邴文增 龍興貴朱祖良 郝萬立 羅順忠 彭述明
(中國工程物理研究院核物理與化學研究所,綿陽 621900)
Ti-Hf合金的結構和吸氘熱力學性質
邴文增 龍興貴*朱祖良 郝萬立 羅順忠 彭述明
(中國工程物理研究院核物理與化學研究所,綿陽 621900)
采用磁懸浮法制備了 4 種 TiHfx,(x=0.13,0.26,0.52,1.03)二元合金。利用 X 射線衍射技術對純鈦、純鉿和 4 種成分 Ti-Hf二元合金吸氘前后的物相結構、晶胞參數和吸氘特性進行了研究。Ti-Hf合金吸氘前均為六方密堆結構,飽和吸氘后形成較單一的面心四方ε相氘化物。隨Hf含量增加,Ti-Hf合金及其ε相氘化物的晶胞參數均呈增大趨勢。壓強-組成等溫線顯示,Hf含量增加將導致氘化物室溫平衡壓升高,Ti-Hf合金熱力學性質趨近于H-Hf體系,Hf對Ti-Hf合金氘化物熱力學性質起主導作用。Hf摻雜顯著降低了Ti吸氘的體膨脹,從而有望緩解由于體脹導致的氫脆現象。
Ti-Hf合金;氘化物;晶胞參數;熱力學性質;晶格膨脹
純Ti氫化物具有極低的氫離解平衡壓、很高的貯氫密度和高的熱力學穩定性,TiH2中的氫密度高達9.1×1022H·cm-3,是迄今為止發現的吸氫密度最高的單質金屬材料,廣泛用于高真空環境氫同位素貯存,特別是在密封中子管中,Ti及其合金的氫化物被用作氘離子源片和氚靶材料[1]。在實際應用中,由于Ti吸氫時體膨脹率很大(~22%),氫化物容易脆化掉粉,導致機械強度降低,是制約真空器件性能的瓶頸[2]。大量研究證實,合金化是改善金屬貯氫性能的有效途徑之一[3]。合金元素種類繁多,總體上可以分為吸氫元素和非吸氫元素,非吸氫元素一般起到改善氫化反應性能的催化作用。選擇Hf作為改善Ti貯氫(氚)性能的摻雜元素,是因為Hf與Ti是同族元素,化學性質相近,它們形成無限互溶固溶體,因此可以預計Hf摻雜對Ti的貯氫性質影響較小,而且Hf本身也是吸氫元素,不會顯著改變合金的吸氫容量。Hf位于周期表IVB族末端,其晶格參數a=0.319 6 nm,c=0.505 8 nm,分別比 Ti的晶格參數(a=0.295 1 nm,c=0.468 3 nm) 大 8.3%和 8.0%,Hf的晶胞體積更是較Ti大26.8%。因此Hf的引入,可以長大純Ti的晶格體積,減小吸氫后的晶格畸變,有效地改善材料的貯氫性能。關于Ti-Hf合金貯氫性能的研究并不多見,僅有少量的初步研究[4]。
本工作力圖從Ti-Hf合金的制備和結構入手,對其吸氘的熱力學性能和體膨脹進行詳細研究。
制備合金的原料為 99.99%純度的鈦板和99.9%純度的鉿棒。利用磁懸浮法熔煉。切成小塊的原料混合均勻加入熔煉坩鍋,抽真空至1 Pa,以高純氬氣置換4次,并在1×105Pa高純氬氣保護下熔煉。合金錠翻煉3次。
使用X′Pert PRO MPD型多功能X射線衍射儀分析Ti-Hf合金及其氘化物的物相結構,Cu Kα輻射,λ=0.15418 nm,管電壓 40 kV,管電流 40 mA,石墨單色器,掃描范圍(2θ):20°~90°。合金樣品為方形平板狀,氘化物樣品為粉末狀。
Ti-Hf合金的P-C-T曲線在自制的UHV系統中進行。系統極限真空10-5Pa量級。測量系統包括一臺電離真空計和兩臺薄膜壓力計,并配有四極質譜儀。吸放氘最大壓強30 kPa,室溫以298 K為準。
4種Ti-Hf合金和純鈦的X射線衍射圖示于圖1。TiHfx(x=0.13,0.26,0.52,1.03)與 Ti結構相同,仍為h.c.p.結構的 α 相,無雜相,但部分晶面有擇優取向。定量X射線衍射分析顯示Ti-Hf合金的晶格參數隨著Hf含量增加呈線性增大(圖2)。Hf原子百分含量為50%時,合金體脹率達14%。
Ti與Hf為完全互溶的固溶體,純Ti和純Hf在室溫下均為單一h.c.p.結構,它們的合金保持了這一結構。從圖1中可見,隨著Hf含量的增加,衍射峰向低角度偏移,因為Hf原子半徑顯著大于Ti,固溶體中Hf量的增多造成晶格常數增大,晶格體積膨脹。以上分析說明,Ti-Hf合金符合我們的設計預期,即Hf的摻雜僅改變晶格體積而不生成新相。


根據韋加(Vegard)定律,固溶體晶格參數與成分存在線性關系,即

式中a為固溶體晶格參數;a1為溶劑晶格參數;a2為溶質晶格參數;x為溶質原子分數。根據(1)式計算的理論晶格參數與實測的晶格參數見圖2。實測的晶格參數a和c均大于理論值,即出現正偏差,而且隨Hf含量增加,偏差有增大的趨勢。事實上,由于固溶體溶劑與溶質組元的交互作用,晶格參數隨成分的變化往往偏離韋加定律,根據組元種類和性質的不同,偏差可正可負。例如,在Cu基的Cu-Zn一次固溶體中,合金對韋加定律也出現了正偏差,而且偏差隨Zn含量增加而增大[6]。
4種Ti-Hf合金、純鈦和純鉿的吸氘P-C-T曲線示于圖3。純鈦吸氘P-C-T曲線具有雙平臺,0.1<D/Ti<0.3 的平臺較短,對應于 α+β 兩相區;1.0<D/Ti<1.4的平臺較長,為β+δ相變區。Ti-H相圖[5]顯示,在573 K以上,α+β兩相區隨溫度升高急速收縮,可以解釋為什么P-C-T曲線低氘含量平臺隨溫度升高變窄直至趨于消失。

一般氫-過渡金屬體系的物理化學行為比較相似,但是H-Hf體系卻很特別,它的P-C-T曲線與同族的H-Ti和H-Zr體系截然不同,關于H-Hf體系的研究很少。圖3(f)是我們測量的H-Hf體系的P-C-T曲線。H-Hf體系的P-C-T曲線具有傾斜的單平臺特征,平臺始于D/Hf=0.1,即α-Hf固溶D的飽和點,由此開始生成δ-氘化物相。平臺范圍很寬,大約包括了 0.1<D/Hf<1.2,為 α+δ兩相區。平臺的特異之處在于起點十分陡直,接近終點時則緩慢傾斜,逐漸上升,沒有明顯拐點。
Ti-Hf合金的P-C-T曲線顯示了從H-Ti體系雙平臺到H-Hf體系單平臺的過渡過程,整體特征更接近于H-Hf體系。Ti中摻雜11%Hf(原子分數,下同)(圖3(b))后,低氫含量平臺趨于消失,高氫含量平臺出現傾斜。Hf含量達到20%(圖3(c))時,低氫含量平臺完全消失,P-C-T曲線呈現平緩變化的單平臺,平臺起止段均無明確拐點。Hf含量達到34%(圖3(d))時,P-C-T曲線呈現H-Hf體系特征,平臺范圍變寬,末端傾斜,呈梯度上升。Ti∶Hf=1∶1 時合金 P-C-T曲線(圖3(e))走向與H-Hf體系基本一致,平臺寬闊,起點陡直,后端傾斜,平緩抬升。
為了更清晰地比較,我們將Ti、Hf和Ti-Hf合金400℃吸氘P-C-T曲線作在同一幅圖中,見圖4。可以清楚地看到,隨Hf含量升高,P-C-T曲線由H-Ti體系的雙平臺向H-Hf體系單平臺過渡,合金氘化物的平衡壓總體上高于組成它們的單質體系。
整體看來,Hf摻雜對H-Ti體系的吸放氫性能影響很大,Hf對Ti-Hf合金的P-C-T性能起決定性作用。

為了比較Hf含量對Ti-Hf合金吸氘熱力學參數和氘化物離解平衡壓的影響,我們根據P-C-T曲線平臺區中點的壓強值,得到Van′t Hoff曲線(圖5)。根據圖5中擬合直線的斜率和截距,可以計算氘化物的標準生成焓ΔH和生成熵ΔS,結果列于表1。

由表1可見,純Ti吸氘反應的焓變ΔH為-104.4 kJ·mol-1D2,熵變 ΔS為-117.1 J·K-1·mol-1D2; 而 TiHf0.13吸氘反應的焓變 ΔH 僅為-58.0 kJ·mol-1D2,熵變 ΔS為-56.5 J·K-1·mol-1D2,較純 Ti分別降低了44%和52%。其后隨Hf含量升高,ΔH和ΔS緩慢減小,變化幅度不大。純Hf吸氘反應的焓變ΔH為-56.2kJ·mol-1D2,熵變 ΔS為-37.0J·K-1·mol-1D2。總體看,Ti-Hf合金吸氘反應焓變ΔH和熵變ΔS與純Hf相近,而僅為純Ti的50%左右。表明Hf對Ti-Hf合金吸氘反應焓變ΔH和熵變ΔS起主導作用,Hf摻雜對體系的熱力學性質影響很大。ΔH反映氘與金屬成鍵的強弱,顯然,Ti-Hf合金與氘成鍵的結合力較D-Ti體系明顯減弱,從合金P-C-T曲線平臺壓高于純Ti可以反映出來。
Ti-Hf合金氘化物的室溫平衡壓很低,無法通過實驗直接測量。對于低平衡壓貯氫材料,一般通過高溫平衡壓外推的方法估計室溫平衡壓。外推求得Ti-Hf合金氘化物室溫平衡壓見表2。純Ti氘化物室溫平衡壓在10-8Pa量級,純Hf氘化物室溫平衡壓在10-4Pa量級,而Ti-Hf合金氘化物室溫平衡壓基本在10-3Pa量級。Ti-Hf合金氘化物室溫平衡壓高于D-Ti和D-Hf體系,但與D-Hf體系相近。這與熱力學參數的實驗結果相一致。

表1 Ti,Hf和Ti-Hf合金氘化反應的ΔH和ΔSTable 1 ΔH and ΔS of deuteride formation reactions of Ti,Hf and Ti-Hf alloys

表2 Ti,Hf和Ti-Hf合金氘化物的外推室溫平衡壓Table 2 Extrapolated equilibrium pressure at room temperature for deuterides of Ti,Hf and Ti-Hf alloys
4種成分的Ti-Hf合金以及純Ti和純Hf飽和吸氘后的X射線衍射圖示于圖6。Ti-Hf合金氘飽和后,吸氘原子比D/M都接近化學計量比2.0,形成比較單一的面心四方(f.c.t.)型 ε 氘化物相。而室溫下,Ti吸氘飽和產物為面心立方(f.c.c.)結構,Hf吸氘飽和產物為 f.c.t.結構。Ti飽和氘化物晶格也存在 f.c.t.結構[7],但其在室溫條件下為亞穩態,只有在低溫下能夠穩定存在。Ti-Hf(Hf/Ti=0.13~1.0)合金飽和氘化物室溫下均為 f.c.t.結構,證明 Hf對合金氘化物的四方結構具有強穩定化作用。
根據定量X-射線衍射計算Ti-Hf合金和Ti、Hf飽和吸氘的晶格膨脹,結果見表 3。TiD2為 f.c.c.結構,較 h.c.p.結構純 Ti的晶格體積膨脹~24%。摻雜11%Hf以后,飽和吸氘產物的體脹率降低至22.7%。隨Hf含量升高,體脹率遞減,Hf含量達50%時,體脹率只有19.5%。可見,Hf摻雜顯著降低了Ti吸氘的體膨脹,從而有望緩解由于體脹導致的氫脆現象。

表3 Ti,Hf和Ti-Hf合金吸氘體膨脹Table 3 Volume expansion of deuteride formation for Ti,Hf and Ti-Hf alloys

磁懸浮熔煉的Ti-Hf合金為完全互溶的固溶體,成分均一。Ti-Hf合金為h.c.p.(Hexagonal Closepacked structure,六方密堆積)結構,晶格常數隨成分線性變化。隨著Hf含量增加,合金氘化物平衡壓升高,焓變和熵變遞減,外推平衡壓室溫升高。Ti-Hf合金熱力學性質趨近于H-Hf體系,Hf對Ti-Hf合金氘化物熱力學性質起主導作用。Ti-Hf合金飽和氘化物為f.c.t.結構,Hf摻雜對四方結構的氘化鈦具有強穩定化作用。Hf摻雜顯著降低了Ti吸氘的體膨脹,從而有望緩解由于體脹導致的氫脆現象。
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Structure and Thermodynamic Aspect of Ti-Hf Alloys and Their Deuterides
BING Wen-Zeng LONG Xing-Gui*ZHU Zu-Liang HAO Wan-Li LUO Shun-Zhong PENG Shu-Ming
(Institute of Nuclear Physics and Chemistry,Chinese Academy of Engineering Physics,Mianyang,Sichuan 621900)
Magnetic levitation melting technique was utilized to prepare a set of Ti-Hf binary alloys,TiHfx(x=0.13,0.26,0.52,1.0).The phases,lattice parameters and deuterating reaction features of pure Ti,pure Hf and Ti-Hf alloys were investigated before and after their deuterides formation by XRD.Ti-Hf alloys have a hexagonal close packed crystal structure and their saturated deuterides include only ε-phase with a face-centered tetragonal(fct)structure.The lattice constant of Ti-Hf alloys and their deuterides gradually increase with increasing propotion of Hf in the alloys.From the P-C isotherms,it could be found that the equilibrium pressure of the deuterides at room temperature rises when Hf/Ti ratio increases in Ti-Hf alloys.The thermodynamic characteristics of Ti-Hf alloys deuterides are closer to those of H-Hf system than H-Ti system,which means that its the Hf metal that dominates the thermodynamic feature of Ti-Hf alloys.Hf doping in Ti will remarkably reduce the lattice expansion,which may make the H-Ti system embrittlemental.
Ti-Hf alloys;deuteride;lattice constant;thermodynamic property;lattice expansion
O643.134文獻識別碼:A
1001-4861(2010)06-1008-05
2009-11-30。收修改稿日期:2010-03-25。
國家自然科學基金(No.50871106)資助項目。
*通訊聯系人。E-mail:bingwenzeng@163.com
邴文增,男,32歲,博士生,副研究員;研究方向:貯氫材料。