更正: 基于55 nm DICE 結構的單粒子翻轉效應模擬研究[物理學報 2024,73(6): 066103]
2024-04-27 06:11:00張幸劉玉林李剛燕少安肖永光唐明華
物理學報 2024年7期
張幸 劉玉林 李剛 燕少安 肖永光 唐明華
《物理學報》2024 年第73 卷第6 期第066103 頁《基于 55 nm DICE 結構的單粒子翻轉效應模擬研究》一文中,因作者的疏忽導致圖文標注錯誤,特此更正,并誠摯地向讀者致歉.圖7(b)圖例內容更正如下:
圖7 不同LET 值入射時DA 節點電位變化圖 (a) 轟擊DN3 晶體管時DA 節點的電位變化圖;(b) 轟擊DP4 晶體管時DA 節點的電位變化圖Fig.7.Voltage variation diagram of DA node when particle incidents by different LET value: (a) Voltage variation diagram of DA node when bombarding DN3 transistor;(b) voltage variation diagram of DA node when bombarding DP4 transistor.
1) LET 值為10 MeV·cm2/mg 時,DA 節點瞬態脈沖寬度為0.22 ns;
2) LET 值為15 MeV·cm2/mg 時,DA 節點瞬態脈沖寬度為0.30 ns;
3) LET 值為20 MeV·cm2/mg 時,DA 節點瞬態脈沖寬度為0.38 ns.
更正后的圖7 如下所示.
