷移率高以及熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),被應(yīng)用在發(fā)光二極管、儲(chǔ)能器以及半導(dǎo)體氣體傳感器等領(lǐng)域[19-21]。研究者們發(fā)現(xiàn),MoS2材料的相鄰平面是通過范德華力相互作用結(jié)合在一起,弱的范德華力會(huì)使得氣體分子在層與層之間自由滲透和擴(kuò)散,使MoS2材料的電導(dǎo)率發(fā)生變化,從而最終導(dǎo)致由單一MoS2材料制成的氣體傳感器的氣敏性能不穩(wěn)定[22-23]。將適量的MoS2與金屬氧化物進(jìn)行復(fù)合,既可以改善單一MoS2材料作為氣體敏感材料性能不穩(wěn)定的情況,也可以獲得更高的靈敏度,在先前的文獻(xiàn)中有報(bào)道。Ikram等[24]利用聲化學(xué)和低溫水熱法制備了In2O3-MoS2復(fù)合材料,其在室溫下對(duì)于100 μL·L-1的NOx的靈敏度為10.1,比純In2O3材料的靈敏度相比提升了近5倍。Zhang等[25]使用兩步水熱法制備了CeO2-MoS2復(fù)合材料,在室溫條件下其對(duì)濃度為50μL·L-1的乙醇?xì)怏w的靈敏度為7.9,比純MoS2材料的靈敏度提升近8倍。Sharam等[26]采用直流磁控濺射法成功制備了異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的n-MoS2-p-CuO納米材料,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明n-MoS2-p-CuO對(duì)氨氣的靈敏度是MoS2材料靈敏度的2倍,對(duì)氨氣濃度的最低檢測(cè)限可以達(dá)到5μL·L-1。

我們通過水熱-煅燒法制備Cd2SnO4,之后通過超聲混合法得到一系列MoS2/Cd2SnO4復(fù)合材料。隨后對(duì)純Cd2SnO4和一系列MoS2/Cd2SnO4復(fù)合材料分別進(jìn)行氣敏性能測(cè)試,測(cè)試結(jié)果表明當(dāng)工作溫度為170℃時(shí),MoS2對(duì)Cd2SnO4質(zhì)量比為2.5%的材料(2.5% MoS2/Cd2SnO4)對(duì)于100 μL·L-1甲醛氣體的靈敏度為40.0,是純Cd2SnO4材料靈敏度的29倍,最低檢測(cè)限為0.1 μL·L-1。

1 實(shí)驗(yàn)部分

1.1 試 劑

實(shí)驗(yàn)過程中使用的化學(xué)試劑均為分析純并且在使用過程中沒有進(jìn)一步純化。Cd2(NO3)2·4H2O購自上海薩恩化學(xué)技術(shù)有限公司。SnCl4·5H2O購自上海阿拉丁試劑有限公司。MoS2分散液(0.1 mg·mL-1)購自南京先鋒納米材料科技有限公司。NaOH和無水乙醇均購自國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司。實(shí)驗(yàn)過程中使用的去離子水為實(shí)驗(yàn)室自制(實(shí)驗(yàn)室超純水機(jī),上海和泰儀器有限公司)。

1.2 Cd2SnO4材料的制備

稱量 1.234 g的 Cd2(NO3)2·4H2O 和 0.720 g的SnCl4·5H2O放入到燒杯中,然后加入20 mL去離子水,磁力攪拌2 h得到均勻溶液,使用2 mol·L-1的NaOH溶液將溶液的pH值調(diào)節(jié)為9.5,然后將得到的懸濁液裝入50 mL水熱釜中,使其在170℃下保溫16 h。使用去離子水和無水乙醇將得到的產(chǎn)品分別洗滌3次,之后放入80℃的烘箱內(nèi)干燥12 h,研磨得到白色粉末。再將得到的白色粉末放入坩堝中,放置在馬弗爐中以5℃·min-1的升溫速率升至550℃保溫2 h,得到黃色Cd2SnO4粉末。

1.3 MoS2/Cd2SnO4復(fù)合材料的制備

量取質(zhì)量濃度為0.1 mg·mL-1的MoS2分散液1、1.5、2、2.5、3 mL,分別和稱取的0.1 g Cd2SnO4粉末加入到50 mL的燒杯,并加入25 mL的無水乙醇,攪拌2 h,再進(jìn)行超聲處理2 h。將超聲結(jié)束的懸濁液放在80℃的烘箱內(nèi)烘干12 h,得到MoS2/Cd2SnO4復(fù)合材料,根據(jù)MoS2對(duì)Cd2SnO4的質(zhì)量比,樣品分別標(biāo)記為M/1(1% MoS2/Cd2SnO4)、M/1.5(1.5% MoS2/Cd2SnO4)、M/2(2% MoS2/Cd2SnO4)、M/2.5(2.5% MoS2/Cd2SnO4)、M/3(3% MoS2/Cd2SnO4)。

1.4 表征儀器

采用Bruker D8 Advance型號(hào)的X射線衍射儀(XRD)來分析材料的組成,輻射源Cu Kα的波長(zhǎng)為0.154 18 nm,掃描范圍為 10°~80°,掃描速率為 15(°)·min-1,工作電壓為 40 kV,工作電流為 30 mA。采用Hitachi SU8010型掃描電鏡(SEM)來研究材料的表面形貌(加速電壓為15 kV)。采用Thermo Scientific K-Alpha型X射線光電子能譜儀(XPS)分析材料的元素組成(加速電壓為15 kV)。

1.5 半導(dǎo)體氣敏元件制作和氣敏性能實(shí)驗(yàn)

半導(dǎo)體氣敏元件的制作和氣敏性能實(shí)驗(yàn)與之前的實(shí)驗(yàn)工作相似[27]。稱取上述制備的MoS2/Cd2SnO4復(fù)合材料粉末,于研缽中進(jìn)行充分研磨。隨后加入適量的松節(jié)油透醇,將研磨好的漿狀物均勻涂抹在Al2O3管的外壁上,然后將Ni-Cr加熱絲穿插在氧化鋁管內(nèi),制成旁熱式氣敏元件。在實(shí)驗(yàn)過程中,通過調(diào)節(jié)加熱絲功率的大小,實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)過程中對(duì)元件工作溫度的調(diào)控。氣敏元件的靈敏度S的定義[28-29]:S=Ra/Rg,其中Ra是氣敏元件在空氣當(dāng)中的穩(wěn)定電阻,Rg是在被測(cè)氣體中的穩(wěn)定電阻。除研究相對(duì)溫度對(duì)氣敏性能影響的實(shí)驗(yàn)外,實(shí)驗(yàn)過程中所有測(cè)試材料的相對(duì)濕度(RH)都為55%。

2 結(jié)果與討論

2.1 材料的表征

圖1是Cd2SnO4和MoS2/Cd2SnO4復(fù)合材料的XRD圖,圖中Cd2SnO4衍射峰所對(duì)應(yīng)的位置與Cd2SnO4的標(biāo)準(zhǔn)卡(PDF No.80-1469)一致。其中位于27.48°、32.48°、33.82°、39.25°、51.73°和 56.72°處的衍射峰與 Cd2SnO4晶體的(220)、(311)、(222)、(400)、(511)和(440)晶面相對(duì)應(yīng),其中的(222)晶面歸屬于Cd2SnO4的立方相[30],證明Cd2SnO4材料的成功制備。隨著MoS2復(fù)合量的不斷增加,MoS2/Cd2SnO4衍射峰的強(qiáng)度呈現(xiàn)先減弱后增強(qiáng)的趨勢(shì),M/2的衍射峰最弱,并且MoS2/Cd2SnO4復(fù)合材料整體的衍射峰強(qiáng)度都低于Cd2SnO4衍射峰。具有寬帶隙的Cd2SnO4半導(dǎo)體材料與其他材料復(fù)合會(huì)引起其內(nèi)部的結(jié)晶度發(fā)生變化,原因可能是二維材料MoS2對(duì)于Cd2SnO4的晶體生長(zhǎng)有一定的抑制作用,但是摻雜過量的MoS2就會(huì)出現(xiàn)相反的效果[31-33]。

圖1 Cd2SnO4和MoS2/Cd2SnO4復(fù)合材料的XRD圖Fig.1 XRD patterns of Cd2SnO4 and MoS2/Cd2SnO4 composite materials

為了研究和觀測(cè)材料的形貌特征,對(duì)Cd2SnO4和M/2.5復(fù)合材料進(jìn)行了SEM分析。由圖2a和2b中可以看到,Cd2SnO4是由具有立方體形貌的結(jié)構(gòu)單元無序堆積而成,而這些呈現(xiàn)立方體形貌的結(jié)構(gòu)單元?jiǎng)t是由大量的顆粒有序堆積而成。圖2c和2d中出現(xiàn)了立方體形貌以及層狀形貌,立方體形貌歸屬于Cd2SnO4,層狀形貌則是MoS2,具有立方體形貌的結(jié)構(gòu)單元大小尺寸不同,都團(tuán)聚在層狀形貌的MoS2附近。圖2e~2i為M/2.5的能量色散X射線譜(EDS)元素分布圖,從圖中可以看出,M/2.5中的Cd、Sn、O、Mo、S元素呈均勻分布。

圖2 Cd2SnO4(a、b)和M/2.5(c、d)的SEM照片以及M/2.5的EDS元素分布圖 (e~i)Fig.2 SEM images of Cd2SnO4(a,b)and M/2.5(c,d),and EDS elemental mapping of M/2.5(e-i)

通過XPS來分析M/2.5復(fù)合材料的元素組成。圖3a是M/2.5的XPS總譜圖,由圖可知,該材料是由Cd、Sn、Mo、S和O元素組成。圖3b是Mo3d的譜圖,圖中結(jié)合能227.93和232.29 eV處分別對(duì)應(yīng)Mo4+3d5/2和Mo4+3d3/2,2個(gè)峰之間的能量差為4.36 eV,和文獻(xiàn)提到的帶隙能一致,表明了Mo以+4價(jià)的形式存在[24]。圖3c中Cd3d自旋-軌道分量峰分別位于404.25和411.70 eV,分別對(duì)應(yīng) Cd3d5/2和Cd3d3/2。此外,圖3d中出現(xiàn)的485.80和494.41 eV的2個(gè)峰對(duì)應(yīng)著Sn3d5/2和Sn3d3/2,表明Sn在復(fù)合材料中是以+4價(jià)存在[12]。圖3e顯示的是M/2.5的O1s的3個(gè)峰,分別對(duì)應(yīng)于復(fù)合材料表面的3種不同的氧離子,位于529.56和530.14 eV的2個(gè)峰對(duì)應(yīng)于材料表面的晶格氧O2-和吸附氧O-,位于531.26 eV的峰對(duì)應(yīng)羥基氧[34]。圖3f是Cd2SnO4的O1s譜圖,通過擬合可得529.42 eV對(duì)應(yīng)材料表面的晶格氧,530.17 eV對(duì)應(yīng)材料表面的吸附氧,而531.28 eV對(duì)應(yīng)的是羥基氧。因此,M/2.5的O1s中的晶格氧、吸附氧和羥基氧的特征峰相比于Cd2SnO4的O1s特征峰發(fā)生了輕微的偏移[35]。

圖3 M/2.5的XPS譜圖:(a)全譜,(b)Mo3d,(c)Cd3d,(d)Sn3d,(e)O1s;(f)Cd2SnO4的O1s的XPS譜圖Fig.3 XPS spectra of M/2.5:(a)survey,(b)Mo3d,(c)Cd3d,(d)Sn3d,(e)O1s;(f)XPS spectrum of O1s of Cd2SnO4

2.2 材料的氣敏分析

圖4 是Cd2SnO4和MoS2/Cd2SnO4復(fù)合材料(M/1、M/1.5、M/2、M/2.5、M/3)在不同工作溫度下對(duì)于 100μL·L-1甲醛氣體的靈敏度。當(dāng)工作溫度高于170℃時(shí),M/2.5對(duì)100μL·L-1甲醛氣體的靈敏度開始隨著溫度的升高而降低,說明該復(fù)合材料的最佳工作溫度為170℃。當(dāng)工作溫度為170℃時(shí),Cd2SnO4和M/1、M/1.5、M/2、M/2.5、M/3復(fù)合材料對(duì)于100 μL·L-1甲醛氣體的靈敏度分別為1.4、1.4、5.0、40.0、1.1、1.5,說明適量的MoS2與Cd2SnO4進(jìn)行復(fù)合可以獲得更高的靈敏度,可能原因是MoS2與Cd2SnO4納米結(jié)構(gòu)的協(xié)同效應(yīng)[36],較大的比表面積和層狀結(jié)構(gòu)提供了大量的活性位點(diǎn)從而導(dǎo)致了顯著的甲醛傳感性能。

圖4 Cd2SnO4和MoS2/Cd2SnO4復(fù)合材料(M/1、M/1.5、M/2、M/2.5、M/3)在不同工作溫度下對(duì)100 μL·L-1甲醛氣體的靈敏度Fig.4 Responses of Cd2SnO4 and MoS2/Cd2SnO4 composite materials(M/1,M/1.5,M/2,M/2.5,M/3)to 100μL·L-1formaldehyde vapor at different operating temperatures

圖5給出了M/2.5復(fù)合材料在170℃下對(duì)于100μL·L-1的異丙醇、丙酮、甲醇、甲醛、三甲胺、乙醇、乙醛、乙酸氣體的靈敏度,分別為 4.0、1.4、1.1、40.0、2.2、1.0、1.0、1.0,這表明M/2.5在170 ℃的時(shí)候?qū)τ?00μL·L-1的甲醛顯示出較好的靈敏度。M/2.5對(duì)于除甲醛之外的其他氣體的靈敏度都低于5,表明M/2.5對(duì)于甲醛擁有優(yōu)異的選擇性。

圖5 不同工作溫度下M/2.5對(duì)八種100μL·L-1氣體的靈敏度Fig.5 Responses of M/2.5 to eight kinds of gases(100μL·L-1)at different operating temperatures

圖6是M/2.5復(fù)合材料在170℃的工作溫度下對(duì)不同濃度甲醛的響應(yīng)/恢復(fù)曲線圖。從圖中可知,隨著濃度降低,M/2.5材料對(duì)于甲醛氣體的靈敏度也在降低。M/2.5對(duì)濃度為100、50、20、10、1、0.1 μL·L-1甲醛的靈敏度分別為40.0、18.8、10.5、3.3、3.0和1.3。因此,M/2.5對(duì)于甲醛濃度的最低檢測(cè)限為0.1μL·L-1,靈敏度為1.3。此外,M/2.5對(duì)于100 μL·L-1甲醛的響應(yīng)時(shí)間為37 s,恢復(fù)時(shí)間為7 s。

圖6 M/2.5在170℃的工作溫度下對(duì)不同濃度甲醛氣體的響應(yīng)/恢復(fù)曲線Fig.6 Response/recovery curve of M/2.5 to formaldehyde vapor with different concentrations at the operating temperature of 170℃

圖7是由M/2.5復(fù)合材料制備的氣敏元件在不同濃度甲醛氣體中的電阻隨時(shí)間的變化曲線。可以發(fā)現(xiàn),隨著甲醛濃度的不斷降低,由M/2.5制備的氣敏元件的電阻最小值也隨著降低。氣敏元件對(duì)于不同濃度的甲醛氣體的電阻響應(yīng)/恢復(fù)曲線與M/2.5對(duì)于不同濃度的甲醛氣體的靈敏度的響應(yīng)/恢復(fù)曲線趨勢(shì)保持一致。

圖7 由M/2.5制備的氣敏元件在170℃的工作溫度下對(duì)不同濃度甲醛氣體的電阻響應(yīng)/恢復(fù)曲線Fig.7 Response/recovery curve of resistance of gas sensor prepared by M/2.5 to formaldehyde vapor with different concentrations at the operating temperature of 170℃

RH通常會(huì)對(duì)材料的氣敏性能產(chǎn)生影響。圖8是M/2.5復(fù)合材料在不同RH的條件下對(duì)于100μL·L-1甲醛氣體的靈敏度。當(dāng)RH慢慢增加到55%時(shí),M/2.5對(duì)于100μL·L-1甲醛氣體靈敏度也在慢慢升高,最大靈敏度為40.0(RH=55%)。靈敏度隨著RH增加而增加,可能原因是在RH為15%~55%之間時(shí),M/2.5表面剛開始是水分子的物理吸附占據(jù)主導(dǎo)地位。這里的物理吸附呈現(xiàn)出的是一種多層的現(xiàn)象,水的初始物理吸附的固定層是由具有雙氫鍵的單個(gè)分子組成,單個(gè)分子之間進(jìn)行單鍵結(jié)合形成物理吸附層,隨著RH的不斷增加,物理吸附層數(shù)也在不斷地增加,水層中的質(zhì)子可能可以像在純水中一樣容易移動(dòng),因而M/2.5的電導(dǎo)率在增加[37]。當(dāng)RH在55%~90%之間時(shí),隨著RH繼續(xù)增加,M/2.5對(duì)于100μL·L-1甲醛氣體的靈敏度呈現(xiàn)下降趨勢(shì),這可能是因?yàn)椴牧媳砻娴乃肿佣询B過多會(huì)占據(jù)材料表面的活性吸附點(diǎn),從而鈍化材料表面的反應(yīng),抑制了M/2.5氣敏反應(yīng)的進(jìn)行[35-38]。

圖8 RH對(duì)M/2.5在170℃時(shí)檢測(cè)100μL·L-1甲醛氣體的影響Fig.8 Influence of RH on the detection of M/2.5 to 100μL·L-1formaldehyde vapor at 170 ℃

2.3 氣敏機(jī)理研究

目前對(duì)于半導(dǎo)體氣體傳感器的氣敏現(xiàn)象,可以使用表面吸附控制理論來解釋[39-40]。當(dāng)MoS2/Cd2SnO4復(fù)合材料的氣敏元件暴露在空氣中時(shí),氧氣分子會(huì)吸附在復(fù)合材料的表面形成吸附態(tài)O2(式1),然后O2會(huì)從MoS2/Cd2SnO4復(fù)合材料的導(dǎo)帶中獲得電子變成吸附態(tài)的O2-(式 2)和吸附態(tài) O-(式 3),使得MoS2/Cd2SnO4復(fù)合材料表面的導(dǎo)帶電子減少,材料的導(dǎo)電性能降低,電阻上升。當(dāng)MoS2/Cd2SnO4復(fù)合材料的氣敏元件的表面與甲醛氣體接觸時(shí),材料表面的化學(xué)吸附氧O2-會(huì)與甲醛分子發(fā)生氧化反應(yīng),反應(yīng)生成二氧化碳和水(式4)。反應(yīng)的過程中會(huì)將電子釋放回導(dǎo)帶增加電子的電導(dǎo)率,從而增強(qiáng)材料的導(dǎo)電性能,電阻降低。具體的反應(yīng)過程如下:

3 結(jié)論

采用水熱-煅燒法制備Cd2SnO4,之后通過超聲混合法得到一系列MoS2/Cd2SnO4復(fù)合材料。然后對(duì)Cd2SnO4以及一系列MoS2/Cd2SnO4復(fù)合材料進(jìn)行了氣敏性能的實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在170℃的工作溫度時(shí),M/2.5(MoS2與Cd2SnO4的質(zhì)量比為2.5%)對(duì)100μL·L-1的甲醛氣體的靈敏度達(dá)到40.0,是純Cd2SnO4對(duì)相同濃度甲醛氣體靈敏度的29倍。此外,M/2.5對(duì)于甲醛的最低檢測(cè)限為0.1μL·L-1。因此,摻雜適量的MoS2有利于提升Cd2SnO4材料對(duì)甲醛氣體的氣敏性能,該復(fù)合材料具有應(yīng)用于檢測(cè)室內(nèi)甲醛氣體的潛力。

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