李安慶, 孫玉發(fā)
(安徽大學(xué) 電子信息工程學(xué)院,安徽 合肥 230039)
在現(xiàn)代通信系統(tǒng)中,無(wú)源器件以其環(huán)保無(wú)污染、低功耗和可靠性高而被廣泛使用。3 dB電橋是無(wú)源器件中十分常用的器件,例如,在基站、直放站、室內(nèi)覆蓋中的信號(hào)合路、分路及功率合成中都已用到,并且隨著通信系統(tǒng)的升級(jí),通信傳輸?shù)男盘?hào)模式也越來(lái)越多,對(duì)無(wú)源器件的帶寬也提出了更高的要求——除在寬頻帶內(nèi)滿足常規(guī)指標(biāo)要求外,還需要滿足低插損、高方向性、高穩(wěn)定性、低互調(diào)、大功率以及安裝方便等要求[1-2]。針對(duì)以上問(wèn)題,本文提出一種新型腔體結(jié)構(gòu),從而改變了傳統(tǒng)電橋的輸入端與輸出端不在同一側(cè)面的結(jié)構(gòu)限制,工程安裝更加方便。同時(shí)這種結(jié)構(gòu)能夠減小電橋的不連續(xù)性,可以很好地滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)的要求,具有易生產(chǎn)、易調(diào)試等優(yōu)點(diǎn)。
3 d B電橋也叫同頻合路器,在電路中具有功率分配及改變信號(hào)相位的作用。如圖1所示,當(dāng)導(dǎo)線1—2中有交變電流流過(guò)時(shí),由于3—4線和1—2線互相靠近,故3—4線中便耦合有能量,此能量既可通過(guò)電場(chǎng)(以耦合電容表示)又可通過(guò)磁場(chǎng)(以耦合電感表示)耦合過(guò)來(lái)。因此,由圖1可知,若能量由1口輸入,則耦合口是3口和2口,而在4口因?yàn)殡婑詈想娏骱痛篷詈想娏鞯淖饔孟喾炊芰炕ハ嗟窒?,?和4是相互隔離的,同理2和3也是相互隔離的。

圖1 耦合線電橋
由端口分析可知:

其中,C、IL分別表示耦合度和理論插損。
則理論插損IL也可表示為:

利用3 d B理論耦合度可得理論插損IL=-3 d B,且兩輸出端輸出功率相等。
本文3 dB電橋腔內(nèi)的主線導(dǎo)帶和副線導(dǎo)帶之間有高度差,且交叉耦合,這種結(jié)構(gòu)能夠減小電橋的不連續(xù)性,提高電橋設(shè)計(jì)指標(biāo)。所設(shè)計(jì)的3 dB電橋的指標(biāo)參數(shù)見(jiàn)表1所列。

表1 設(shè)計(jì)指標(biāo)
耦合線長(zhǎng)度L的計(jì)算公式為:

其中,λ為波長(zhǎng);εr為有效介電常數(shù)。
為了實(shí)現(xiàn)寬帶耦合,在設(shè)計(jì)上采用的是多節(jié)耦合理論,此理論與1/4波長(zhǎng)階梯阻抗濾波器等效。根據(jù)中心頻率1 650 MHz,則波長(zhǎng)為0.181 82 m,把介電常數(shù)εr=1代入(5)式,計(jì)算得到每節(jié)耦合線長(zhǎng)度約為45.45 mm。
由上下邊帶可以得到帶寬比B≈3.125,相對(duì)帶寬Δ=(f2-f1)/f0=1.03,f=2 500 MHz為下邊帶,f1=800 MHz為上邊帶,f0=1 650 MHz為中心頻率。
根據(jù)B和Δ的值,查切比雪夫定向耦合器的歸一耦模阻抗值表可知,應(yīng)該采用2節(jié)不對(duì)稱耦合設(shè)計(jì),相應(yīng)的緊耦合段偶模Z1e=164.75Ω,松耦合段偶模Z2e=71.175Ω。為了使電橋更匹配,并實(shí)現(xiàn)理論上的完全隔離,由Z0o=Z02/Z0e[3-9](Z0為特性阻抗,Z0e為偶模特性阻抗,Z0o為奇模特性阻抗)得Z1o=15.174 5,Z2o=35.124 7Ω,其中Z1o和Z2o表示2節(jié)非對(duì)稱耦合段奇模特性阻抗。
根據(jù)產(chǎn)品外形,選定導(dǎo)電條厚度t=1 mm,上下耦合縫隙s=0.5 mm,緊耦合區(qū)腔體深度B1=12 mm,松耦合區(qū)腔體深度B2=6 mm。因2節(jié)線段的阻抗差異較大(約2倍),為減小連接處的不連續(xù)性,固定尺寸時(shí)將緊耦合處的腔深定為松耦合處的2倍,這樣可使2段線的寬度接近。通過(guò)查表可以確定每一節(jié)寬度尺寸,也可以借助一些軟件進(jìn)行計(jì)算,如利用Serenade軟件中的帶狀線計(jì)算模型,得出w1=4.15 mm,w2=4.3 mm。
綜上所述,由3 dB電橋設(shè)計(jì)方案及相關(guān)計(jì)算數(shù)據(jù)在軟件中建模、仿真優(yōu)化。本文利用HFSS建立的三維模型如圖2所示,并對(duì)其S參數(shù)進(jìn)行仿真和優(yōu)化。

圖2 仿真模型
仿真結(jié)果如圖3所示,由圖3可知,該結(jié)構(gòu)很好地實(shí)現(xiàn)了耦合度3 d B電橋,駐波比小于1.12,隔離度大于25 dB,仿真實(shí)現(xiàn)了工程設(shè)計(jì)指標(biāo)。

圖3 仿真結(jié)果
應(yīng)用本文所提出的方法,按照最佳仿真結(jié)果制作加工的實(shí)物如圖4所示。

圖4 3 dB電橋?qū)嵨飯D
其結(jié)構(gòu)尺寸為142 mm×21 mm×22 mm。連接器互調(diào)指標(biāo)要求大于160 dBc,連接器與腔體采用緊配合的方式連接,保持部件內(nèi)部干凈無(wú)污垢,控制焊接質(zhì)量,用刀片清理干凈蓋板與腔體接觸面的塑粉,保證良好的接觸,并且導(dǎo)電條可以用聚四氟乙烯進(jìn)行固定。
應(yīng)用Agilent5230A矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀對(duì)3 dB電橋的插入損耗和隔離度分別進(jìn)行了測(cè)試,測(cè)試結(jié)果如圖5、圖6所示,可見(jiàn)測(cè)試結(jié)果與仿真結(jié)果基本一致,滿足了3 dB電橋的設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。

圖5 損耗測(cè)試圖

圖6 隔離度測(cè)試圖
此外,應(yīng)用南京漢瑞公司HR08300A功放測(cè)試3 dB電橋的功率容量,結(jié)果符合設(shè)計(jì)要求。應(yīng)用澳華三階互調(diào)儀對(duì)3 d B電橋的三階互調(diào)進(jìn)行了測(cè)試,如圖7所示,測(cè)試結(jié)果符合設(shè)計(jì)要求。

圖7 三階互調(diào)測(cè)試圖
綜上所述,本文設(shè)計(jì)的空氣帶狀線交叉耦合腔體3 dB電橋可以實(shí)現(xiàn)器件的輸入端與輸出端在同一側(cè)面上,是對(duì)傳統(tǒng)電橋的改進(jìn),實(shí)際測(cè)試結(jié)果表明本文設(shè)計(jì)的同邊進(jìn)出空氣帶狀線交叉耦合腔體3 dB電橋與傳統(tǒng)的電橋相比在多個(gè)性能上有所提高,滿足了工程的實(shí)際需求。隨著多路系統(tǒng)合路平臺(tái)的發(fā)展,該電橋?qū)⒂袕V闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景。
[1]閆潤(rùn)卿,李英惠.微波技術(shù) [M].第3版.北京:北京理工大學(xué)出版社,2004:50-200.
[2]路德維格.射頻電路設(shè)計(jì):理論與應(yīng)用[M].王子宇,譯.北京:電子工業(yè)出版社,2005:30-180.
[3]李東亞,薛紅喜.新型3 dB電橋的設(shè)計(jì)[J].電視技術(shù),2009,49(11):90-92.
[4]倪 春,張慶華,吳先良.3 d B帶狀線電橋的研究與設(shè)計(jì)[J].現(xiàn)代電子技術(shù),2010,135(4):193-195.
[5]朱 睿,田宇興,楊耀庭,等.800~2 500 MHz寬帶3 dB電橋的設(shè)計(jì)[J].光通信研究,2008,148(4):67-69.
[6]王建武,傅文斌.3 dB電橋的幅頻特性與相頻特性分析[J].空軍雷達(dá)學(xué)院學(xué)報(bào),2005,19(2):24-27.
[7]陳 罡.一種空氣帶狀線電橋:中國(guó),2010100299603[P].2011-08-01.
[8]張 媛.帶狀線寬頻帶90°電橋的設(shè)計(jì)[J].遙測(cè)遙控,2004,25(5):48-51.
[9]Cho J H,Hwang H Y,Yun S W.A design of wideband 3 dB coupler with N-section microstrip tandem structure [J].IEEE Microwave and Wireless Components Letters,2005,15(2):113-115.