何 茗,張樹人,張 婷,巫從平,饒文紅
(1.電子科技大學 微電子與固體電子學院,成都 610054;2.成都電子機械高等專科學校 a.通信工程系;b.電氣與電子工程系,成都 610071;3.成都醫學院 人文信息管理學院,成都 610081)
Sol-gel法制備CaSiO3基LTCC陶瓷
何 茗1,2a,張樹人1,張 婷3,巫從平2a,饒文紅2b
(1.電子科技大學 微電子與固體電子學院,成都 610054;2.成都電子機械高等專科學校 a.通信工程系;b.電氣與電子工程系,成都 610071;3.成都醫學院 人文信息管理學院,成都 610081)
采用溶膠凝膠法(Sol-gel)制備了CaSiO3基低溫共燒陶瓷,在800℃、825℃、850℃、875℃下燒結,并對燒結樣品進行了熱重—差熱分析、X射線掃描分析、掃描電子顯微鏡形貌分析。測試了在燒結溫度為800℃、825℃、850℃、875℃下各樣品的燒結密度和介電性能。結果表明Sol-gel法制備的CaSiO3基低溫共燒陶瓷含有大量的CaSiO3晶相與少量的CaB2O4晶相,最佳燒結溫度為850℃。在燒結溫度為850℃時,CaSiO3基低溫共燒陶瓷的燒結密度ρ=2.60 g/cm3,介電性能 εr=5.86,tanδ=0.46 ×10-4。
溶膠—凝膠;燒結;介電
低溫共燒陶瓷(LTCC)多層封裝基板具有介電常數低、燒結溫度低、熱膨脹系數與Si匹配等特點,現已成為電子封裝領域一個重要的研究熱點[1]。目前,通過添加低軟化點玻璃來降低電子陶瓷材料的燒結溫度是最廉價的[2],也是工業上廣泛使用的制備LTCC模塊的方法[3],已被日立、杜邦、富士通、旭硝子等國際著名電子產品生產商所采用。而國內對該法中所使用的低軟化點玻璃的組成、制備工藝、性能研究報道較少。
硼硅酸鹽玻璃體系已經廣泛應用于LTCC體系材料中,康寧公司生產的Pyrex 7 740、7 070、658 909等一系列堿硼硅酸鹽玻璃由于具有較低的介電常數4.6(1 MHz)、與硅接近的熱膨脹系數3.25×10-6/℃,可作為制備CaSiO3基LTCC基板材料的理想原料[3-4]。Shapiro等人[5]研究了CaO-B2O3-SiO2系統相圖,認為在LTCC工藝中的結晶物質有CaSiO3、CaB2O4、Ca3Si2O3等。美國已經有相關專利報道了CaSiO3基LTCC的優良性能[6]。臺灣的 CHia-Ruey Chang等[7]報道了 CaO-B2O3-SiO2微晶玻璃的結晶動力學原理,證實了CaSiO3、CaB2O4晶相的存在,討論了CaSiO3晶相與燒結時間、介電性能等因數的關系。筆者采用溶膠—凝膠法制備的CaSiO3基LTCC陶瓷能夠在850℃下完全燒結,性能接近美國FERRO公司A6-S系列要求[8],符合LTCC基板材料的性能要求。
本實驗的原料以分析純正硅酸乙酯、碳酸鈣、硼酸為基本原料,按質量分數CaO 20﹪~35﹪,B2O330﹪~50﹪,SiO210﹪~25﹪配方組成配料。首先將碳酸鈣粉末放入大燒杯中并加入HNO3使其溶解至澄清,再加入溶于熱水的H3BO3制得無機溶液。再把分析純乙醇倒入正硅酸乙酯中制得有機溶液,并加入適量穩定劑,其中正硅酸乙酯∶乙醇=1∶1(體積比),然后將無機溶液緩慢倒入有機溶液中,采用硝酸做催化劑并用硝酸調整溶液pH值,使pH值在2左右。在80℃的水浴中攪拌1 h后,混合溶液形成透明的溶膠。溶膠靜置一段時間后形成凝膠。將所得的凝膠在80℃的恒溫烘箱中放置26 h后烘干,取出研磨,得到干凝膠粉末。將干凝膠粉末在500℃預燒5 h,加入8﹪的丙烯酸造粒,壓片。然后在800℃、825℃ 、850℃、875℃下煅燒,保溫30 min。隨爐冷卻后得到陶瓷樣品S1、S2、S3、S4。以瑪瑙研缽把樣品手工研磨成小于10 μm的粉末,再過200目篩,進行XRD測試。
采用NETZSCH STA 449C型差示掃描量熱儀對原始粉末進行熱重—差熱((TG-DSC)測試,升溫速率10℃/min,測試溫度從室溫到1 200℃,參考物為高純Al2O3粉末。將燒結樣品研成細粉,用荷蘭飛利浦公司的設備X’Pert PRO MPD型粉末XRD儀測定XRD譜,采用Cu Kα1輻射(λ=0.154 056 nm),工作電壓為40 kV,電流為40 mA,步進掃描,掃描范圍2θ:10~80°,步長0.02°,每步停留時間2 s。本實驗用 JSM-6490LV型掃描電子顯微鏡(SEM)觀察試樣表面或斷面的晶粒形貌。采用Agilent 4284A精密LRC測試圓片電性能,測試溫度為25℃,測試頻率為1 MHz,測試體系電性能。采用阿基米德法測試燒結樣品的密度ρ。

圖1 CaSiO3基LTCC的TG-DSC曲線
采用TG-DSC測試可以測量原始粉末中有機物、玻璃和結晶水合物的熱分解溫度和相變溫度。圖1給出了B系玻璃陶瓷的原始粉末的TG-DSC分析。如圖1所示,該系列材料在第一個放熱峰之前的燒結階段有一個明顯的吸熱峰,這標志著材料的軟化吸熱。析晶前的軟化有助于液相的燒結和質點遷移的順利進行,保證析晶完全。在DSC曲線中,第一個吸熱峰在600.7℃,對應的重量損失21.89﹪,這可以歸因于水分子蒸發、H2SiO3和粘結劑(丙烯酸)的分解。DSC曲線上774.9℃的放熱峰表明硅灰石開始結晶[9]。因此,本實驗的燒結溫度在774.9℃以上。

圖2 CaSiO3基LTCC的XRD譜
圖2為溶膠—凝膠制備的 CaSiO3基LTCC的 XRD圖譜,采用軟件 Jade 5.0對CaSiO3復相陶瓷進行物相分析。分析表明:該樣品中存在 β-CaSiO3、α-SiO2 、CaB2O4三種化合物,其中β-CaSiO3為主晶相,CaB2O4為次晶相。XRD分析還表明采用Sol-gel法制備的CaSiO3復相陶瓷,不同燒結條件下(800~875℃)制得的樣品(S1~S4),峰值強度沒有明顯變化。
圖3是在不同燒結溫度下樣品S1~S4SEM形貌。從圖1中可以看出,隨著燒結溫度的增加,氣孔減少,樣品更為致密。這是由于Sol-gel法制備的CaSiO3基LTCC的原料是一種低熔點的玻璃相物質,隨著燒結溫度的升高,出現較多的玻璃液態,黏度下降,增加了液相傳質,增進了析晶,CaSiO3晶相長大,致使微觀結構更加致密。其中樣品S3的微觀結構最為致密。從XRD圖譜和SEM形貌分析表明,溶膠—凝膠制備的CaSiO3基 LTCC的最佳燒結溫度為850℃。以下的燒結和介電性能分析也會印證這一點。

圖3 CaSiO3基LTCC(S1~S4)斷面SEM形貌
表1為在800~875℃溫度燒結下,S1~S4燒結性能與燒結溫度的關系。由表1可知,隨著燒結溫度的升高,燒結密度增加。這是由于溫度的升高導致CaSiO3基LTCC的收縮率增加。在燒結升溫過程中,出現了大量玻璃液相,促使粉料顆粒黏貼、拉緊,甚至使粉料表面活化,質點轉入更低的熔融狀態,液相擴散快,速傳至有利于凝集的區域[10],大大提高了燒結密度。同時由圖3可見,樣品S3的微觀結構最為致密,燒結密度ρ達到最大值2.60 g/cm3。

表1 CaSiO3基LTCC陶瓷樣品S1~S4的燒結性能
表2是在不同燒結溫度下,介電性能隨燒結溫度的關系。隨著燒結溫度的增加,樣品的介電常數εr略微增加。從微觀結構圖3中觀察,S3、S4形貌表明,結構的致密會致使εr增大。S1、S2中氣孔的增加有利于介電常數的減小,但是卻會導致介質損耗tanδ的提高。S3樣品到達最小值0.46×10-4。S3、S4和S1、S2比較,tanδ顯著降低,這是由于其燒結致密性提高,氣孔減小。S3的εr=5.86,tanδ=0.46×10-4,達到Ferro公司產品A6-M性能,可以滿足低溫共燒的性能要求。

表2 CaSiO3基LTCC陶瓷樣品S1~S4的介電性能
通過XRD分析,CaSiO3基LTCC陶瓷中含有大量的CaSiO3與少量的CaB2O4晶相,溫度升高,CaSiO3晶相長大,微觀結構更為致密。燒結密度的增大,有利于降低εr和tanδ。燒結溫度為850℃時,ρ=2.60 g/cm3,εr=5.86,tanδ=0.46×10-4,可以滿足低溫燒結的介質材料的介電性能要求。
[1]楊娟,堵永國,張為軍,等.低溫共燒基板材料研究進展[J].材料導報,2006,20(l0):12-16.
[2]WU J M,HUANG H L.Microwave properties of zinc,barium and lead borosilicate glasses[J].Journal of Non-Crystalline Solids,1999(260):116-124.
[3]田民波.電子封裝工程[M].北京:清華大學出版社,2002.
[4]JEAN J H,CUPA T K.Effect of gallium oxide on crystallization and thermal expansion behavior of low-k glass composite[C].Transactions on Components,Packaging,and Manufacturing Technology-Part A,1995,18(2):438-443.
[5]SHAPIRO A A.Process-structure-property Relationships in Recrystallizing CaO-B2O3-SiO2[D].Irvine:University of California,1998:13-20.
[6]MURALIDHAR S K,ROBERTS G J,PARMA,et al.Low dielectric,low temperature cofired glass ceramics:USA,5258335[P].1993-11-02.
[7]CHANG C R,JEAN J H.Crystallization kinetics and mechanism of low-dielectric,low-temperature,cofirable CaO-B2O3-SiO2 glass-ceramics[J].J Am Ceram Soc,1999,82(7):1725-1731.
[8]李桂云.低溫共燒陶瓷系統及其應用[J].世界產品與技術,2002(6):20-24.
[9]陸佩文.無機材料科學基礎[M].武漢:武漢工業大學出版社,1996.
[10]韓振宇,馬莒生,徐中華,等.低溫共燒陶瓷基板制備技術研究進展[J].電子元件與材料,2000(6):31-33,41.
Quantitative Analysis of Crystalline Phases in Wollastonite Ceramics by Rietveld Method and Peak Separation Method
HE Ming1,2a,ZHANG Shuren1,ZHANG Ting3,WU Congping2a,RAO Wenhong2b
(1.School of Microelectronics and Solid-State Electronics,University of Electronic Science and Technology,Chengdu 610054,China;2.a.Communication Engineering Department,b.Electronic & Electrical Engineering Department,Chengdu Electromechanical College,Chengdu 610071,China;3.Teaching and Research Section of Physics,Chengdu Medical College,Chengdu 610081,China)
CaSiO3based low temperature co-fired ceramics(LTCC)were prepared by Sol-gel method and sintered at the temperature of 800℃,825℃,850℃,and 875℃ in this paper.The sintered samples were tested using thermogravimetry-differential thermal analyzer,X-ray scanner,and scanning electron microscope.The results show that CaSiO3-based LTCC prepared with sol-gel process contain a lot of CaSiO3phase and little CaB2O4phase,and the best sintering temperature is 850℃.At the sintering temperature of 850 ℃,CaSiO3-based LTCC have a sintering density ρ=2.60 g/cm3,and dielectric properties εr=5.86,tanδ=0.46 ×10-4.
Sol-gel;sintering;dilectric
TG171
A
1008-5440(2011)03-0011-04
2011-08-29
四川省教育廳基金項目“典型高溫電介質復合材料介電特性研究”(09ZC029)
何茗(1975-),女(漢族),四川廣安人,副教授,博士,研究方向:電子陶瓷材料與器件。
張樹人(1955-),男(漢族),四川成都人,教授,研究方向:電子陶瓷材料。