高熱驚厥患兒額顳葉區(qū)腦電圖特點(diǎn)與癲癇的發(fā)生及神經(jīng)發(fā)育不良的關(guān)系*

師海玲 陳紅敏 賈 靜

河南省兒童醫(yī)院 鄭州兒童醫(yī)院 鄭州大學(xué)附屬兒童醫(yī)院 鄭州市兒童感染與免疫重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，河南省鄭州市 450018

小兒高熱驚厥(Febrile Seizure，F(xiàn)S)是目前臨床中常見(jiàn)小兒驚厥性疾病[1]，有研究結(jié)果顯示，F(xiàn)S的臨床中持續(xù)時(shí)間低于10～15min時(shí)，潛在的癲癇發(fā)作及智能損害與FS無(wú)明顯關(guān)系[2]。但也有學(xué)者指出，臨床中FS持續(xù)時(shí)間低于10～15min患兒仍可能發(fā)展為反復(fù)發(fā)作或癲癇，甚至可能導(dǎo)致患兒出現(xiàn)性格異常、智能低下等后遺癥[3]。臨床中若患兒出現(xiàn)熱性驚厥后不及時(shí)進(jìn)行干預(yù)和治療，則可能導(dǎo)致患兒病情惡化出現(xiàn)癲癇[4-5]。腦電圖(Electroencephalogram，EEG)是臨床中常見(jiàn)的FS發(fā)作后常規(guī)檢查項(xiàng)目，得到兒科臨床醫(yī)師的共識(shí)[6]。雖然美國(guó)FS臨床工作指南中不建議使用EEG對(duì)單純性FS患兒進(jìn)行常規(guī)檢查，但也有學(xué)者認(rèn)為FS患兒出現(xiàn)癲癇后會(huì)出現(xiàn)腦部額葉區(qū)EEG異常等[7]。因此熱性驚厥后患兒EEG檢查分析探討EEG異常的熱性驚厥與癲癇發(fā)生的關(guān)系具有十分重要的意義[8]。因而本研究以我院收治的高熱驚厥患兒作為研究對(duì)象，探討高熱驚厥患兒額顳葉區(qū)腦電圖特點(diǎn)與癲癇的發(fā)生及神經(jīng)發(fā)育不良的關(guān)系。

1 資料與方法

1.1 一般資料 經(jīng)我院倫理委員會(huì)審議并批準(zhǔn)，將我院2017年1月—2019年12月間收治的100例符合入組標(biāo)準(zhǔn)的FS患兒作為研究對(duì)象，將所有患兒分為EEG正常組(n=63)和EEG異常組(n=37)。選擇標(biāo)準(zhǔn)：(1)符合熱性驚厥相關(guān)的診斷標(biāo)準(zhǔn)[9]；(2)所有患兒均采取EEG掃描檢查；(3)確診高熱驚厥；(4)符合驚厥判定標(biāo)準(zhǔn)[10]；(5)患兒家屬知情并簽署知情同意書(shū)。排除標(biāo)準(zhǔn)：(1)存系統(tǒng)性代謝性紊亂的患兒；(2)合并中樞系統(tǒng)感染患兒；(3)合并嚴(yán)重肝腎功能障礙患兒；(4)合并有電解質(zhì)紊亂患兒；(5)臨床資料缺失或主動(dòng)申請(qǐng)退出本研究。

1.2 方法 所有患者均在入組后住院期間FS后1周內(nèi)采用腦電圖儀對(duì)患者進(jìn)行EEG檢查1次，16導(dǎo)鍍銀盤(pán)狀電極依照10-20國(guó)際系統(tǒng)進(jìn)行安放和記錄，參考電極為雙側(cè)耳電極，電極使用火棉膠或電極膏涂抹并固定，對(duì)受試者睡眠狀態(tài)及事件進(jìn)行詳細(xì)標(biāo)記和記錄，采用多種導(dǎo)聯(lián)方式對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行轉(zhuǎn)換和分析。檢查時(shí)間至少為1個(gè)完整睡眠周期，時(shí)間4～6h，所有操作和分析均由兒科EEG醫(yī)師獨(dú)立完成。EEG異常的特征分類(lèi)主要包括背景活動(dòng)異常(兩半球間不對(duì)稱(chēng)、低電壓、電靜息、中央?yún)^(qū)正相尖波、暴發(fā)—抑制、彌漫性δ波等)、陣發(fā)性異常(多灶性發(fā)作期圖形、局灶性發(fā)作期圖形、低電壓背景低頻放電、單一節(jié)律發(fā)放)、睡眠結(jié)構(gòu)異常(睡眠結(jié)構(gòu)改變、睡眠周期異常、成熟性異常、腦電活動(dòng)成熟延遲)。對(duì)患兒進(jìn)行為期1年的隨訪(fǎng)，詳細(xì)記錄癲癇發(fā)作情況，并在隨訪(fǎng)1年時(shí)行CT掃描檢查，依照三腦室寬度、哈氏值、側(cè)腦室體部指數(shù)、腦室指數(shù)、前角指數(shù)、側(cè)腦室寬度指數(shù)等參數(shù)，參照《中國(guó)修訂韋氏兒童智力量表手冊(cè)》[11]認(rèn)知功能評(píng)定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)患兒的神經(jīng)發(fā)育功能進(jìn)行評(píng)估。

2 結(jié)果

2.1 EEG正常組和EEG異常組臨床資料比較 EEG正常組和EEG異常組兩組患兒性別、熱性驚厥持續(xù)時(shí)間、熱性驚厥再發(fā)次數(shù)、熱性驚厥再發(fā)、驚厥類(lèi)型、熱性驚厥家族病史、發(fā)病年齡、癲癇家族病史例等臨床資料無(wú)明顯差異(P>0.05)，兩組受試者臨床資料具有可比性。見(jiàn)表1。

2.2 癲癇患兒EEG異常發(fā)生情況調(diào)查結(jié)果 癲癇組FS患兒EEG異常發(fā)生率明顯高于無(wú)癲癇組，差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.05)，見(jiàn)表2。

表2 癲癇患兒EEG異常發(fā)生情況調(diào)查結(jié)果

2.3 神經(jīng)發(fā)育不良EEG異常發(fā)生情況調(diào)查結(jié)果 神經(jīng)發(fā)育不良組 EEG異常發(fā)生率明顯高于神經(jīng)發(fā)育正常組，差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.05)，見(jiàn)表3。

表3 神經(jīng)發(fā)育不良EEG異常發(fā)生情況調(diào)查結(jié)果

2.4 EEG異常與FS患兒癲癇和神經(jīng)發(fā)育不良關(guān)系 EEG異常與FS患兒癲癇和神經(jīng)發(fā)育不良均存顯著正相關(guān)關(guān)系(r=0.732、0.691，P=0.031、0.023<0.05)。

2.5 EEG異常影響癲癇的發(fā)生及神經(jīng)發(fā)育不良的作用 EEG異常是影響FS患兒癲癇和神經(jīng)發(fā)育不良發(fā)生的獨(dú)立性威脅因素(P<0.05)，見(jiàn)表4。

表4 EEG異常影響癲癇的發(fā)生及神經(jīng)發(fā)育不良的作用

3 討論

FS是目前臨床中較為常見(jiàn)的小兒時(shí)期驚厥性疾病，其臨床研究發(fā)現(xiàn)FS患兒極可能導(dǎo)致出現(xiàn)無(wú)熱驚厥或癲癇[12]。FS屬于常見(jiàn)的小兒驚厥類(lèi)型之一，多數(shù)FS患兒均具較好預(yù)后，一般情況下FS主要出現(xiàn)在上呼吸道感染或其他類(lèi)型感染性疾病初期，且FS臨床發(fā)病機(jī)制尚未揭示[13]。目前相關(guān)研究顯示，感染、遺傳、發(fā)熱、年齡因素均是導(dǎo)致FS發(fā)生和發(fā)展的重要因素[14]。FS患兒主要臨床表現(xiàn)為突發(fā)全身性或局限性肌群強(qiáng)直性或陣攣性抽搐，患者常伴隨出現(xiàn)意識(shí)障礙，但一般情況下發(fā)作時(shí)間較短，且發(fā)病前可能伴隨出現(xiàn)咳痰、發(fā)熱、咳嗽等呼吸道癥狀或急性感染癥狀[15]。

臨床上FS患兒發(fā)作后常采用血生化、腦電圖等檢查方案分析，并盡可能排除導(dǎo)致驚厥發(fā)生的疾病，其中EEG是最為常見(jiàn)也十分準(zhǔn)確的診斷癲癇的方法，并對(duì)指導(dǎo)臨床中抗癲癇藥的應(yīng)用具有明確的指導(dǎo)意義[16]。有研究指出，F(xiàn)S可能導(dǎo)致長(zhǎng)期增強(qiáng)腦內(nèi)海馬神經(jīng)元興奮性，導(dǎo)致海馬硬化、損傷、萎縮導(dǎo)致患者出現(xiàn)癲癇[17]。研究資料顯示，F(xiàn)S患兒發(fā)作后EEG異常率波動(dòng)性大，且目前臨床中并未將EEG作為單純性FS發(fā)作后常規(guī)檢查方法[18]。雖然目前臨床中EEG異常與癲癇出現(xiàn)的相關(guān)性存較大爭(zhēng)議，但EEG異常與患兒長(zhǎng)期預(yù)后質(zhì)量的關(guān)系也未見(jiàn)報(bào)道。研究表明，癲癇樣放電和局灶性慢波均是FS患兒出現(xiàn)癲癇的主要威脅因素，其中額葉區(qū)EEG異常是患兒臨床長(zhǎng)期預(yù)后出現(xiàn)不良事件的重要威脅因素之一[19]。

本組研究結(jié)果顯示，癲癇組FS患兒EEG異常發(fā)生率明顯高于無(wú)癲癇組，神經(jīng)發(fā)育不良組FS患兒EEG異常發(fā)生率明顯高于神經(jīng)發(fā)育正常組。進(jìn)一步分析FS患兒EEG異常與癲癇和神經(jīng)發(fā)育不良的關(guān)系發(fā)現(xiàn)，EEG異常與FS患兒癲癇和神經(jīng)發(fā)育不良均存顯著正相關(guān)關(guān)系，且多因素分析發(fā)現(xiàn)，EEG異常是影響FS患兒癲癇和神經(jīng)發(fā)育不良發(fā)生的獨(dú)立性威脅因素。額顳葉區(qū)EEG異常多提示FS患兒出現(xiàn)腦損傷，且可能伴隨出現(xiàn)急性海馬損傷，導(dǎo)致海馬萎縮，進(jìn)而引起癲癇發(fā)作或神經(jīng)發(fā)育不良。此外，動(dòng)物實(shí)驗(yàn)研究結(jié)果表明，EEG異常的FS大鼠模型其腦內(nèi)神經(jīng)元減少情況并不明顯，但海馬區(qū)神經(jīng)元超微結(jié)構(gòu)細(xì)胞皺縮，嗜銀深染且電子密度增高，因而可能出現(xiàn)急性神經(jīng)元損傷，導(dǎo)致長(zhǎng)期增強(qiáng)海馬神經(jīng)元興奮性，進(jìn)而誘發(fā)癲癇發(fā)作和神經(jīng)發(fā)育不良。

綜上所述，高熱驚厥患兒額顳葉區(qū)腦電圖異常與癲癇和神經(jīng)發(fā)育不良均存顯著正相關(guān)關(guān)系，且是影響FS患兒癲癇和神經(jīng)發(fā)育不良發(fā)生的獨(dú)立性威脅因素。但本研究隨訪(fǎng)周期較短，且未對(duì)患兒出現(xiàn)癲癇及神經(jīng)發(fā)育不良的深入機(jī)制進(jìn)行系統(tǒng)性探討，有待后續(xù)深入追蹤和分析。