
1891年美國人艾奇遜在進行電熔金剛石實驗時偶然生成一種新的碳化物——碳化硅(SiC)。兩年后,艾奇遜研究出工業冶煉碳化硅的方法,并被一直沿用至今。
1905年
人們第一次在隕石中發現碳化硅。
1907年
英國科學家Henry Joseph Round發現在施加電流時,SiC晶體會出現發光現象。同年,第一只SiC晶體發光二極管誕生。
1927年
俄羅斯科學家Oleg Lossew再次觀察到光發射“Round效應”。
1935年
法國科學家Georges Destriau發表了一份SiC粉末通電發光現象的報告,他將這一效應命名為“Lossew光”,并提出了“電致發光現象”這一術語。
1955年
隨著半導體物理學和半導體工業的發展,“電致發光現象”在理論和技術上取得重大突破,SiC成為重要的電子材料。
1962年

GE公司使用磷砷化鎵材料制成紅色發光二極管。這是第一顆可見光LED,被視為“現代LED之祖”。
1965年
磷砷化鎵紅光LED實現商業化生產。
1968年
出現氮摻雜砷化鎵的LED。
20世紀70年代
出現磷化鎵綠光LED和碳化硅黃光LED。新材料的使用提高了LED的發光效率,并將LED的發光光譜擴展到紅光、橙光、黃光和綠光。

1989年
日本科學家赤崎勇和天野浩首次成功研發出藍光LED。
1993年
日亞化學工業公司的中村修二等人開發出首個明亮的藍色氮化鎵LED,隨后用氮化銦鎵半導體制出超高亮的紫外藍光和綠光LED,用磷化鋁鎵銦半導體制出超高亮紅光和黃光。中村修二還設計、制造出白光LED并憑此獲得2014年諾貝爾物理學獎。
1999年
輸入功率達1W的LED實現商業化生產。
2006年
白光LED的光效達到130流明/瓦,成為僅次于氣體放電燈的高效率電光源。
2013年
白光LED的實驗光效達到300流明/瓦,是50年前LED光效的數千倍,成為效率最高的電光源。