美國芯片法案及中國對策

【摘要】本研究聚焦于美國《2022芯片與科學法案》及其對中國半導體產業的深遠影響。《2022芯片與科學法案》旨在通過財政撥款、稅收減免和行業激勵等手段，強化美國在全球半導體行業中的領導地位，同時施加限制措施，以阻礙其他國家尤其是中國在高科技領域的發展。本文系統分析了該法案的核心內容、美國實施該法案的背景及其不正當性，深入探討了該法案對中國半導體產業帶來的具體影響，包括對中國成熟制程芯片發展的阻礙、限制中國先進制程技術發展，以及可能導致的全球市場供需關系變化。在此基礎上，本研究進一步提出了中國應對《芯片法案》的多元化戰略，涵蓋自主創新、外交協商、國際合作與法律手段等多個方面，旨在緩解美國法案帶來的沖擊，保障中國半導體產業的健康可持續發展。

【關鍵詞】美國《2022芯片與科學法案》|中國半導體產業|技術封鎖|國際貿易

一、美國芯片法案內容

美國《2022芯片與科學法案》（Chips and Science Act 2022）是美國政府為了加強國內半導體行業的技術實力，維持全球半導體領先地位，打壓新型半導體國家所制定產學研融合的國家財政利用法案。該法案不僅對財政撥款、稅收減免、行業激勵做出了重要規劃，還涵蓋一系列冗繁的監管要求。在具體的內容上，可以分為以下三部分：

該法案提供了2800億美元資金用于法案的推行。其中有約527億美元直接支持半導體行業的發展；約390億美元以供現有半導體制造商擴建或新建半導體工廠；約110億美元用于支持半導體巨頭創新技術；約20億美元成立“美國芯片勞動力和教育基金”；5億美元將用于成立美國國際技術安全和創新芯片基金。

該法案指向了美國國家法典商業與貿易篇第4652章，要求美國商務部部長為半導體制造商提供了約25%的投資稅收抵免與一定條件的商業貸款擔保。

該法案要求，接受了該法案提供的政府資金或者稅收抵免的半導體科技公司不得在中國和其他“令人擔憂的國家”提高半導體制造能力。

二、美國芯片法案的不正當性

（一）違背了WTO宗旨

芯片法案中護欄條款的適用違背了WTO“擴大貨物和服務的生產與貿易，按照可持續發展的目的，最優運用世界資源”的宗旨；護欄條款設置了更大的貿易壁壘，試圖強化自身的貿易地位，實質上強化了貿易壁壘，違反了削減貿易壁壘的宗旨。同時，護欄條款的歧視性條款也違反了歧視待遇原則.

該法案違反了WTO的“發展中國家優惠宗旨”。中國作為世界上最大的發展中國家，擁有世界第二的GDP總量，理應獲得在全球與此相匹配的份額，美國芯片法案嚴重限制了中國芯片產業的產業升級，干預中國獲得理應擁有的芯片貿易份額，違反了該原則。

這種法案嚴重破壞了現存的自由貿易體系，也違反了WTO“維護多邊貿易體制的基本原則和以往多邊貿易談判取得的全部成果，建立一個完整的、更可行的和持久的多邊貿易體制”宗旨。

（二）違反了WTO的非歧視待遇原則

美國芯片法案違背了WTO非歧視待遇原則，其中包括最惠國待遇原則與國民待遇原則。根據非歧視待遇原則，美國應該給予中方企業與美國企業和其他國家企業的相同待遇，護欄條款明確表示接受芯片法案的企業在10年內不得與中國企業合作，否定了中國企業的正常與其他國家企業合作的權利，是對中國企業的嚴重歧視，嚴重違背了最惠國待遇和國民待遇原則。

美國政府對于半導體行業的專項補貼在另一方面違背了WTO促進公平競爭原則。芯片法案中的補貼構成專向性補貼，目的是為了增強美國接受補貼的企業的競爭力，具有不公平貿易的性質，屬于非公平競爭，違反了WTO促進公平競爭的原則。

（三）構成《補貼與反補貼措施協議》所規定的專向性補貼

從整體上分析，目前美國半導體高度依賴進口，而美國政府宣稱法案的目的是為了確保美國半導體行業長期領導地位，激勵在美國投資設施和設備，進而增強美國半導體自給能力，減少對進口半導體產品的依賴，以實現進口替代的目的。所以該法案中含有進口替代補貼，是一種禁止性補貼，具有不正當性。

自芯片法案法案公布以來，我國的半導體出口遭受嚴重損害，已經構成《補貼與反補貼措施協議》第5條中規定的損害另一成員方的國內產業和嚴重妨礙另一成員方的利益。因此構成《補貼與反補貼措施協議》的可訴訟性補貼，具有不正當性。

三、美國“芯片法案”對我國的影響

芯片法案”要求申請了美國相關資助的高校和企業公開與中國的合作，美國有權視情況減少或終止對其的資助。為了發展，部分高校和企業將被迫作出中斷與中國合作的選擇，合作減少，人才交流也將極大被限制。在長遠來看，我國芯片產業的人才缺口會嚴重限制我國的芯片產業發展。

“芯片法案”生效后，多家外資芯片制造商已計劃放棄數項在我國的芯片投資，轉而增加對美投資。美國“芯片法案”通過補貼與稅收減免來刺激本土芯片產業的發展，同時禁止受其資助的企業在十年間禁止在中國提高半導體制造能力，這是美國對于我國芯片制造薄弱環節的封鎖打壓，這對于我在先進制程芯片上還存在空白的我國是極大的威脅，在此方面，我國存在一定的斷供風險，目前我國還無法進行芯片國產化替代，美國意圖通過“芯片法案”對全球半導體產業鏈形成壟斷，提高自身的技術霸權，同時對我國芯片產業實施極限封鎖和“硬脫鉤”，借此將我國排除在全球供應鏈之外，對我國形成全面包圍和孤立態勢，進而加深對其的依附。

四、我國應對《芯片法案》對策

（一）制定中國“芯片法案”

構建國內芯片創新體系，堅持科技自立自強。政府應加強創新基礎設施建設，實施國家“創新公地建設計劃”。加強超算中心等重大數字科技基礎設施投資，并提高開放共享水平和創新設施使用效率。中國應建設和加強自身在先進、節能和安全芯片的設計、制造和封裝方面的創新能力，并提升從研究端到生產端的轉化能力。這將為行業和公共領域的需求提供長期的芯片供應保障，并在更廣泛的經濟領域激發創新活力。

對中國高端芯片企業進行扶持和引導。首先，通過制定符合我國芯片產業實際的年度發展戰略，明確戰略目標，提高產業競爭力。其次，完善中國半導體與集成電路產業補貼管理辦法，擴大補貼范圍，健全補貼規范程序。通過補貼的形式，激勵芯片相關產業從事更高效的產品研發生產，提高生產效率。推動“產學研”結合是關鍵一步，讓芯片創新轉化為商業產品，構建成熟的技術商業化體系，實現芯片產業從研發到生產盈利再到研發的良性循環。

占據關鍵技術領域高地，提高國際高端芯片產業鏈對中國技術的依存度，或許是一重要破局之路。短期內，中國不可能在所有關鍵技術領域取得國際領先地位，但必須盡可能在核心領域的某一方面取得重大優勢，并通過更新中國的出口管制清單，采用對等原則應對芯片法案封鎖。一旦中國在該領域取得幾項世界性突破，中國就能以此為籌碼與“技術封鎖聯盟”進行談判。所謂封鎖聯盟也都有各自的利益，芯片產業鏈也是一個復雜且龐大的客體，中國只要在核心關鍵技術有所突破，看似牢固的所謂“封鎖聯盟”必將產生破裂。

建立投資和貿易協定，外交措施助力芯片產業。秉持“以我為主、開放合作”的基本思路，中國芯片產業要承壓前行，以更高水平的開放，尋求能夠為本國和全球增進福利、重塑國際經濟合作新秩序、促進與世界經濟更深層次融合的產品供給和技術創新。此外，市場不僅會在一定程度上決定技術標準，更能影響其他國家的政策走向，因此中國要堅定不移地擴大內需市場。

（二）基于現有法律與政策進行應對

通過外交手段同美國進行談判協商。《芯片法案》針對中國采取了歧視性的限制措施，有違國際法的基本原則以及WTO的原則和宗旨，中國可考慮依據《對外貿易法》第四十七條，與美國關于《芯片法案》違反國際法的方面進行磋商、談判，并要求美國有關政府進行適當的補救措施。爭取可以和平解決《芯片法案》的問題。若美國在磋商、談判后，仍未采取必要的補救措施，遏制了我國的半導體產業的發展，侵害了我國的發展利益。中國可考慮依據《中華人民共和國對外關系法》第三十四條，對美國采取必要外交行動。

采取反補貼措施。對美國的《芯片法案》中的“護欄條款”，我國商務部可進行立案調查，初裁確定反補貼成立，并由此對國內半導體產業造成損害的，可采取臨時反補貼措施。終裁決定確定補貼成立，并由此對國內產業造成損害的，可以征收反補貼稅，因此可以對接受美國補貼的半導體企業出口到中國的產品征收反補貼稅。

運用WTO爭端解決機制。對于《芯片法案》的護欄條款，如若不能與美方磋商和解，我方提可出申請成立專家組，提交書面材料，交由專家組進行裁決。

根據國際法一般原則采取反制措施。對受到美國芯片法案影響的中國半導體企業進行對等的補貼，維護我國半導體產業的合法權益；同時對美國進口貨物加征報復性關稅，可考慮根據《中華人民共和國進出口關稅條例》第十四條，對美國的進口貨物加征報復性關稅，來維護我國的經濟利益；將損害中國經濟利益的半導體企業拉入我國不可靠實體清單。

促進中國半導體企業的自主創新。繼續實施第一年至第十年免征企業所得稅以及集成電路企業和軟件企業增值稅優惠政策。其次，實行開放科學的投融資政策。有序引導和規范集成電路產業發展秩序，做好規劃布局，強化風險提示，避免低水平重復建設。再次，鼓勵高校與企業加強研發合作，重視研發成果的及時轉化，將科研成果及時地投入生產。同時，加大對知識產權的保護力度，可以適當簡化相關知識產權的申請流程，提高相關知識產權的申請效率。并且，不斷探索構建社會主義市場經濟條件下關鍵核心技術攻關新型舉國體制，積極促進我國半導體企業的自主創新。

（三）主動促成國際合作

建立國際合作框架。為了應對美國芯片法案可能帶來的全球供應鏈重組，中國可以通過加強與歐盟、東南亞國家、韓國和日本等主要貿易伙伴的技術交流和產業合作，構建更加多元化的國際合作框架。這包括共同研發半導體技術、資本投資、以及設立聯合研究中心等。中國可以通過簽署多邊或雙邊合作協議，確定合作的基本原則、目標、領域和機制，協議內容可以包括技術研發、投資、市場準入等多個方面。

多邊共同研發與創新。中國可以通過與合作國家共同建立半導體研發中心，集中資源進行關鍵技術、材料和設備的研發工作，尋找并參與、啟動具有國際合作性質的半導體研發項目，集中優勢資源攻關半導體產業中的關鍵技術難題，同時發揮各國政策、技術長處。明確自己在全球半導體產業鏈中的角色定位和專長領域。

實現資金與資源共享。中國可致力于成立或參與國際半導體產業投資基金，共同為具有潛力的技術創新和產業發展項目提供資金支持，集合國際力量為半導體產業發展提供良好的建設環境。吸引國際資本參與到中國半導體產業的發展中不僅有助于中國企業獲取必要的資金支持，也為國際投資者提供了進入中國市場的機會，在中國龐大的半導體市場獲得機遇。

共同制定半導體市場標準與規范。中國可以積極參與國際半導體技術標準的制定和更新過程，與國際伙伴共同工作，確保中國企業在全球市場的競爭力。通過推動和參與技術標準的制定，中國不僅能夠保護自身利益，還能促進國際合作和技術交流，與友好國家一起推動和制定有利于自身產業發展的國際標準和規范，打破技術與標準的雙重限制。通過合作確保不同國家生產的半導體產品在技術上的兼容性和互操作性，促進全球半導體市場的健康發展。

五、結語

面對美國《2022芯片與科學法案》的挑戰，中國需要采取一系列綜合性策略來應對和適應。首先，重視科技創新是中國半導體產業發展的關鍵，通過加大研發投入，提升芯片設計和制造能力，減少對外部關鍵技術的依賴。其次，加強國際合作，與其他國家共同應對美國的技術封鎖和市場壓力，尋求合作共贏的局面，通過國際合作平臺共享資源、技術和市場。再次，中國需要利用國際法律手段，通過WTO等國際組織挑戰美國的不公平貿易措施，保護自身的合法權益。最后，優化國內政策環境，通過政策激勵和資金支持，促進半導體產業鏈的整體升級和國際競爭力的提升。

綜上所述，中國面對《2022芯片與科學法案》帶來的挑戰，需在確保國家安全的前提下，通過內部創新和國際合作雙管齊下，增強自身的科技實力和國際影響力，實現半導體產業的長遠發展和全球產業鏈的穩定。中國軍轉民

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（作者簡介：陳小雨，湖北大學，本科在讀，研究方向為產業與國安；高寧，湖北大學，本科在讀，研究方向為產業與國安；張龍哲，湖北大學，本科在讀，研究方向為產業與國安；楊銘陽，湖北大學，本科在讀，研究方向為產業與國安；殷啟鑫，湖北大學，本科在讀，研究方向為產業與國安）