鎢鎳共摻雜 V2O5薄膜的光電特性研究

王興萍 李毅 莊嘉慶 閆俊屹 梅金城

摘要：利用溶膠–凝膠旋涂法和后退火工藝在FTO 導(dǎo)電玻璃上制備了鎢鎳共摻雜 V2O5薄膜，研究了薄膜在不同溫度和不同偏壓下的光電特性和相變特性。利用 X射線衍射儀（XRD）、掃描電子顯微鏡（SEM）和 X 射線光電子能譜儀（XPS）測試了鎢鎳共摻雜 V2O5薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌和組分，分析了不同鎢鎳共摻雜濃度對 V2O5薄膜相變光電特性的影響。結(jié)果表明，當(dāng)鎢和鎳的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為3%和1.5%時(shí)，鎢鎳共摻雜的 V2O5薄膜的相變溫度為218.5℃， 在可見光范圍內(nèi)有較高的透過率，在近紅外1310 nm 波長處的光學(xué)透過率達(dá)48.83%，與未摻雜 V2O5薄膜的光學(xué)透過率相比提高了10.29%，薄膜電阻降低了30.53%，熱致回線寬度收窄為15℃， 說明鎢鎳共摻雜的 V2O5薄膜具有良好的可逆相變光電特性，有望在新型光電器件領(lǐng)域得到較好的應(yīng)用。

關(guān)鍵詞：鎢鎳共摻雜；V2O5薄膜；溶膠–凝膠；熱致相變；光學(xué)透過率；薄膜電阻

中圖分類號： TO 484.4/TO 484.5 文獻(xiàn)標(biāo)志碼： A

Preparation of tungsten-nickel co-doped V2O5 films by sol-gelmethod and photoelectric properties of thermally inducedphase transition

WANG Xingping1，LI Yi1，2，ZHUANG Jiaqing1，YAN Junyi1，MEI Jincheng1

（1. School of Optical-Electrical and Computer Engineering， University of Shanghai forScience and Technology， Shanghai 200093， China;

2. Shanghai Key Laboratory of Modern Optical Systems， University of Shanghai forScience and Technology， Shanghai 200093， China）

Abstract： In this paper， tungsten-nickel co-doped V2O5 films were prepared on FTO conductive glass by using sol-gel spin coating and annealing to study their photoelectric and phase transition propertiesatdifferenttemperaturesanddifferentbiasvoltage. Thecrystalstructure，surface morphology and components of tungsten-nickel co-doping V2O5 films were tested by XRD， SEM and XPS to analyze the effects of different tungsten-nickel co-doping concentrations on the phase transitionphotoelectricpropertiesofV2O5films. Theresultsshowthatwhenthedopingconcentrations of tungstenand nickel were respectively 3% and 1.5%， tungsten-nickel co-doped V2O5 films had a phase transition temperature of 218.5℃， a higher transmittance in the visible light range and the transmittance of 48.83% at 1310 nm wavelength. Comparing with the undoped V2O5 films， the optical transmittance and sheet resistance of the co-doped V2O5 films increased 10.29% anddecreased 30.53%，respectively，andthethermalhysteresisloopwidthwasalso narrowed to 15 ℃. It is expected to have better applications in the field of new optoelectronic devices based on their excellent reversible phase transition photoelectric properties.

Keywords： codopingof tungstenand nickel; V2O5 film; sol-gel; thermotropic phase transition; optical transmittance; sheet resistance

引言

釩氧化物的氧化態(tài)從 V2+到 V5+，其中 V2O5 是釩化學(xué)價(jià)態(tài)最高的氧化物，常見的有α-V2O5，另外還有其同質(zhì)異型體β-V2O5、γ-V2O5、ω-V2O5 以及 MxV2O5釩青銅[1]，它們具有層狀結(jié)構(gòu)，在室溫下是 n 型半導(dǎo)體，具有正交晶體結(jié)構(gòu)[2-3]，能同時(shí)注入電子和離子，具有良好的相變可逆性和長周期循環(huán)穩(wěn)定性[1]。此外，它們還具有寬的帶隙（2.2～2.4 eV）、高吸收系數(shù)、熱穩(wěn)定性[3]，當(dāng)溫度達(dá)到257℃左右時(shí)，可由半導(dǎo)體態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘賾B(tài)[4]。因其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)及其在電學(xué)、光學(xué)、物理化學(xué)和離子導(dǎo)電性等方面具有的優(yōu)良性能，其在光電器件[5]、鋰離子電池[6]、電致變色顯示器件[7]、氣敏傳感器[8]、超級電容器[9]等方面具有廣闊的應(yīng)用前景。

人們不斷探索在 V2O5薄膜中摻雜離子來提高其電學(xué)和光學(xué)性能。Baltakesmez等[11]采用噴霧熱解技術(shù)成功地沉積了鎢摻雜 V2O5納米結(jié)構(gòu)薄膜，對未摻雜和摻鎢 V2O5薄膜進(jìn)行了對比分析。測試結(jié)果表明，在不同鎢摻雜濃度下，晶相發(fā)生變化，晶粒尺寸增大，位錯(cuò)減少，應(yīng)力降低[9]。隨著摻雜濃度的增加，單斜相 VO2減少，摻入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%鎢的 V2O5薄膜存在α-V2O5和β-V2O5的混合相[10-14]。在400℃退火溫度下，堿性前驅(qū)體溶液制備的未摻雜薄膜具有較小的納米結(jié)構(gòu)形貌，而在相同實(shí)驗(yàn)條件下，不同鎢摻雜濃度的薄膜具有明顯增強(qiáng)的納米結(jié)構(gòu)形貌。拉曼光譜表明薄膜表面由于對氧吸收的高度依賴性，在納米棒生長過程中起重要作用的擴(kuò)散現(xiàn)象，經(jīng)鎢摻雜后得到了增強(qiáng)[15]。鎢摻雜的 V2O5納米棒中的光致發(fā)光猝滅，表明納米棒長度增加使表面態(tài)可能起到陷阱作用，從而降低激子發(fā)射。此外，薄膜的帶隙和介電常數(shù)等電子特性也發(fā)生一定的變化[16]。

Jeyalakshmi 等[15]采用溶膠–凝膠旋涂法，分別在300℃的 FTO 導(dǎo)電玻璃和玻璃基板上制備了不同鎳摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)（2.5%～10%）的 V2O5薄膜電極。通過循環(huán)伏安法測量研究了其電化學(xué)特性，結(jié)果表明，鎳摻雜 V2O5使離子的插層和脫層增強(qiáng)[15-19]。鎳摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%的 V2O5薄膜在掃描速率為5 mV/s 時(shí)，其最大比電容為417 F/g，具有較好的離子擴(kuò)散能力和良好的循環(huán)穩(wěn)定性，可以觀察到含納米孔的納米棒結(jié)構(gòu)且這些薄膜表現(xiàn)出較好的電化學(xué)性能。從這些研究中得出結(jié)論，鎳在 V2O5中的最佳摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%，因?yàn)樵诖藫诫s條件下的比電容、功率和能量密度提高了20%。Suresh 等[19]采用熱分解法制備了鎳摻雜（0、2%、5%、7%）的 V2O5納米顆粒，結(jié)果表明，Ni2+離子在 V2O5晶格內(nèi)具有良好的摻雜性能，與純 V2O5相比，摻鎳V2O5納米顆粒表現(xiàn)出更強(qiáng)的多巴胺（DA）傳感性能。其中，鎳摻雜7%的 V2O5納米板修飾的玻璃碳電極對 DA 濃度在6.6～96.4μmol/L 范圍內(nèi)響應(yīng)靈敏，具有良好的電催化活性、靈敏度、再現(xiàn)性、重復(fù)性和長期穩(wěn)定性。Peng 等[20]研究了不同鎢摻雜濃度 V2O5/FTO 薄膜的熱致相變溫度，通過電阻和透過率測試分析了鎢摻雜對薄膜光電性能的影響。結(jié)果表明，質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%的鎢摻雜對 V2O5/FTO薄膜性能的改善最為有效。薄膜的相變溫度相對較低，從室溫到320℃薄膜的電阻降低了3個(gè)數(shù)量級[20-22]，但薄膜的電阻仍然較大。

眾多研究都是在 V2O5薄膜中摻入單一離子來改變其相變光電特性，但摻雜后的 V2O5薄膜其相變溫度仍然較高，相變熱滯回線的熱滯寬度較大，其電導(dǎo)率也比較低，近紅外光學(xué)透過率有待進(jìn)一步提高，這些不足限制了 V2O5在光電器件中的應(yīng)用。為了改善和提高 V2O5薄膜的光電性能，本文通過鎢鎳共摻雜 V2O5的方法，采用溶膠–凝膠旋涂法[23]和后退火工藝[24]在 FTO 導(dǎo)電玻璃基底上制備鎢鎳共摻雜 V2O5薄膜，探索具體的制備工藝和最佳的共摻雜濃度，從而使薄膜的光電性能滿足新型光電器件的需求。

1 實(shí)驗(yàn)

1.1 鎢鎳共摻雜 V2O5薄膜的制備

實(shí)驗(yàn)選用光譜純 V2O5（99.99%）粉末，分析純 H2O2（質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%）溶液，鎢酸銨粉末（99.95%），氧化鎳粉末（99.95%），選用的基底大小為20 mm×20 mm FTO 導(dǎo)電玻璃，其厚度為1 mm。采用 KW?4A 型臺式勻膠機(jī)和 SX2?4?10型箱式退火爐來實(shí)現(xiàn)溶膠–凝膠旋涂和后退火工藝，以制備不同鎢鎳共摻雜濃度的 V2O5薄膜。

具體制備實(shí)驗(yàn)流程如下。（1）將 FTO 導(dǎo)電玻璃基底依次放入裝有丙酮，無水乙醇以及去離子水的燒杯中，用 SK3300H 超聲波清洗機(jī)分別清洗15 min，再將其放入電恒溫干燥箱中進(jìn)行烘干。（2）用電子天平稱取 V2O5粉末、氧化鎳粉末、鎢酸銨粉末，用藥匙先把 V2O5粉末加入到裝有 H2O2溶液的燒杯中，并在室溫下持續(xù)攪拌大約2 min 后，溶液由淺黃色變?yōu)橥该鳌ｋS后，再依次加入氧化鎳粉末和鎢酸銨粉末，持續(xù)攪拌13 min 左右，溶液發(fā)生放熱反應(yīng)，顏色呈紅棕色后較快地轉(zhuǎn)變?yōu)橥该鳎詈笞兂珊稚＝又瑢⒀b有溶液的燒杯放入60℃恒溫水浴鍋中并持續(xù)攪拌，在20 min 左右溶液開始變成紅棕色，最終在45 min 后形成溶膠。（3）將 KW?4A 型臺式勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速設(shè)置在4000 r/min，把 FTO 導(dǎo)電玻璃基底放在勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)盤上，用膠頭滴管吸取適量的鎢鎳共摻雜 V2O5溶膠，再將其滴到導(dǎo)電玻璃基底上，旋涂時(shí)間均為10 s。（4）將制備好的鎢鎳共摻雜 V2O5膠狀薄膜樣品放置在箱式退火爐中進(jìn)行退火，退火溫度和退火時(shí)間分別為400℃和2 h，最終得到結(jié)晶的淡黃色鎢鎳共摻雜的 V2O5薄膜，薄膜的厚度約450 nm。

1.2 儀器表征

利用具有CuKa輻射（0.15418 nm）的 DX-2700多功能 X 射線衍射儀（XRD）表征了所制備的鎢鎳共摻雜 V2O5薄膜的晶體結(jié)構(gòu)。薄膜的表面形態(tài)由 PSIA 生產(chǎn)的 Hitachi S4800掃描電子顯微鏡（SEM）進(jìn)行表征。V2O5薄膜樣品表面上每種元素的相對含量比是通過美國 PHI 生產(chǎn)的 PHI5000CESCA X 射線光電子能譜儀（XPS）測量的。利用Lambda 1050UV/VIS/NIR 分光光度計(jì)測量了 V2O5薄膜在波長200～2000 nm 的光學(xué)透過率。采用KER3100-08S 溫控儀實(shí)現(xiàn)了樣品的精確控溫，控溫精度為±0.1℃。美國吉時(shí)利公司的4200-SCS 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀用于測試電流?電壓（I-V）特性和相變特性。

2 結(jié)果與討論

2.1 鎢鎳共摻雜 V2O5薄膜的光學(xué)特性

采用溶膠–凝膠旋涂法和后退火工藝在FTO 導(dǎo)電玻璃基底上制備了不同鎢鎳共摻雜濃度的 V2O5薄膜，還在相同工藝條件下制備了未摻雜的 V2O5薄膜。根據(jù)鎢摻雜 V2O5/FTO 薄膜的光電特性，以及大量前期的實(shí)驗(yàn)和研究結(jié)果，本實(shí)驗(yàn)將鎢的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)固定在3%，鎳的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為1%、1.5%、2%（%代表 W或 Ni 與 V 的質(zhì)量分?jǐn)?shù)）。表1給出了制備鎢鎳共摻雜 V2O5薄膜的不同摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)。圖1是未摻雜和不同鎢鎳共摻雜濃度的 V2O5薄膜的相變溫度，可以看出3#樣品的相變溫度為218.5℃。

通過測量不同鎢鎳共摻雜 V2O5/FTO 薄膜的透過率曲線，進(jìn)一步分析鎢鎳共摻雜對薄膜光學(xué)特性的影響。圖2顯示了未摻雜和不同鎢鎳共摻雜 V2O5薄膜的光學(xué)透過率。圖2（a）為利用分光光度計(jì)測量的鎢鎳共摻雜和未摻雜的 V2O5薄膜在室溫和200～2000 nm 波長范圍內(nèi)的光學(xué)透過率。可以看出在600～900 nm波段內(nèi)，鎢鎳共摻雜 V2O5薄膜的平均光學(xué)透過率較高達(dá)到65%左右。在900～2000 nm波段，其透過率逐漸降低，這是因?yàn)?FTO 導(dǎo)電玻璃基底和摻雜 V2O5薄膜共同疊加的結(jié)果，由于基底光學(xué)透過率特性的限制，導(dǎo)致薄膜的透過率隨波長增加而下降[25]。

與未摻雜的 V2O5薄膜相比，鎢鎳共摻雜的 V2O5薄膜的透過率明顯增加，這是因?yàn)殒u鎳共摻雜引入雜質(zhì)能級導(dǎo)致原來的禁帶寬度變化，吸收波長變長；同時(shí)鎢鎳共摻雜改變了 V2O5的表面形態(tài)，薄膜的結(jié)晶度和微觀結(jié)構(gòu)也有所改善。

圖2（b）顯示了3#樣品和1#樣品的 V2O5薄膜在900～1600 nm波長范圍，分別在20℃、270℃、350℃的光學(xué)透過率。可以看出，鎢鎳共摻雜和無摻雜的 V2O5薄膜，當(dāng)溫度從20℃升溫到270℃， 其在900～1600 nm 波長范圍的平均光學(xué)透過率都呈現(xiàn)降低的趨勢，這是因?yàn)?V2O5薄膜在高溫下內(nèi)部的晶粒發(fā)生了相變合成過程[26]。在低溫時(shí)屬于半導(dǎo)體相的透過率高，當(dāng)溫度高于相變溫度時(shí)，薄膜屬于金屬相的晶粒會形成反射層，導(dǎo)致入射光的透過率下降。即薄膜處于高溫的條件下所對應(yīng)的禁帶寬度相對較小，電子從價(jià)帶吸收光子能量躍遷到導(dǎo)帶的概率變大從而造成薄膜透過率降低。

通過圖2（b）對比鎢鎳共摻雜和無摻雜的情況，容易看出3#樣品在同等溫度條件下測得的透過率比無摻雜的高，說明摻雜使 V2O5薄膜的透過率明顯得到改善。

圖3給出了3#樣品在1310 nm 波長處的透過率–溫度變化曲線，可以看出摻雜 V2O5薄膜具有明顯的可逆相變光學(xué)特性。相變前后薄膜的光學(xué)透過率分別為62.51%和47.52%，相差為15%。

2.2 鎢鎳共摻雜 V2O5薄膜的形貌、結(jié)構(gòu)和組分

圖4給出了1#樣品和3#樣品的 XRD 圖譜。圖中可以看出鎢鎳共摻雜的 V2O5薄膜在15.56°、20.26°、26.29°、30.68°、34.00°、37.17°、47.56°、51.41°都具有非常尖銳的衍射峰，分別對應(yīng)表征為 V2O5的（200）、（001）、（110）、（301）、（310）、（101）、（600）、（211）晶面的衍射，與標(biāo)準(zhǔn)卡 JCPDS （41-1426）衍射峰位角幾乎一致。這表明在 FTO 導(dǎo)電玻璃上制備的鎢鎳共摻雜 V2O5薄膜在這些晶面具有一定的取向性。對比摻雜與未摻雜的情況，不難看出鎢鎳共摻雜的條件下，峰的2θ值逐漸變大，衍射峰的強(qiáng)度逐漸變小。這主要是由于鎢離子和鎳離子的半徑與釩離子的半徑存在差異，這會導(dǎo)致 V2O5薄膜點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)體積變化，當(dāng)鎳和鎢取代釩的位置后，使晶格發(fā)生畸變。圖中可以看出3#樣品 V2O5薄膜的衍射峰強(qiáng)度在20.26°、30.68°時(shí)衍射峰是最高的。這是因?yàn)殒u離子和鎳離子共同摻入到 V2O5晶格中形成了固溶相[20]。

圖5是3#樣品在0～1350 eV 下所測的 XPS圖譜。將圖5（a）和標(biāo)準(zhǔn)結(jié)合能數(shù)據(jù)庫對比，可以看出樣品中存在氧、釩、碳、鎢、鎳元素。圖5 （b）、（c）、（d）分別是將 V2p 、O1s 、W4f、Ni2p軌道高斯擬合的結(jié)果。在圖5（b）中，517.28 eV 、524.38 eV 、531.48 eV 為釩離子的特征峰； 531.28 eV 、536.38 eV 為 O1s 上氧離子對應(yīng)的特征峰。從圖5（c）中可以看出，在30.68 eV 和 40.18 eV 處的特征峰對應(yīng)的為鎢離子。圖5（d）中855.28 eV 、877.08 eV 、885.98 eV 處的特征峰對應(yīng)的為鎳離子，擬合曲線的分析結(jié)果說明鎢鎳共摻雜的 V2O5薄膜中主要以 W6+、Ni2+的價(jià)態(tài)形式存在。

圖6為3#樣品的摻雜 V2O5薄膜表面形貌 SEM 圖像。從圖6（a）中可以看出3#樣品表面致密、分層排列、分布相對均勻，但局部區(qū)域存在一定程度的條狀晶粒。當(dāng)鎢離子和鎳離子摻入到晶格中時(shí)，其離子半徑大小與被摻雜元素離子半徑大小的差異會產(chǎn)生應(yīng)變梯度，使得晶格發(fā)生畸變而改變其晶格參數(shù)[15]。圖6（b）顯示鎢鎳共摻雜 V2O5薄膜局部區(qū)域條狀晶粒的顯微結(jié)構(gòu)，這些條狀晶粒排列規(guī)則致密，有明顯晶界，改變了 V2O5薄膜的表面相貌和結(jié)構(gòu)，但未見相互糾纏的微晶結(jié)構(gòu)，從一個(gè)側(cè)面提供了鎢鎳共摻雜V2O5薄膜的光學(xué)特性得到改善的依據(jù)。

2.3 鎢鎳共摻雜 V2O5薄膜的電學(xué)特性

通過在薄膜表面利用四探針作為接觸電極，用4200?SCS 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀來測試無摻雜和不同鎢鎳共摻雜的 V2O5薄膜的薄膜電阻隨溫度的變化，進(jìn)一步分析不同鎢鎳共摻雜濃度對V2O5薄膜電學(xué)性能的影響，得到相應(yīng)的 R-T 曲線如圖7（a）所示。可以看出在180℃左右，所有薄膜樣品所測得的阻值相對較高，在200℃后，隨著溫度的進(jìn)一步升高，薄膜開始由半導(dǎo)體態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘賾B(tài)，其電阻迅速降低。隨著溫度上升，金屬態(tài)的薄膜的自由電子在外部電場作用下定向運(yùn)動受到碰撞的幾率加大，電阻也跟著逐漸緩慢增大。同時(shí)從圖7（a）可以看出，鎢鎳共摻雜的 V2O5薄膜其電阻相對于無摻雜的都明顯降低。當(dāng)鎢和鎳的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為3%和1.5%時(shí)，薄膜電阻降低的幅度最大，且由半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘賾B(tài)的相變溫度降至218.5℃， 說明鎢鎳共摻雜既提高了薄膜的導(dǎo)電性又降低了相變溫度。摻雜和無摻雜的薄膜樣品均呈現(xiàn)出：加熱過程電阻從高到低以及冷卻過程電阻從低到高的相變可逆過程。

為進(jìn)一步研究 V2O5薄膜的電學(xué)性能，通過在3#樣品表面制備金電極，然后用溫度傳感器檢測樣品的溫度（升溫速率為5℃/min）。將掃描電壓設(shè)置為1～10 V，得到其相應(yīng)的電流–電壓（I-V）特性如7（b）所示。隨著溫度的升高，對應(yīng)的 I-V 特性曲線的斜率減小，意味著相應(yīng)的電阻阻值變小。薄膜的電阻呈現(xiàn)出明顯的負(fù)溫度系數(shù)特性。當(dāng)溫度增加到250℃左右后，再增加溫度得到的 I-V 曲線的斜率基本不變，并且對應(yīng)的阻值趨向于很小的變化。這是由于隨著溫度升高到一定程度之后，V2O5薄膜逐漸由半導(dǎo)體態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘賾B(tài)，并且金屬態(tài)的 V2O5薄膜的電阻隨溫度變化較小，導(dǎo)致高溫下對應(yīng)的曲線的斜率幾乎不變。此結(jié)果與圖3中透過率隨溫度變化的曲線相一致。從而進(jìn)一步說明鎢鎳共摻雜使得 V2O5薄膜的相變溫度得到降低。

從圖7和圖3可以看出電學(xué)和光學(xué)熱滯回線相似，熱滯寬度分別為15℃、13℃。熱滯回線的寬度與薄膜的結(jié)晶度、結(jié)晶質(zhì)量以及薄膜與基底材料的熱膨脹系數(shù)等有關(guān)[26]。對比二者可以看出，鎢鎳共摻雜的 V2O5薄膜在電學(xué)和光學(xué)的相變特性上，兩者的相變溫度點(diǎn)存在一定差異，這是由于鎢鎳共摻雜下的 V2O5薄膜的相變過程是摻雜離子晶粒與內(nèi)部晶粒相變的集成過程。這些晶粒之間存在的差異性導(dǎo)致了其對電學(xué)和光學(xué)性能的影響不同。電學(xué)性能與薄膜中自由電子形成連續(xù)路徑的能力有關(guān)，但光學(xué)性能和相變過程涉及到的晶粒比例相關(guān)。

3 結(jié)論

本文通過溶膠–凝膠旋涂法和后退火工藝，最終在 FTO 導(dǎo)電玻璃基底上制備出了光學(xué)特性和電學(xué)特性較好的鎢鎳共摻雜 V2O5薄膜，并進(jìn)一步研究了鎢鎳共摻雜對薄膜光電性能的影響，得出如下結(jié)論。

（1）在鎢鎳共摻雜的條件下，由于離子半徑之間存在的差異性導(dǎo)致薄膜內(nèi)部晶格發(fā)生變化，從相應(yīng)衍射峰所在的位置可以推斷出，摻雜離子的介入使晶格發(fā)生畸變。

（2）與未摻雜 V2O5薄膜的光學(xué)透過率曲線相比，當(dāng)鎢和鎳的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為3%和1.5%時(shí)，鎢鎳共摻雜的 V2O5薄膜其相變溫度降低至218.5℃， 可見光和近紅外波長范圍內(nèi)的光學(xué)透過率得到明顯提高。

（3）在鎢鎳共摻雜的情況下，不僅對V2O5薄膜的光學(xué)透過率有所提高，電學(xué)特性也得到了改善，薄膜電阻降低約30.53%，熱致回線寬度收窄為15℃， 鎢鎳共摻雜的 V2O5薄膜具有較好的可逆光學(xué)和電學(xué)特性。

本文的制備方法具有制作成本低、表面均勻、可制作大面積薄膜，能較好地滿足大規(guī)模生產(chǎn)的需要。

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（編輯：張磊）