氫氣氣氛下兩步法無壓燒結制備Al2O3半透明陶瓷

朱 淵，張曉娟，2，劉桂武，喬冠軍

（1.西安交通大學金屬材料強度國家重點實驗室，西安710049；2.西安工程大學理學院，西安710048）

0 引 言

20世紀60年代Coble［1］研制成功了第一塊半透明多晶Al2O3陶瓷，由于其具有高強度、高硬度、耐高溫、耐腐蝕和優良的光學性能而被廣泛應用于高壓鈉燈、金屬鹵燈等照明領域。

對于多晶Al2O3半透明陶瓷來說，一方面，減小晶粒尺寸可以提高其力學性能，如硬度和強度［2–6］，從而延長使用壽命；另一方面，要提高透光性能，就要求其燒成密度接近理論密度，盡量減少氣孔的存在。要同時滿足以上兩點就要求降低燒結溫度以保持較小的晶粒尺寸，同時施加壓力保證氣孔的排除，使試樣達到致密。針對這兩點要求，目前主要采取的燒結方法有熱壓燒結［7］、熱等靜壓燒結［8］和等離子體燒結［9］，其中熱等靜壓燒結對設備要求高，生產成本較高，不利于工業化生產；而熱壓燒結和等離子體燒結不易制備形狀復雜的試樣，多限于實驗室研究。

目前，已有學者提出了制備小晶粒（納米至亞微米）、高致密度、低氣孔率陶瓷的方法［10］，兩步法無壓燒結就是其中的一種［11］，目前它已在、、、和等陶瓷的燒結上獲得了應用。另外，在氫氣氣氛中燒結Al2O3半透明陶瓷有利于氣孔的排除及試樣致密度的提高［18］，對于提高透光率是十分有利的。如果把以上兩者結合起來，就可以降低能耗與生產成本，有利于工業化生產，同時也有望提高材料的力學性能和產品的使用壽命。然而，現階段將兩步法燒結與氫氣氣氛燒結結合起來制備Al2O3半透明陶瓷的研究還很少，為此，作者在氫氣氣氛中采用兩步法無壓燒結技術制備了Al2O3半透明陶瓷，確定出了第一步燒結和第二步燒結的溫度范圍，并分析了用該法制備陶瓷的光學性能和力學性能。

1 試樣制備與試驗方法

1.1 試樣制備

將市售高純α－Al2O3微米級粉與燒結助劑（MgO和Y2O3的混合物，兩者的質量比為5∶2）按比例混合，其中添加MgO主要是為了抑制晶粒的異常長大［19］，添加Y2O3主要是為了提高燒結速率，加速試樣的致密化［20］；然后，將粉料加入乙醇在ND7－4L型行星球磨機上進行球磨混料，混好后將料漿在70℃的干燥箱中干燥24h，干燥后過篩造粒；最后，在LDT－6000型冷等靜壓機上采用冷等靜壓成型制備素坯，成型壓力為200MPa。

將素坯在氫氣氣氛、常壓下，從室溫以10℃·min－1的恒定速率升溫至1 350～1 900℃，不保溫，直接爐冷至室溫，測試不同溫度下試樣的晶粒大小和相對密度，從而獲得密度、晶粒大小和致密化速率與溫度的關系曲線，用以確定第一步燒結溫度T1。

將素坯在氫氣氣氛、常壓下，從室溫以10℃·min－1的恒定速率升溫至1 450～1 900℃，在不同溫度點保溫0～3h，通過測試試樣的晶粒大小和相對密度，獲得密度、晶粒大小隨保溫時間變化的曲線，用以確定第二步燒結溫度T2。

最后將素坯在氫氣氣氛下以恒定速率10℃·min－1升溫至1 750℃后迅速爐冷降溫至1 650℃，然后保溫2h，再隨爐冷卻至室溫，制得φ15mm×1mm的圓柱試樣。

1.2 試驗方法

將制得試樣進行雙面拋光，利用UV－1800PC型分光計和積分球測試樣的透光率；用Quanta 600FEG型掃描電鏡（SEM）對試樣的微觀結構進行觀察；用Instron1195型萬能電子試驗機測試樣的三點彎曲強度；用HV－1000型維氏硬度計測試樣的維氏硬度；采用阿基米德排水法測試樣的相對密度。

2 試驗結果與討論

2.1 第一步燒結溫度T1的確定

由圖1可見，燒結溫度在1 350～1 550℃時，試樣的相對密度變化不大，且都比較低，這不利于第二步燒結的致密化過程［11］。圖2的致密化速率曲線中在1 650～1 750℃區間出現了一個平臺，之后致密化速率下降，根據Hansen等的燒結模型［21］可知，這種下降是由于燒結末期晶粒的突然長大造成的。從圖2晶粒大小－溫度曲線可以看到，1 750℃以上晶粒的長大確實加快了，在1 900℃時長大的更明顯。伴隨著晶粒的突然長大，擴散距離就會增加，燒結致密就變得困難，這樣不利于第二步燒結。所以，確定T1的上限為1 750℃；又由于1 650℃以下致密化速率較慢，所以選擇1 650℃作為T1的下限。

2.2 第二步燒結溫度T2的確定

從圖3（a）可以看出，當燒結溫度高于1 750℃時，不保溫試樣的晶粒尺寸比較大。對1 750℃以下溫度的點做線性擬合發現，燒結溫度在1 650℃以上時直線的斜率突然增大，在1 650℃以下的斜率則都較小，且差別不大，這說明隨著保溫時間的延長，燒結溫度在1 650℃以上時晶粒的生長速度很快，所以選取1 650℃作為T2的上限。

從圖3（b）可以看出，燒結溫度在1 550℃以下時，雖然保溫很長時間（3h），但試樣的相對密度還是較低（95%以下），這可能是因為在較低的燒結溫度下，Al2O3陶瓷主要是表面擴散或Ostwald熟化（OR）機制在起主導作用［22］，而這種作用不僅不利于致密化，而且還會造成氣孔的增大，會對試樣的光學性能有較大的不利影響，所以將T1的下限定為1 600℃。

2.3 燒結性能

將兩步無壓燒結（T1＝1 750℃，T2＝1 650℃）制備的試樣與傳統一步燒結制備的（燒結溫度1 800℃，保溫2h）做對比，結果如表1所示。

表1 兩種燒結方法制備試樣的光學性能和力學性能Tab.1 Opitical and mechnical performances of samples prepared by the two sintering processes

從表1可以看出，兩步燒結法制備試樣的直線透光率下降較為明顯，這是由其平均粒徑減小、晶界增多導致光的散射增加所致；但其全透光率仍然可以滿足燈管的要求。另外，其力學性能有了大幅提高，能有效延長產品的使用壽命。

從圖4可以看出，兩步燒結法制備試樣的晶粒尺寸約為6μm，與升溫至1 750℃不保溫情況下試樣的平均晶粒大小（4.5μm）相比，沒有明顯長大。可見該方法很好地控制了晶粒的長大；并且透明性較好。

3 結 論

（1）采用兩步法無壓燒結技術在氫氣氣氛下制備了Al2O3半透明陶瓷，其第一步燒結溫度T1和第二步燒結溫度T2的范圍分別為1 650～1 750℃和1 600～1 650℃。

（2）采用該燒結法制備的試樣在力學性能上較一步燒結的有了大幅提高，其光學性能達到了燈管的要求。

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