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電渦流檢測導(dǎo)電平板裂紋缺陷的有限元仿真研究

2014-02-24 08:31:24張思全
科技視界 2014年10期
關(guān)鍵詞:磁場裂紋有限元

齊 川 張思全

(上海海事大學(xué) 物流工程學(xué)院,中國 上海 201306)

0 引言

隨著工業(yè)技術(shù)的快速發(fā)展,許多行業(yè)對于金屬材料表面光滑度的要求越來越高,光滑度的高低直接影響到工業(yè)生產(chǎn)的安全、產(chǎn)品的質(zhì)量等,因而對金屬材料表面缺陷的檢測已經(jīng)成為工業(yè)生產(chǎn)中的一個重要環(huán)節(jié)。目前,針對金屬材料表面的缺陷,常用的無損檢測方法有射線檢測、超聲檢測、磁粉檢測、渦流檢測等。其中,渦流檢測技術(shù)是一種基于電磁感應(yīng)原理的常規(guī)無損檢測方法,它采用非接觸測量,不需要耦合劑,不需要對材料表面清洗,具有檢測速度快,靈敏度高,抗干擾能力強等特點,因此在工業(yè)生產(chǎn)和科學(xué)研究等各領(lǐng)域都得到了廣泛的應(yīng)用。[1]

金屬導(dǎo)體表面裂紋缺陷的定性、定量分析一直是渦流檢測中的重點問題。 本文基于有限元仿真法,利用Ansoft Maxwell 軟件建立包括線圈和導(dǎo)體平板的渦流檢測系統(tǒng)有限元模型,對不同深度的裂紋進行有限元仿真,從電磁場分布的角度深入分析不同裂紋深度對磁感應(yīng)強度的影響,從而為快速、準確地獲取缺陷的真實深度提供參考依據(jù),同時也有利于渦流傳感器參數(shù)的優(yōu)化設(shè)計,并降低了渦流檢測系統(tǒng)的實驗成本。[2]

1 基本原理

渦流檢測是建立在電磁感應(yīng)原理基礎(chǔ)之上的一種無損檢測方法,由三部分組成,即加載交變電流的檢測線圈、檢測電流的儀器和被檢測的導(dǎo)電物體。 當通有交變電流的線圈靠近被檢測導(dǎo)電物體時,由于線圈中交變電流產(chǎn)生的一次磁場作用于導(dǎo)體,在導(dǎo)體表面感應(yīng)出渦電流,該渦電流同時產(chǎn)生一個與原磁場方向相反的二次磁場作用在檢測線圈。若導(dǎo)電物體的表面存在裂紋缺陷,由于裂紋電阻大,會切斷或降低電渦流,使其流向發(fā)生扭曲,朝著缺陷的底部和邊緣偏轉(zhuǎn),從而影響到工件周圍感應(yīng)磁場的分布。因此,可通過測量該感應(yīng)磁場的變化,實現(xiàn)裂紋等缺陷的定性、定量分析。[4]

2 理論基礎(chǔ)

19 世紀中期,麥克斯韋在總結(jié)前人工作的基礎(chǔ)上,提出了適用于所有宏觀電磁現(xiàn)象的數(shù)學(xué)模型,稱之為麥克斯韋方程組。 麥克斯韋方程組描述了電磁場的基本特征,是渦流檢測技術(shù)的理論基礎(chǔ)。 它由四個定律組成,分別為:安培環(huán)路定律、高斯磁通定律、法拉第電磁感應(yīng)定律和高斯電通定律。[3]其微分形式如下所示:

式中E 表示電場強度矢量,H 表示磁場強度矢量,D 表示電通密度矢量,B 表示磁通密度矢量,J 表示電流密度矢量,ρ 表示電荷密度。上述各參量在均勻介質(zhì)中滿足如下關(guān)系:

其中,ε 為介電常數(shù),μ 為磁導(dǎo)率,σ 為電導(dǎo)率。

3 有限元仿真

本文采用Ansoft Maxwell 軟件對檢測系統(tǒng)進行電磁場有限元仿真分析, 其中Maxwell 3D 渦流場模塊用于分析導(dǎo)體中時變電流或外界交變磁場源所引起的時變磁場, 它利用自適應(yīng)分析法進行網(wǎng)格剖分,可使求解問題的速度和精度得到提高。

3.1 模型構(gòu)建

首先建立渦流檢測模型。 模型主要由線圈、鐵芯和被測工件三部分組成。 三維模型如圖1 所示。 其中,被測工件是一塊(40*40*5)mm3的不銹鋼平板,其電導(dǎo)率為16.5MS·m-1,相對磁導(dǎo)率為1,表面正中心有一個矩形缺陷。 激勵線圈的內(nèi)徑為3.2mm,外徑為5.6mm,提離高度為1mm,匝數(shù)為800,材料屬性為系統(tǒng)默認的銅。 鐵芯的底面半徑為4mm,高度為5mm,材料屬性為鐵氧體。 背景區(qū)域為空氣。 各部分材料的電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率恒定且各向同性。

圖1 導(dǎo)電平板渦流檢測的有限元模型

3.2 參數(shù)設(shè)定與求解器設(shè)定

有限元的參數(shù)設(shè)定一般包括設(shè)置邊界條件、 激勵源和網(wǎng)格剖分等。 該模型中,由于對稱面兩側(cè)的電流大小相等,符號相反,而且磁場與對稱面相切, 所以將背景區(qū)域的左邊界和后邊界設(shè)為Zero Tangential H Field 邊界條件,即磁場強度切向分量恒為零邊界條件。

由于線圈為多股聚酯漆包銅線多層并繞而成,故本文采用絞線電流源strand,匝數(shù)為800。 假定線圈激勵電流在其截面上均勻分布。 激勵源電流初始相位為0。 繞組電流設(shè)為正弦激勵電流,幅值為100A,相位為0。

考慮到渦流對導(dǎo)體的集膚效應(yīng),對被測導(dǎo)體采用基于集膚效應(yīng)滲透深度剖分設(shè)置,即導(dǎo)體表面的網(wǎng)格較為稠密,而集膚效應(yīng)層之下的網(wǎng)格則相對較為稀疏。輸入材料的相對磁導(dǎo)率、電導(dǎo)率和工作頻率,軟件便可自動計算出集膚效應(yīng)的滲透深度。

最后一步為設(shè)置求解器。 設(shè)定激勵頻率為10kHz,選擇自適應(yīng)分析,設(shè)置計算的循環(huán)數(shù)50、每次循環(huán)改進的百分比為30%,以及總的能量誤差5%。

4 仿真結(jié)果分析

根據(jù)Maxwell 電磁感應(yīng)理論,激勵線圈遠離缺陷區(qū)域時,工件周圍的感應(yīng)磁場流動受到的阻礙很小.磁感應(yīng)強度B 基本保持恒定; 遇到缺陷時,感應(yīng)磁場會發(fā)生偏轉(zhuǎn),磁感應(yīng)強度會發(fā)生變化。 而不同的缺陷深度產(chǎn)生的磁感應(yīng)強度變化也是不同的。[5-6]為了研究裂紋深度對測量結(jié)果的影響,使裂紋的長度和寬度均為定值,將裂紋的深度依次設(shè)為1mm、2mm、3mm。在三種不同裂紋深度的情況下分別進行仿真。仿真時,裂紋與X 軸平行,激勵線圈沿Y 軸方向水平移動,垂直于缺陷走向;電流沿X 軸方向,平行于缺陷走向。 線圈從Y 軸-16mm 處開始掃描,每移動2mm 作一次仿真,終點為Y 軸16mm,總共進行15次仿真。 圖2 為線圈掃描到裂紋正上方時導(dǎo)電平板磁場密度分布圖。

圖2 磁場密度分布圖

圖3 磁感應(yīng)強度變化曲線

以激勵線圈中心正下方0.5mm的A 點作為參照點, 計算A 點在不同裂紋深度下的每一次仿真的磁感應(yīng)強度。圖5 為裂紋深度變化時A 點磁感應(yīng)強度B 的變化曲線。

從圖中可以看出, 當線圈離裂紋較遠時,A 點的磁感應(yīng)強度變化較為平穩(wěn),基本在6.1 處作小范圍的波動,且裂紋深度對磁感應(yīng)強度的影響不大; 隨著線圈向裂紋靠近,A 點的磁感應(yīng)強度的變化幅度逐漸變大, 當A 點正好位于裂紋正上方時, 磁感應(yīng)強度的波動達到最大,且裂紋越深,磁感應(yīng)強度變化越大。

5 結(jié)束語

本文基于有限元分析方法對渦流傳感器檢測系統(tǒng)進行了數(shù)值仿真, 利用Ansoft Maxwell 軟件建立了渦流傳感器的檢測三維模型,對于不同深度的裂紋,分別使激勵線圈在導(dǎo)體上方沿裂紋的垂直方向進行掃描并仿真, 得到了線圈磁力線分布和被測導(dǎo)體的磁場密度分布,通過計算線圈正下方磁感應(yīng)強度,重點分析了不同裂紋深度對對磁感應(yīng)強度的影響。 仿真結(jié)果表明:裂紋缺陷會對線圈的磁感應(yīng)強度發(fā)生變化,且這一變化隨裂紋深度的增加而變大。

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