零維有機-無機雜化金屬鹵化物的溶液合成、光物理性質及光電應用

包文雪，彭 輝*，鄒炳鎖*

（1. 廣西大學 省部共建特色金屬材料與組合結構全壽命安全國家重點實驗室，廣西 南寧 530004；2. 廣西大學 資源環境與材料學院，廣西 南寧 530004）

1 引 言

三維（3D）有機-無機雜化鹵化鉛鈣鈦礦材料因其光吸收系數高、帶隙可調、載流子遷移率高和缺陷容忍度高而備受關注，這些優異的光電特性使它們在太陽能電池、光電探測器、發光二極管（LED）和光催化等領域得到了廣泛的應用[1-3]。以APbX3（A= CH3NH3+，CH（NH2）2+；X= Cl-，Br-，I-）納米晶為代表的3D 鹵化鉛鈣鈦礦，由于其寬色域和強量子尺寸限域效應而產生的高光致發光量子產率（PLQY），已成為照明領域的“明星材料”[4-5]。盡管3D 有機-無機雜化鹵化鉛鈣鈦礦納米晶在光電應用中已經取得了一系列顯著的成就，但將其加工成薄膜和固體粉末往往會造成有機配體的缺失和隨后的團聚，從而導致PLQY 急劇降低[6]。此外，復雜的合成工藝、較低的產率和較差的穩定性也進一步阻礙了3D 有機-無機雜化鹵化鉛鈣鈦礦納米晶的應用[7]。因此，迫切需要開發新型發光材料，調控其性能，增強其環境穩定性，以滿足其在光電器件中的應用。

近些年來，研究人員在對低維有機-無機雜化金屬鹵化物的研究中取得了重大進展，通過在鹵化物晶格中引入不同種類的多功能有機配體來構建低維骨架，使其具有與3D 鹵化鉛鈣鈦礦納米晶相媲美的發光性能[8]。作為3D 鹵化鉛鈣鈦礦的衍生物，低維有機-無機雜化金屬鹵化物因其獨特的晶體∕電子結構和優異的光電特性而受到研究人員的青睞。根據金屬鹵化物多面體單元的連接方式，可以將低維有機-無機雜化金屬鹵化物在分子水平上分為二維（2D）量子阱、一維（1D）量子線和零維（0D）團簇[9]。與一般的3D 鹵化鉛鈣鈦礦不同，由于分子水平上的強結構量子限域，塊狀低維有機-無機雜化金屬鹵化物即便沒有尺寸量子限域，也能在光激發下發射出明亮的可見光。顯然，這類材料具有多樣性的結構和豐富的性能，這使其在光電應用方面具有獨特的優勢。此外，低維有機-無機雜化金屬鹵化物還具有易于合成、生產成本低、適合大規模生產的優勢，這為它們在實際應用中提供了更大的競爭力。

相比于2D 和1D 有機-無機雜化金屬鹵化物，0D 有機-無機雜化金屬鹵化物具有最低的結構維度，因此伴隨著最強的量子限域效應、最軟的晶格和最強的電子-聲子耦合，這使其進一步轉化為具有寬帶發射的近單位光致發光量子產率[10]。此外，相比于全無機0D 金屬鹵化物，由于有機配體的多樣性，將合適的多功能有機配體引入到無機晶格中，可以在分子水平上調控0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的配位構型和微觀相互作用，從而獲得豐富的發光物性。因此，0D 有機-無機雜化金屬鹵化物由于其高效的發射、寬的半峰寬、大的Stokes 位移和可忽略的自吸收等優異的光物理性質，近些年來在光電器件領域取得了令人矚目的成就。開發新型0D 有機-無機雜化金屬鹵化物材料、研究其內在的微觀相互作用和相關的發光物理機制、拓展其在光電器件中的應用已經成為一個重要的研究領域，這對促進發光材料的發展具有重要意義。因此，我們將從0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的溶液合成方法、晶體結構特征、發光物理機制、發光物理機制的調控以及光電應用這五個方面進行系統的論述。

2 0D 有機-無機雜化金屬鹵化物晶體的溶液合成方法

溶液法作為生長各種晶體的重要技術之一，其生長0D 有機-無機雜化金屬鹵化物單晶源于接近平衡的條件，因此可以獲得高質量的晶體。一般來說，單晶的生長取決于以下幾個參數，包括前驅體類型、溶劑和反溶劑、溶解度、溶液濃度和溫度。此外，成核的控制對于生長具有一定尺寸、形狀和完整性的單晶至關重要。當前驅體溶液的濃度非常接近成核臨界點時，分子開始聚集，單晶以一定的大小和形狀開始生長。如果濃度遠高于成核臨界點，則許多核聚集在一起，形成結晶粉末；但是，如果濃度低于臨界點，則不會發生原子核聚集[11]。目前報道的0D 有機-無機雜化金屬鹵化物單晶的溶液合成方法主要有以下三種，即飽和溶液降溫技術、反溶劑輔助結晶技術和溶液緩慢揮發技術[12]。

2.1 飽和溶液降溫技術

飽和溶液降溫技術是制備0D 有機-無機雜化金屬鹵化物單晶的經典方法之一，過飽和度是該方法生長晶體的驅動力，并通過降低溶液溫度來實現。飽和溶液降溫技術，即隨著溫度的升高，前驅體的溶解度逐漸增大，因此當在高溫下配置前驅體的飽和溶液，然后緩慢降溫，此時會伴隨有晶體的析出，如圖1（a）所示。但是該方法也有一定的限制，只適用于溶解度隨著溫度降低而減小的0D 有機-無機雜化金屬鹵化物材料。如Chen 等[13]在92 ℃下 將PMABr 和MBr3（M= Bi，Sb）溶 解 于HBr 中，然后緩慢降溫至25 ℃，成功制備了兩種具有八面體結構的0D （PMA）3MBr6單晶。

圖1 （a）飽和溶液降溫技術［14］；（b）反溶劑輔助結晶技術［14］；（c）溶液緩慢揮發技術［15］。Fig.1 （a）Saturated solution cooling technology［14］. （b）Antisolvent assisted crystallization technology［14］. （c）Solution slow evaporation technique［15］.

2.2 反溶劑輔助結晶技術

反溶劑輔助結晶技術主要是根據0D 有機-無機雜化金屬鹵化物在不同溶劑中溶解度的不同來生長晶體。在該方法中，溶劑和反溶劑的選擇是生長出高質量的有機-無機雜化金屬鹵化物單晶的關鍵因素。一般來說，N，N-二甲基甲酰胺和二甲基亞砜是0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的良性溶劑，而乙醚、氯苯、甲苯、氯仿等溶液對0D 有機-無機雜化金屬鹵化物幾乎不溶或微溶，稱它們為反溶劑[53]。反溶劑輔助結晶技術制備單晶的過程如圖1（b）所示。首先將前驅體溶液放入干凈的小瓶中，然后將其浸入到裝有反溶劑的平底密封器皿中，當反溶劑緩慢擴散到前驅體溶液中，則會有晶體析出。一般來說，晶體可以在室溫下生成，加熱可以使反溶劑更快地擴散到前驅體溶液中，從而加速晶體的生長。例如，本課題組通過反溶劑 輔 助 結 晶 技 術 制 備 了0D （C25H22P）2SbCl5晶體[16]，其在365 nm 紫外燈照射下呈現明亮的黃光發射，PLQY 為98.6%。

2.3 溶液緩慢揮發技術

溶液緩慢揮發是一種傳統且有著廣泛應用的合成有機-無機雜化金屬鹵化物單晶的技術，該技術是基于某些溶液易于揮發的原理，將前驅體溶液揮發濃縮來制備單晶。這種方法簡單且實用，適合絕大部分0D 有機-無機雜化金屬鹵化物單晶的生長，其制備單晶的過程如圖1（c）所示。Peng等[17]通過將TBAI 和CuI 溶解于丙酮中，然后在室溫下將溶劑緩慢揮發，成功制備了具有冷白光發射的0D （TBA）2Cu2I4單晶。類似地，Jiang 等[18]也通過該方法制備了具有明亮綠光發射的0D （1-C5H14N2Br）2MnBr4晶體，其PLQY 為60.7%。

3 0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的晶體結構特征

在0D 有機-無機雜化金屬鹵化物中，金屬鹵化物多面體團簇被大的有機陽離子包圍并完全孤立，形成了一種獨特的“主-客體”結構，即孤立的無機鹵化物團簇被完全隔開并周期性地分布在由有機配體形成的主體框架中。因此，0D 有機-無機雜化金屬鹵化物具有獨特的晶體結構，其基本保留了斷開的無機單元的光物理性質，這意味著獨立的無機金屬鹵化物多面體或團簇在很大程度上決定了化合物的光物理性質。0D 有機-無機雜化金屬鹵化物具有多樣性的晶體結構和優異的光學性質，其發射光譜可以覆蓋整個可見光范圍。此外，其還具有高效的藍光和近紅外光發射，甚至還可以實現單組分白光發射。例如，具有雙楔構型的0D 金屬鹵化物（C13H19N4）2PbBr4在室溫下呈現明亮的藍光發射[19]；具有八面體結構的0D 金屬鹵化物[C5mim][Mim]2[SbCl6]在室溫下呈現明亮的深紅光發射[20]；具有四面體結構的0D 金屬鹵化物（C5H7N2）2HgBr4·H2O 在室溫下呈現明亮的白光發射[21]。最近，混合B位陽離子的0D有機-無機雜化金屬鹵化物也得到了廣泛的關注，并且Ma 課題組和Xia課題組在相關方面做了大量的研究工作。例如，（bmpy）9[ZnCl4]2[Pb3Cl11]包含一個[Pb3Cl11]5-團簇和兩個[ZnCl4]2-四面體，其在紫外光的激發下呈明亮的綠光發射[22]；此外，（C9NH20）9[Pb3Br11]（MnBr4）2則有兩個不同的發射中心，即[Pb3Br11]5-團簇[MnBr4]2-四面體。在高能光子激發下（365 nm），該化合物呈現出源于[Pb3Br11]5-團簇的寬帶黃光發射，在低能光子激發下（450 nm）則呈現出源于[MnBr4]2-四面體的綠光發射[23]。圖2 給出了更多關于0D 有機-無機雜化金屬鹵化物團簇的結構示意圖。

圖2 0D 有機-無機雜化金屬鹵化物團簇結構示意圖［24］Fig.2 Structure diagram of 0D organic-inorganic hybrid metal halide clusters[24]

4 0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的發光物理機制

光致發光（PL）是半導體的一種重要性質。對于常見的發光半導體材料，其光物理過程可以總結如下：發光半導體在光照條件下，電子從價帶頂（VBM）躍遷到導帶底（CBM），激發電子通過電子-空穴的庫侖相互作用弛豫到激發態或激子能級；然后，被激發的電子回到基態與空穴重新復合，并通過光子發射釋放能量，從而產生高效發射[25]。根據電子躍遷的類型，固體發光可分為本征PL（如帶邊和激子能級的輻射復合）和非本征PL（如離子、缺陷和雜質的發射）（圖3（a））[26]。如上所述，帶邊發光是由VBM 和CBM 之間的電子-空穴對復合產生的，一般來說，3D 鹵化鉛鈣鈦礦以及部分2D 鈣鈦礦呈現出這種類型的發光行為。本征發光的另一個重要例子是由于庫侖相互作用引起的束縛電子-空穴對的激子能級的復合，這種現象廣泛存在于半導體納米晶體或量子點中[27]。值得一提的是，上面提到的兩種本征PL 都表現出較窄的半峰寬（FWHM）和較小的斯托克斯位移。

非本征PL 是一種涉及摻雜離子、永久缺陷和雜質的輻射復合過程，也是半導體發光材料的重要組成部分。這里我們將給出一些在低維有機-無機雜化金屬鹵化物中缺陷發光的例子。如Zhou 等[28]報道了一種面共享三聚體[Pb2Br6-Pb1Br6-Pb2Br6]團簇結構的0D （C9NH20）6Pb3Br12單晶，該化合物在室溫下呈現寬帶綠光發射，發光峰位于522 nm，FWHM 為134 nm，PLQY 為12%。通過結合穩態瞬態光譜和密度泛函理論（DFT）的結果，發現在（C9NH20）6Pb3Br12中觀察到的寬帶綠光發射源于被困在本征空位的空穴和電子的輻射復合。最近，Ran 等[29]報道了一種0D In（Ⅲ）基有機-無機雜化金屬鹵化物，（C6H8N）6InBr9單晶，該晶體在室溫下表現出白光的發射特性，這種白光源于Br 空位的存在而導致的多個缺陷態，但由于嚴重的熱猝滅效應，其PLQY僅為2.72%。Spanopoulos等[30]報道了一種具有水穩定性的1D Sn（Ⅱ）基金屬鹵化物，（DAO）Sn2I6單晶，將該化合物浸泡在去離子水中15 h 后，其結構組分依然保持穩定。（DAO）Sn2I6在室溫下呈現橘紅光發射，其發射峰位于634 nm，FWHM 為142 nm。此外，（DAO）-Sn2I6晶體的PLQY 為20.3%，當將其加工成薄膜后，其PLQY 則增加至36%。通過測試不同激發功率下的PL 強度，發現該化合物在高激發功率下的PL 強度達到飽和，這表明在該化合物中觀察到的橘紅光發射源于永久缺陷。

2014 年，Karunadasa 團隊報道了具有寬帶白光發射的2D 層狀有機鹵化鉛鈣鈦礦[31-33]。而后，這種不尋常的寬帶發射由于其可忽略的自吸收、高的發光效率以及發光色彩可調等優異的光學性能而引起了廣泛的關注。在隨后的研究中發現，這種獨特的高效寬帶發射源于強-電聲子耦合和晶格畸變所導致的自束縛激子（STE）發光，其屬于本征發光的一種[8,26]。STE 發光廣泛存在于各種固體材料中，例如堿金屬鹵化物、鉛鹵化物、有機分子晶體等[25]。STE 可以被視為激發態缺陷，局域晶格畸變是導致STE 形成的主要原因[34]。如圖3（b）所示，在光照射下，光生激子由于強烈的電-聲子耦合，在經過長時間的弛豫后所形成的電子或空穴傾向于在特定位置自束縛，因為自束縛態可能是穩定的或具有大斯托克斯位移的時間態，這通常會拖拽晶格畸變[25]。與自由激子（FEs）發射不同，STE 發射有著更寬的發射峰，這是由于它包含有聲子云，即晶格局域位置中一種帶電荷的極化子[35]。STE 的概念起源于動態局域激發態，近些年來在許多低維有機-無機雜化金屬鹵化物中被廣泛地觀察到，如2D （2meptH2）PbBr4[36]、1D[KC2]2[Cu4I6][37]、0D（C3H12N2）2Sb2Cl10[38]等。最 近，Smith 等[33]通過硬球（電子∕空穴∕激子）和橡膠板（可變形的晶格）模型系統地闡述了三種不同的STEs（本征STE、缺陷STE 和非本征STE）的形成機制，如圖3（c）所示。一般來說，隨著維度的降低，金屬鹵化物的量子限域效應變強，晶格變軟，電-聲子耦合變強，并伴隨著更高發光效率的寬帶發射[34]。此外，在中等電-聲子耦合強度的2D 和1D 金屬鹵化物中經常觀察到FEs 發射或FEs 發射和STEs 發射共存的現象[39-40]，而由于0D 金屬鹵化物的結構維數最低，電-聲子耦合最強，因此在0D金屬鹵化物中只能觀察到單個寬帶發射，這源于由強-電聲子耦合和晶格畸變導致的寬帶STEs 發射[41]。通過飛秒光譜測試可以發現，在0D 金屬鹵化物中光生FEs 可以快速地自束縛形成STEs[42]，因此0D 金屬鹵化物的寬帶發射峰通常呈現為高斯形狀。

近些年來，Mn（Ⅱ）基金屬鹵化物以其成本低、毒性低、穩定性好和發光效率高、發光波長可調等優點得到了廣泛的關注。Mn（Ⅱ）的躍遷主要包含D 項和G 項。一般來說，在可見光范圍內的吸收屬 于G 項，對 應 于6A1→4A1、4E（G）、6A1→4T2（G）和6A1→4T1（G）的躍遷。除了可見光范圍，在紫外光范圍內的吸收屬于D 項，對應于6A1→4E（D）和6A1→4T2（D）的躍遷[43]。 Mn（Ⅱ）的發光源于d-d（4T1→6A1）躍遷，但存在兩種有代表性的對稱性，一種是四配位Td晶場，一種是六配位Oh晶場。由于其d-d 躍遷發光過程是自旋和宇稱禁止的，因此當出現兩種情況時：（1）Mn（Ⅱ）配位環境的對稱性降低，（2）一定近鄰的Mn 離子間距小到產生磁耦合，才能使Mn（Ⅱ）d-d 輻射躍遷部分許可從而產生發光[44]。大多數情況下，四面體的Mn（Ⅱ）基金屬鹵化物晶體場被較大有機分子隔開時Mn-Mn間耦合強度較弱，對應于0D 限域結構，電-聲子耦合強，此時d-d 光學躍遷過程由獨立的Mn2+所控制，同時伴隨著p-d 雜化和電-聲子相互作用，顯示出綠光發射（圖3（d）、（f））。八面體的Mn（Ⅱ）基金屬鹵化物有著更強的晶體場，通常容易產生聚集體，并且八面體之間以面共享的方式形成鏈狀結構，使得Mn-Mn的距離縮短，從而產生Mn2+對或團簇的鐵磁耦合，最終顯示出紅光發射（圖3（e）、（f））[45]。

5 0D 有機-無機雜化金屬鹵化物發光物理機制的調控

0D 有機-無機雜化金屬鹵化物通常由抗衡有機陽離子和金屬鹵化物團簇結合而成，兩個帶相反電荷的離子通過微弱的靜電相互作用結合到一起。對于目前報道的0D 有機-無機雜化金屬鹵化物來說，抗衡有機陽離子通常為膦、銨、吡啶和咪唑等一系列類有機陽離子，同時也有研究表明，聚合物也是抗衡陽離子重要的組成部分[44]。離子化合物的另一部分是金屬鹵化物團簇陰離子，通常與不同數量的鹵素原子結合，附著在金屬鹵化物團簇上的鹵素原子可以相同也可以不同，這些特征使它們在分子設計上更加靈活。0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的高效和色彩可調發射在光電應用中起著至關重要的作用。眾所周知，0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的發光由金屬鹵化物團簇中心的局域配位環境所主導，因此，可以通過改變0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的成分和微觀結構來調節其局域約束和電-聲子耦合，進而調控0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的發光物理機制。接下來，我們總結了0D 有機-無機雜化金屬鹵化物發光物理機制的調節策略，包括：（1）不同類型的金屬光學活性中心；（2）鹵素離子類型；（3）擴展晶格的抗衡有機陽離子的類型；（4）金屬光學活性中心的配位場的變化。因此，基于上述發光物理機制的調控報道了許多新型的0D 有機-無機雜化金屬鹵化物發光材料，它們具有優異的發光性能，如表1 所示。

表1 最近報道的0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的關鍵光物理參數Tab.1 Recently reported key photophysical parameters of 0D organic-inorganic hybrid metal halides

5.1 不同類型的金屬光學活性中心

不同類型的金屬光學活性中心對0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的光學行為有著巨大的影響。基于6s2電子構型的Pb2+是最常用的光學活性中心。此外，具有6s2電子構型的Bi3+，5s2電子構型的Sn2+和Sb3+，d10電子構型的Cu+、In3+、Zn2+和Cd2+，d5電子構型的Mn2+等各種金屬光學活性中心也相繼進入了人們的視野，并且開發了一系列具有優異發光性能的0D 有機-無機雜化金屬鹵化物[55]。Xu等[56]將TPP+陽離子引入到不同類型的金屬光學活性中心中，合成了三種不同的0D有機-無機雜化金屬鹵化物，（TPP）2SbCl5、（TPP）2MnCl4和（TPP）2ZnCl4單 晶。結 果 表 明，（TPP）2SbCl5、（TPP）2MnCl4和（TPP）2ZnCl4單晶在紫外光的照射下分別呈現明亮的紅光、綠光和青光發射，當移除激發光源后，（TPP）2SbCl5和（TPP）2MnCl4的發光會立即消失，而（TPP）2ZnCl4則產生余輝現象（圖4（a））。圖4（b）~（c）給出了這三種化合物的發射光譜和相應的壽命衰減曲線。Zhou 等[57]報道了一種0D 八面體結構的Sn（Ⅱ）基金屬鹵化物（C4N2H14Br）4SnBr6單晶，該化合物在紫外光的激發下呈現明亮的黃光發射，PLQY 高達（95 ± 5）%（圖4（d））。隨后，Kuang 課題組[58]將Sn（Ⅱ）替換成In（Ⅲ），合成了一種新型0D 四面體和八面體結構共存的（C4H14N2）2-In2Br10單晶，其在室溫下呈現橘紅光發射，PLQY約為3%（圖4（e）~（f））。最近，Gautier 課題組報道了一種0D Zn（Ⅱ）基金屬鹵化物C6N2H16ZnBr4[59]，其呈現出較弱的綠光發射，PLQY 僅為5%。Liu等[60]通過將Zn（Ⅱ）替換成Mn（Ⅱ），合成了一種四面體結構的0D C6N2H16MnBr4單晶，該化合物呈現明亮的綠光發射，PLQY 為82%。有趣的是，當C6N2H16MnBr4暴露于空氣中24 h 后，它可以轉變為不發光的C6N2H16MnBr4（H2O）2。此外，上述兩個化合物可以通過吸水和脫水的方式相互轉換，相應的發光顏色也可以在綠光和不發光之間來回轉換。利用這一特性，作者通過在濾紙上涂覆C6N2H16MnBr4制備了可擦寫PL 紙，其具有高分辨率和優良的“寫-擦-寫”循環性能。

圖4 （a）TPPCl、（TPP）2SbCl5、（TPP）2MnCl4和（TPP）2ZnCl4單晶在日光、紫外光激發和去除紫外光激發后的光學照片［56］；（b）~（c）上述四種化合物的PL 光譜和壽命衰減曲線［56］；（d）（C4N2H14Br）4SnBr6 的PL 光譜［57］；（C4H14N2）2In2Br10 的PLE、PL 光譜（e）、CIE 色度圖（f）［58］。Fig.4 （a）Optical photos of TPPCl，（TPP）2SbCl5，（TPP）2MnCl4，and （TPP）2ZnCl4 single crystals under sunlight，UV light，and after removing the UV excitation［56］. （b）-（c）PL spectra and lifetime decay curves of the above four compounds［57］.（d）PL spectra of （C4N2H14Br）4SnBr6［57］. PLE and PL spectra（e），CIE chromaticity diagrams（f） of （C4H14N2）2In2Br10［58］.

5.2 鹵素離子類型

鹵素離子的類型同樣對0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的發光物理機制有著十分重要的影響。Li 等[61]報道了一系列鹵素雜化的0D 有機-無機雜化金屬鹵化物（C9NH20）9Pb3Zn2Br19（1-x）Cl19x（x= 0~1）單 晶，如 圖5（a）所 示，隨 著 鹵 素 雜 化 后，（C9NH20）9Pb3Zn2Br19（1-x）Cl19x（x= 0~1）的發光顏色逐漸由黃光調諧至到綠光發射，相應的CIE 色坐標則由（0.405，0.549）轉變為（0.178，0.599）。此外，隨著Cl-含量的增加，激發峰和發射峰逐漸藍移，PL 衰減壽命也由41.96 ns 增加至569.26 ns，相應的室溫PLQY 則由8%提高至91%（圖5（b））。綜合實驗表征和理論計算表明，帶間躍遷能的藍移是導致發射峰移動的主要原因。此外，隨著Cl-含量的增加，增強的電-聲子相互作用和減弱的熱輔助非輻射復合產生了更有效的輻射躍遷通道，并最終增強PLQY。Ma 課題組[62]報道了兩種0D八面體結構的Sn（Ⅱ）基金屬鹵化物，（C4N2H14Br）4-SnBr6和（C4N2H14I）4SnI6，它 們 均 源 于STEs 發 射（圖5（c））。（C4N2H14Br）4SnBr6呈現明亮的黃光發射，其發射峰位于570 nm，FWHM 為105 nm，PL 衰減壽命為2.2 μs，斯托克斯位移為215 nm，相應的PLQY 高達（95 ± 5）%。對于（C4N2H14I）4SnI6，在365 nm 的紫外燈照射下發射出明亮的紅光，其發射峰位于620 nm，FWHM 為118 nm，PL 衰減壽命為1.1 μs，斯托克斯位移為210 nm，PLQY 相對較低，為（75 ± 4）%。Zhou 等[63]合成了一系列Mn（Ⅱ）基金屬鹵化物，（C24H20P）2MnCl4-xBrx（x= 0，1，2，3，4），盡管它們有著相似的PLE 和PL 光譜輪廓，然而隨著Br 含量的增加，它們的PL 衰減壽命逐漸減小，而PLQY 則逐漸升高（圖5（d）~（g））。一般來說，Cl 空位的形成能低于Br 空位的形成能，這進一步表明Br 的增加抑制了缺陷的形成，從而有助于增強PLQY[64]。

圖5 （a）（C9NH20）9Pb3Zn2Br19（1-x）Cl19x晶體在日光和紫外光照射下的光學照片［61］；（b）（C9NH20）9Pb3Zn2Br19（1-x）Cl19x晶體的PLE、PL 光譜以及PLQY［61］；（c）（C4N2H14Br）4SnBr6 和（C4N2H14I）4SnI6 晶體在日光和365 nm 紫外光照射下的光學照片［62］；（C24H20P）2MnCl4-xBrx（x = 0，1，2，3，4）的PLE 和PL 光譜（d）、壽命衰減曲線（e）、PLQY（f）和光學照片（g）［63］。Fig.5 （a）Optical photos of （C9NH20）9Pb3Zn2Br19（1-x）Cl19x crystal under sunlight and UV irradiation［61］.（b）PLE，PL spectra，and PLQY of （C9NH20）9Pb3Zn2Br19（1-x）Cl19x crystal［61］. （c）Optical photos of （C4N2H14Br）4SnBr6 and （C4N2H14I）4SnI6 crystal under sunlight and UV irradiation［62］. PLE and PL spectra（d），lifetime decay curves（e），PLQY（f） and optical photos（g） of （C24H20P）2MnCl4-xBrx（x = 0，1，2，3，4）［63］.

5.3 抗衡有機陽離子的類型

在金屬光學活性中心中引入不同類型的抗衡有機陽離子是目前0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的研究熱點之一。Li 等[65]合成兩種金字塔構型的Sb（Ⅲ）基金屬鹵化物，（TTA）2SbCl5和（TEBA）2SbCl5單晶，當用360 nm 紫外光激發時，這兩種化合物均呈現單一的寬帶橘紅光發射，而它們的發光峰分別位于625 nm和590 nm，相應的PLQY 分別為86%和98%（圖6（a）~（d））。當用300 nm 的 高 能 光 子 激 發 時，（TTA）2SbCl5和（TEBA）2SbCl5均出現一個新的高能發射峰，表現為雙峰發射。相比于（TEBA）2SbCl5，（TTA）2SbCl5的高能發射峰有著更高的相對強度，這也導致了其在300 nm 激發時，表現為暖白光發射，相關色溫（CCT）為2 248 K，顯色指數（CRI）為84。Song等[66-67]報道了兩種0D Sn（Ⅳ）基金屬鹵化物，（C6N2H16Cl）2SnCl6和（C5N2H14）SnCl6單晶，盡管這兩種化合物都是八面體結構，但是它們的光學性質卻截然不同。（C6N2H16Cl）2SnCl6為藍光發射，而（C5N2H14）SnCl6則為白光發射，CRI高達97。Wu等[68]報道了兩種四面體結構的Mn（Ⅱ）基金屬鹵化物，[pyrrolidinium]2MnBr4和[N-methylpyrrolidinium]2-MnBr4。前者在紫外光的激發下表現出非常強的綠光發射，其發射峰位于525 nm，PLQY 高達51.41%（圖6（e））；后者在紫外光的激發下呈現出不同尋常的橘紅光發射，其具有雙峰發射，分別位于526 nm 和608 nm（圖6（f））。Mao 等[69]合成了5種不同的Mn（Ⅱ）基金屬鹵化合物，AmMnBr4單晶（m=1 或2，A=DMA，3MP，3AMP，HEP，TMPEA），盡管這些化合物都呈現綠光發射，但是它們的光學性質截然不同。通過研究這些材料的晶體結構和光學性質，發現Mn-Mn 距離和其PLQY 之間有著密切的聯系。當Mn-Mn 的距離較長時，Mn（Ⅱ）基金屬鹵化物有著更高的PLQY，這種現象可以看作是濃度猝滅效應的一種表現形式。為了更好地增加Mn-Mn 的距離，防止能量轉移，提高Mn（Ⅱ）基金屬鹵化合物的PLQY，選擇體積大的有機陽離子是一種比較理想的途徑。

圖6 （a）、（c）（TTA）2SbCl5和（TEBA）2SbCl5的PLE 和PL 光譜［65］；（b）、（d）（TTA）2SbCl5和（TEBA）2SbCl5粉末在日光和365 nm 紫 外 光 照 射 下 的 光 學 照 片［65］；（e）、（f）［pyrrolidinium］2MnBr4 和［N-methylpyrrolidinium］2MnBr4 的PLE 和PL 光譜［68］。Fig.6 PLE and PL spectra of （TTA）2SbCl5（a） and （TEBA）2SbCl5（c），respectively［65］. Optical photos of （TTA）2SbCl5（b） and（TEBA）2SbCl5（d） powders under sunlight and 365 nm UV irradiation，respectively［65］. PLE and PL spectra of （TTA）2Sb-Cl5（e） and （TEBA）2SbCl5（f），respectively［68］.

5.4 金屬光學活性中心的配位場變化

通過調控金屬光學活性中心的配位結構從而獲得優異性能的發光材料也吸引著眾多研究者的關注。Gong 等[70]合成了兩種0D Pb（Ⅱ）基金屬鹵化物，[PP14]2[PbBr4]和[PP14]9[PbBr4]2[Pb3Br11]單晶。前者為雙楔構型的[PbBr4]2-團簇結構，其在紫外光的激發下呈現藍光發射；后者包含一個面共享[Pb3Br11]5-三聚體和兩個獨立的[PbBr4]2-四面體結構，其在紫外光的激發下呈現綠光發射（圖7（a）~（b））。當加熱化合物[PP14]2[PbBr4]時，其可以轉變為[PP14]9[PbBr4]2[Pb3Br11]，相應的發光顏色也由藍光逐漸轉變為綠光發射，并且在一周后其又轉變為藍光發射的[PP14]2[PbBr4]（圖7（c））；而對于綠光發射的化合物[PP14]9[PbBr4]2[Pb3Br11]，當加熱后該化合物并不會轉變為藍光發射的[PP14]2[PbBr4]。利用這一光學特性，作者開發了一種信息防偽和加密的多模動態熒光安全油墨。Zhou 等[71]報道了兩種0D Sb（Ⅲ）基金屬鹵化物，（C12H28N）2SbCl5和（C12H28N）SbCl4單晶。（C12H28N）2SbCl5為金字塔構型的[SbCl5]2-團簇結構，其在紫外光的激發下呈現明亮的黃光發射；而（C12H28N）SbCl4為雙楔構型的[SbCl4]-團簇結構，其在紫外光的激發下并不發光（圖7（d）~（f））。Sun等[72]合成兩種0D Mn（Ⅱ）基金屬鹵 化 物，（C4NOH10）5Mn2Cl9·C2H5OH 和（C4NOH10）2-MnCl4。前者為0D 面共享的[Mn2Cl9]5-二聚體結構，其在紫外光的激發下呈現紅光發射；而后者是0D 四面體[MnCl4]2-團簇結構，其在紫外光的激發下呈現綠光發射。當加熱化合物（C4NOH10）5Mn2Cl9·C2H5OH 時，其發光顏色可以由紅光逐漸轉變為綠光發射，相應的晶體結構也由[Mn2Cl9]5-二聚體轉變為[MnCl4]2-四面體。Chen 等[73]合成了兩種Cu（Ⅰ）基金屬鹵化物，[N（C3H7）4]2[Cu4Br6]和[N（C3H7）4][CuBr2]，它們有著不同的晶體結構，相應的光學性質也有著極大的不同。[N（C3H7）4]2[Cu4Br6]為橘紅光發射，發光峰位于664 nm，PLQY 為87%；而[N（C3H7）4][CuBr2]為 綠 光 發 射，發 光 峰 位 于507 nm，PLQY 為83%。Zhou 等[48]通過引入不同含量的有機胺，合成了兩種Sn（Ⅱ）基金屬鹵化物，分別 為1D C4H14N2SnBr4和0D （C4N2H14Br）4SnBr6。C4H14N2SnBr4在紫外光的照射下并不發光，而（C4N2H14Br）4SnBr6則呈現明亮的黃光發射。有趣的是，在紫外光照射下，C4H14N2SnBr4可以逐漸轉變為（C4N2H14Br）4SnBr6和SnBr2，相應的晶體結構也由1D 轉變為0D，而發光強度也隨著紫外光照射時間的增加而逐漸增強（圖7（g）～（h））。

圖7 ［PP14］2［PbBr4］（a）和［PP14］9［PbBr4］2［Pb3Br11］（b）的晶體結構以及相應化合物在日光和紫外光照射下的光學照片（c）70］；（C12H28N）2SbCl5（d）和（C12H28N）SbCl4（e）的晶體結構以及相應化合物在日光和紫外光照射下的光學照片（f）［71］；（g）C4H14N2SnBr4晶體在不同光照時間下的光學照片［48］；（h）1D C4H14N2SnBr4到0D （C4N2H14Br）4SnBr6的光誘導結構轉變反應過程［48］。Fig.7 Crystal structure of［PP14］2［PbBr4］（a） and ［PP14］9［PbBr4］2［Pb3Br11］（b），as well as optical photos of corresponding compounds under sunlight and UV irradiation（c）［70］. Crystal structure of （C12H28N）2SbCl5（d） and （C12H28N）SbCl4（e），as well as optical photos of the corresponding compounds under sunlight and UV irradiation（f）［71］.（g）Optical photos of C4H14N2SnBr4 crystal under different illumination time［48］. （h）Reaction process of photoinduced structural transformation from 1D C4H14N2SnBr4 to 0D （C4N2H14Br）4SnBr6［48］.

6 0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的光電應用

由于0D 有機-無機雜化金屬鹵化物結構的多樣性和優異的光電性能，其在LEDs、閃爍體、傳感器等領域得到了廣泛的關注。

6.1 LEDs

除了傳統的白熾燈和熒光燈，LEDs 燈在過去一段時間已經徹底改變了固態照明（SSL）。近年來，大量高效發射的0D 有機-無機雜化金屬鹵化物被報道出來，得益于其卓越的光物理特性，包括可忽略的自吸收、發射顏色可調和高的發光效率，使其成為LEDs 的理想候選材料。Chen 等[74]報道了一種In（Ⅲ）基金屬鹵化物（PMA）3InBr6，其發射峰位于610 nm，表現出強的寬帶橘紅光發射。然后，將（PMA）3InBr6粉末、綠色熒光粉Ba2SiO4∶Eu2+和藍色熒光粉BaMgAl10O17∶Eu2+混合均勻并用365 nm 紫外芯片激發，最終獲得了白光LED 器件（圖8（a）），該器件的CRI 為87.0，CCT 為5 383 K。此外，Mn（Ⅱ）基金屬鹵化物具有被藍光激發的特性以及相對較高的PLQY 和熱穩定性，因此其在液晶顯示器的應用中顯示出巨大的潛力。Xia 課題組[75]報道了具有綠光發射的0D （C10H16N）2Mn-Br4單晶，其PLQY 高達88.75%，并且當溫度升高到150 ℃時，其PL 積分強度與室溫PL 積分強度相當，這表明沒有熱猝滅發生。此外，他們還通過在InGaN LED 芯片（λem= 450 nm）上涂覆（C10H16N）2-MnBr4粉末和紅色熒光粉K2SiF6∶Mn4+，成功制備了高性能白光LED（WLED），該器件的發光效率高達120 lm∕W，CIE 色坐標為（0.305 4，0.308 8），CCT 為7 218 K。Zhou 等[76]合成了兩種不同配位結構的0D Mn（Ⅱ）基金屬鹵化物，分別為四面體結構的（C5H14N3）2MnBr4和面共享八面體三聚體結構 的（CH6N3）2MnBr4。 然后將綠光發射的C4H12NMnCl3和紅光發射的（C8H20N）2MnBr4粉末混合后并用InGaN 藍光芯片（λem= 460 nm）激發，得到了發光效率為51.2 lm∕W 的WLED，該器件的CRI 為90.8，CCT 為3 709 K，CIE 色 坐 標 為（0.398 5，0.397 9）（圖8（b））。最近有研究表明，0D 有機-無機雜化金屬鹵化物可以實現單組分的白光發射，如（C6H8N）6InBr9[29]、（C3H11N3O）2PbBr6·H2O[77]和（HMEDA）CdBr4[78]。然而，它們相對較低的PLQY 或CRI 嚴重限制了其應用范圍。為了克服這一問題，最近我們課題組[50]報道了一種具有高效發射的0D有機Cu（Ⅰ）碘化物[（C3H7）4N]2-Cu2I4，其在紫外光的激發下呈現高效的純白光發射，顯色指數為92.2，色坐標為（0.33，0.35），相應的發光效率高達91.9%，這是目前已有報道的0D 有機-無機雜化金屬鹵化物單組分白光發射的最高值（圖8（c））。

圖8 （a）基于（PMA）3InBr6的WLED 的發射光譜［74］；（b）基于（C5H14N3）2MnBr4和（CH6N3）2MnBr4的WLED 的發射光譜［76］；（c）基于［（C3H7）4N］2Cu2I4的WLED 的發射光譜，插圖為WLED 的光學照片［50］；（d）基于TEA2Cu2Br4的電致發光LED器件的能級圖［79］；（e）在不同電壓下，LED 的電流效率和EQE［79］；（f）基于（ABI）4MnBr6在不同驅動電壓下的電致發光光譜，插圖為LED 的光學照片［81］。Fig.8 （a）Emission spectrum of WLED based on（PMA）3InBr6［74］. （b）Emission spectra of WLED based on（C5H14N3）2MnBr4 and （CH6N3）2MnBr4［76］. （c）Emission spectrum of WLED based on ［（C3H7）4N］2Cu2I4，the inset shows the photographs of WLED［50］.（d）Energy level diagram of TEA2Cu2Br4 based electroluminescent LED device［79］.（e）Current efficiency and EQE of LEDs at different voltages［79］. （f）Electroluminescent spectra based on （ABI）4MnBr6 under different driving voltages［81］.

值得注意的是，具有高效發射的0D 有機-無機雜化金屬鹵化物還可以用作電致發光LED 的發射層。Liu 等[79]利用高發射率的0D TEA2Cu2Br4作 為 發 射 層，制 備 了 結 構 為Glass∕ITO∕PEDOT∶PSS∕TEA2Cu2Br4∕TPBi∕LiF∕Al 的 藍 光 發 射 的LED（圖8（d））。結果表明，該器件的最大亮度為85 cd∕m2，外量子效率（EQE）為0.11%（圖8（e））。類似地，Li 等[80]以具有高效發射的0D （MePPh3）2Sb-Cl5作為發射層，制備了橘紅光發射的LED，該器件的最大亮度為3 500 cd∕m2，電流效率為6.8 cd∕A，EQE 為3.1%。 盡 管 最 近 的 研 究 表 明，以（ABI）4MnBr6作為發射層制造的LED 的最大EQE可以達到9.8% （圖8（f））[81]，但是與基于CsPbBr3作為發射層制造的LEDs 的性能還相差甚遠[82]。其主要原因如下：（1）0D 有機-無機雜化金屬鹵化物具有大的帶隙，導致了差的電荷注入和低的電荷載流子遷移率；（2）在0D 有機-無機雜化金屬鹵化物中，大的有機配體嚴重阻礙了載流子的傳輸；（3）0D 有機-無機雜化金屬鹵化物較差的穩定性可能導致器件無法在高溫下正常工作[8,83]。因此，0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的電致發光LED 的應用研究還處于早期階段，未來還需要繼續努力，從而更好地發揮其在高性能電致發光LED 中的應用潛力。

6.2 閃爍體

最近的研究表明，0D 有機-無機雜化金屬鹵化物在高能X 射線的激發下可以發射出低能可見光子，因此在閃爍體領域中有著很好的應用前景。使用0D 有機-無機雜化金屬鹵化物作為閃爍體材料的優點主要如下：（1）高度局域化的發射中心；（2）可忽略的自吸收以及高的發光強度；（3）重元素對X 射線的高吸收率[8]。Morad 等[84]首次報道了0D 有機-無機雜化金屬鹵化物（Bmpip）2MBr4（M= Pb，Sn）可以將X 射線轉換為可見光，當用50 kV Ag X 射線管激發時，（Bmpip）2PbBr4和（Bmpip）2SnBr4表 現 出 與 商 業閃 爍NaI∶Tl 相 當 的 輻 射 發 光 強 度（圖9（a）~（b））。Meng 等[85]通過溶液法制備了一種具有高效發射的0D Sb（Ⅲ）基金屬鹵化物，C50H44P2Sb-Cl5單 晶，其PLQY 高 達98.42%。在X 射 線 的 激發下，C50H44P2SbCl5單晶呈現明亮的黃紅光發射，其光產額為44 460 photons∕MeV（圖9（b）），遠高于市場上常見的商用閃爍體材料LuAG∶Ce（22 000 photons∕MeV）和LYSO（33 200 photons∕MeV）。此外，C50H44P2SbCl5的檢測限為16.29 nGyair∕s，遠 低 于 常 規 醫 學 診 斷 的 要 求 值（5.5 μGyair∕s）。C50H44P2SbCl5單晶也表現出顯著的穩定性，在空氣中儲存半年后，其性能幾乎沒有變化。最近，Han 等[86]分別通過常規固態燒結、冷燒結工藝和籽晶誘導冷燒結工藝成功制備了TPP2MnBr4陶瓷。結果表明，籽晶誘導冷燒結工藝可以誘導晶體的取向生長，從而有效減小光散射，制得高透明閃爍陶瓷（圖9（c））。此外，籽晶誘導冷燒結工藝成功制備的TPP2MnBr4透明陶瓷還具有優異的閃爍性能，其光產額為（78 000 ± 2 000） photons∕MeV，檢測限為8.8 nGyair∕s，能量分辨率為17%。此外，將其作為X 射線閃爍屏應用到X 射線成像，其空間分辨率高達15.7 lp∕mm。

圖9 （a）NaI∶Tl、（Bmpip）2PbBr4和（Bmpip）2SnBr4的輻射發光（RL）光譜以及在相同激發光源下的歸一化光子總量和其紫外光與X 射線照射下的光學照片［84］；（b）C50H44P2SbCl5 的PL 和RL 光譜，插圖為C50H44P2SbCl5 在X 射線激發下的光學照片和晶體結構［85］；（c）常規固態燒結、冷燒結工藝和籽晶誘導冷燒結工藝制備厚度為0.5 mm TPP2MnBr4陶瓷的透光率［86］；（d）從常規固態燒結、冷燒結工藝和籽晶誘導冷燒結工藝獲得的X 射線圖像的調制傳遞函數［86］。Fig.9 （a）X-ray fluorescence spectra of NaI∶Tl，（Bmpip）2PbBr4 and （Bmpip）2SnBr4，as well as the normalized total amount of photons comparison with the same X-ray excitation source and the optical images under daylight，UV irradiation（365 nm），and X-ray irradiation［84］. （b）PL and RL spectra of C50H44P2SbCl5，and the inset shows the optical image under Xray excitation and crystal structure of C50H44P2SbCl5［85］. （c）Light transmittance of conventional solid-state sintering，cold sintering process，and seed-crystal-induced cold sintering process with thicknesses of 0.5 mm［86］. （d）Modulation transfer functions of X-ray images obtained from conventional solid-state sintering，cold sintering process，and seed-crystal-induced cold sintering process［86］.

6.3 傳感器

0D 有機-無機雜化金屬鹵化物在熱、濕氣和揮發性有機溶劑等外部環境的刺激下，光學性能會發生一定的變化，這使其成為各種類型傳感器的潛在候選材料。本課題組通過溶液法合成了一種具有藍白光發射的Cu（Ⅰ）基金屬鹵化物（Gua）3Cu2I5單晶，其發光峰位于481 nm[87]。有趣的是，由于高溫下的結構相變，該化合物呈現出可逆的熱致變色特性，其可以通過加熱或冷卻處理在短時間內實現藍白光和黃光發射之間來回轉變（圖10（a）~（b）），這表明（Gua）3Cu2I5在溫度標定領域有著巨大的應用潛力。Zhao 等[88]通過調控不同的外部刺激，發現不發光的0D 有機Sb（Ⅲ）基金屬鹵化物[Ph3EtP]2Sb2Cl8在乙醇的處理下可以轉變為黃光發射的[Ph3EtP]2SbCl5·EtOH，此外其在加熱處理下可以進一步轉變為紅光發射的[Ph3EtP]2SbCl5（圖10（c））。基于這種0D 有機Sb（Ⅲ）基金屬鹵化物獨特的三重外部刺激響應發光特性，作者進一步展示了其在光學防偽、信息加密-解密中的應用。此外，我們還在C4H14N2MnBr4單晶中發現了靈敏且可逆的熱致變色特性，即C4H14N2MnBr4單晶在室溫下呈現橘紅光發射，但隨著溫度的降低（80 K）或者升高（490 K），該化合物會逐漸轉變為綠光發射。這是該體系中溫度依賴的自旋耦合與電聲子耦合系數的協同調控所導致的[89]。

圖10 （a）（Gua）3Cu2I5的晶體結構和晶體的光學照片［87］；（b）（Gua）3Cu2I5的高溫PL 光譜［87］；（c）基于0D 有機Sb（Ⅲ）基金屬鹵化物在熒光防偽和信息加密中的應用［88］。Fig.10 （a）Crystal structure and optical images of （Gua）3Cu2I5［87］. （b）High-temperature PL spectra of （Gua）3Cu2I5［87］. （c）Application of 0D organic Sb （Ⅲ）-based metal halides in fluorescence anti-counterfeiting and information encryption［88］.

6.4 其他領域

除了優異的發光特性，0D 有機-無機雜化金屬鹵化物在太陽能電池、光電探測器和鐵電體等領域也展現出了巨大的應用潛力。Hoefler 等[90]通過使用間接帶隙的Bi（Ⅲ）基金屬鹵化物（CH3NH3）6-BiI5.22Cl3.78作為吸收層，制造了結構為glass∕ITO∕致 密TiO2∕介 孔TiO2∕（CH3NH3）6BiI5.22Cl3.78∕spiro-OMeTAD∕Au 的太陽能電池，該器件的最大功率轉換效率為0.18%，填充系數接近60%。Zhang 等[91]通過使用0D （CH3NH3）3[BiI6]作為吸收層，進一步將功率轉換效率提高至1.09%。在光電探測器的應用方面，最近我們課題組通過使用0D Sn（Ⅱ）基金屬鹵化物C16H36NSnCl3作為活性層，制備了一種 結 構 為Au∕C16H36NSnCl3∕Au 的 超 短 紫 外 線 光 電探測器[92]。在-5 V 的電壓和0.36 mW∕cm2的光照下（254 nm），該器件的響應度為7.3 mA∕W，比探測率為1.67×1011Jones。此外，該器件在空氣濕度為60%的環境中放置7 d 后，仍能保持79%的初始性能，顯示出較長的使用壽命。對于鐵電器件，熊仁根組[93]報道了一種有機-無機雜化分子鐵電體[Cyclopentylammonium]2CdBr4，其顯示出高于室溫的居里溫度（340.3 K）。在[Cyclopentylammonium]2CdBr4中，從Pnam到Pna21的鐵電相變機制歸因于有機陽離子和無機陰離子的有序-無序轉變，在鐵電相中的飽和極化值為0.57 μC∕cm2。

7 總結與展望

近些年來，大量的0D 有機-無機雜化金屬鹵化物被報道，它們具有多樣性的結構和豐富的光物理性質。本文在首先介紹0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的溶液合成方法、晶體結構特征和發光物理機制的基礎上，進一步綜述了近年來0D 有機-無機雜化金屬鹵化物發光物理機制的調控以及光電方面的應用。其優異的光學性能，特別是顏色可調、發光效率高、壽命長等特點，使其成為一種應用于光電子器件領域的潛在候選材料。但0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的發展也存在一些問題與挑戰，主要如下：

（1）鉛固有的毒性極大地限制了0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的進一步發展，因此開發具有高效發射以及優異穩定性的0D 無鉛有機-無機雜化金屬鹵化物是當下的研究重點。

（2）目前報道的大多數0D 有機-無機雜化金屬鹵化物通常具有較差的濕氣穩定性。通過引入對潮濕空氣不太敏感的大體積或剛性有機陽離子，可以進一步提高0D 材料的防潮穩定性。此外，由于有機離子的存在，0D 有機-無機雜化金屬鹵化物通常表現出較差的熱穩定性。為了解決這個問題，用堿金屬（例如，Na+、K+、Rb+或Cs+）部分取代A位的有機離子，是目前有望改善其熱穩定性的有效策略。

（3）目前的研究認為，在0D 有機-無機雜化金屬鹵化物中觀察到的寬帶發射源于STE。但關于STE 如何形成，STE 態、結構畸變和載流子-聲子耦合之間的關系以及STE 的復合過程還有待于進一步探索。此外，金屬鹵化物的配位構型、金屬鹵化物多面體的畸變程度、金屬光學活性中心的間距等因素對STE 發光物性的影響還需進一步研究。飛秒時間分辨光譜作為一種成熟的研究激發態動力學過程的有效手段，在未來可能提供有效的解決方案。

（4）盡管0D 有機-無機雜化金屬鹵化物具有高效的寬帶發射，但目前報道的以綠光、黃光和紅光發射為主，開發具有高效藍光發射以及近紅外發射的0D 有機-無機雜化金屬鹵化物仍然是一項巨大的挑戰。此外，還可以開發兼具高效發射和高CRI 的單組分白光發射的0D 有機-無機雜化金屬鹵化物。

（5）基于0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的光電效率有待進一步提高。在光致WLED 應用方面，盡管0D 有機-無機雜化金屬鹵化物具有高效的寬帶發射和優異的環境穩定性，然而由于其較寬的帶隙，導致其吸收波段主要集中在紫外區域（< 400 nm），這使得它們只能在紫外芯片的激發下實現白光發射。由于紫外芯片發光功率的限制，制備的WLED 的流明效率較低，嚴重限制了其在固態照明中的應用。因此，開發在藍光激發下的高效發射的0D 有機-無機雜化金屬鹵化物，并將其與商用藍光LED 芯片匹配，制備高性能WLED 應當是未來努力的方向。此外，通過離子摻雜策略或合金化的途徑來調節電子結構以調控0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的激發波長范圍是個可行的策略。另外，為進一步提高電致LED 的發光效率，可通過在器件中引入合適的電子和空穴傳輸層來平衡載流子的注入。在閃爍體的應用方面，0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的閃爍壽命應進一步縮短，以實現快速動態實時X 射線成像應用。考慮到0D 有機-無機雜化金屬鹵化物的離子特性和較低的形成能，其在不同的外部刺激下可以實現發光顏色的轉變，因此利用這一特性，可進一步探索其在多重熒光防偽和信息加密中的應用。在未來，可以探索0D 有機-無機雜化金屬鹵化物在多重外部刺激下的光學響應，以實現其對信息的多重加密防護。

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