氮離子注入對類球狀微米金剛石聚晶膜的影響

高金海，張武勤，李 楨

（鄭州師范學院物理系，河南鄭州450044）

1 引 言

場發射顯示器（FED）集陰極射線管（CRT）和液晶顯示器（LCD）的優點于一體，以其低的應用電壓，低的成本，大的溫度適用范圍，寬廣的視角，極短的反應時間，高清晰度，高質量畫面等優勢在未來顯示器應用上占有很重要的地位[1].制約場發射顯示器量化生產的主要障礙在于場發射顯示器的陰極材料的制備很不成熟.目前該顯示器還處在實驗室研發階段，我國的福州大學[2]、韓國的三星、日本的索尼等研究單位處在研發的前沿[3]，他們都是以碳納米管作為陰極材料，也有樣機的成功制造，但穩定性有待提高，遠未達到工業化的能力.由于金剛石、類金剛石、非晶碳具有負的或低的電子親和勢[4－5]，人們正在努力把它們制備成新的場發射顯示器陰極.化學氣相沉積的方法[6－7]提供了一種在較低溫度下，相對較容易制備可準確控制化學成分及涂層結構的材料，因此在制備碳類陰極方面被越來越廣泛地應用.我們利用微波等離子體化學氣相沉積法（MPCVD）在甲烷與氫氣的體積比為1／10的情況下，制備出了不同形態的類球狀微米金剛石聚晶薄膜.為了提高場致電子發射性能，可以從影響發射電流的因素進行分析，根據場發射的理論公式Fowler－Nordheim方程

在外場一定的情況下，影響場發射電流的因素是場增強因子β和表面功函數Φ，在膜外形基本一定的情況下場增強因子β變化不大，要想改變場電子發射特性，只有降低膜的表面功Φ.通過改變表面性能來改變場發射效果的方法很多：如利用氫、氨等離子體處理表面[8]，增加表面金屬涂層[9]，摻雜不同成分的方法[10]等，本實驗通過表面氮離子注入的方法，改善其表面的結構，提高了場致電子的發射效果.

2 實 驗

在陶瓷襯底上通過磁控濺射的方法鍍1層金屬鈦，后經過機械拋光，丙酮超聲清洗10min，去離子水超聲清洗10min，再放入MPCVD沉積室中.在沉積過程中微波的功率為1 700W，氫氣流量為100L／min甲烷流量為10L／min，反應室氣壓為6kPa，襯底的溫度800℃，反應時間2.5h.制備出的樣品分成兩類，其一直接進行場發射測試；其二經過氮離子的表面注入，注入的能量是10keV，注入的劑量是1×106cm2，后經場發射測試.利用掃描電子顯微鏡（SEM）、拉曼（Raman）光譜，X－射線衍射（XRD）測試了薄膜結構與表面形貌.顯示出無論氮離子注入與否，該膜均是類球狀微米金剛石聚晶鑲嵌在非晶碳膜上的結構.場發射實驗采用了二極管結構：陰極是類球狀微米金剛石聚晶的膜，陽極是玻璃上沉積的透明的、覆蓋一層熒光粉的導電薄膜（ITO），兩極間距275μm.測量時真空度小于5×10－5Pa.用直流電源測試了電流密度－電場強度特性曲線.

3 分析和討論

圖1（a）和（b）分別是氮離子注入前后金剛石聚晶顆粒的SEM圖像.從圖中可以看出類球狀金剛石聚晶顆粒沒有太大的變化，但是注入后顆粒表面的晶體形狀稍微比注入前的棱角變鈍，因此注入的氮離子對金剛石顆粒的表面有影響.這足以改變金剛石聚晶薄膜的表面物理特性.

圖1 氮離子注入前后金剛石聚晶顆粒的SEM圖像

圖2（a）和（b）分別是氮離子注入前后金剛石顆粒的拉曼譜線.在氮離子注入前，拉曼譜只有1個明顯的并且尖銳的1 332.1cm－1峰，這是金剛石的特征峰，表明離子注入前的金剛石顆粒具有很高的質量.另外，類球狀微米金剛石聚晶膜X射線衍射譜指出，在2θ為44°時相應有1個明顯的金剛石特征峰，也證實了金剛石聚晶膜由金剛石顆粒組成.注入氮離子后，1 332.1cm－1的特征峰明顯發生變化，它的尖銳程度有很大減小，并且半高全寬變得很寬.另外在拉曼譜中1 580.9cm－1處出現了比較寬的峰值，這表明是碳的D峰和G峰出現，暗示著顆粒由于氮離子的注入，sp3減少sp2增加.氮離子的注入使金剛石顆粒表面的成分發生了明顯變化.

圖2 氮離子注入前后金剛石聚晶顆粒的拉曼譜

圖3是氮離子注入前后，類球狀微米金剛石聚晶的場發射穩定后的電流密度－電場強度曲線，注入前后的發射面積都是1cm2.由圖3所示的場發射曲線可以看出，氮離子的注入使類球狀微米金剛石聚晶薄膜的場發射的性能改善了.穩定后的開啟電場強度由注入前的1.1V／μm降到注入后的0.9V／μm；相同的電場強度2.75V／μm下，發射電流密度由注入前不足700μA／cm2增大到注入后的900μA／cm2.

圖3 氮離子注入前后的場發射曲線

圖4是與圖3相對應的穩定后的場發射的福－勒（F－N）曲線.曲線都近似為直線，根據福勒和諾德罕理論（Fowler－Nordheim理論），由此表明類球狀微米金剛石聚晶膜的發射電流主要是通過電子隧道效應進行傳輸的.一般來說，發射表面只占測試面積非常小的一部分，所能測量的電流是在一定電壓下從很多局部發射點發射的電流的總和.假設所有發射點都具有同樣的發射面積a、局部電場增強因子β和功函數Φ，則發射點密度為n時根據Fowler－Nordheim理論場發射電流密度可表示為

式中：V是陰陽極之間的電壓（V），

d是陰陽極之間的距離（cm）.

對（1）式兩邊分別除以V2然后取對數可得到ln（J／V2）和1／V的關系為一直線，即F－N直線.F－N直線的斜率B＝6.83×107Φ3／2d／β.

圖4 穩定后的場發射的F－N曲線

2個樣品的形貌沒有太大的變化，因此2個樣品的陰陽極之間的距離d、局部電場增強因子β值差別不大.斜率不同，只能反映出樣品的表面功函數發生了變化.從圖中得到氮離子注入后的斜率比注入前的小，說明注入后的表面功函數要比注入前的降低了，換句話說由于氮離子的注入使電子脫離金剛石聚晶膜表面而發射出來變得容易了，場發射的性能提高了.

經過氮離子的注入，改變金剛石聚晶表面結構從而提高場發射的性能的原因有可能是：氮離子注入到金剛石顆粒表面，使表面由于氮的摻雜而變成N型半導體，N型半導體使表面的功函數降低，降低了場發射電子的門檻；另外氮離子的注入使金剛石表面結構破壞，從而形成大量的結構缺陷，由離子注入導致的各種缺陷數量增加到一定程度時，在價帶和導帶之間就增加了很多缺陷能級，電子從價帶到導帶的躍遷就變得容易了，有利于電子的傳輸，從而改善了電子的傳輸過程，這可能是其場發射特性提高的另一個原因.因此氮離子的注入提高了場發射的性能.

4 結 論

利用微波等離子體化學氣相沉積方法，制備出了類球狀微米金剛石聚晶膜.通過對膜的表面進行氮離子的注入改變了類球狀微米金剛石聚晶膜的形貌及特性.實驗發現所制備的金剛石聚晶膜形貌在氮離子注入前后稍有變化，場致電子發射的效果變強，經分析得出結論：利用氮離子注入方法增加了類球狀微米金剛石聚晶顆粒表面的缺陷度，增加了價帶和導帶間的缺陷能級，致使電子更容易躍遷到高能級上，提高了場致電子的發射效果.

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