唐濤
富士通半導體(上海)有限公司(以下簡稱富士通半導體)最近火了,它的一個新創舉在半導體領域掀起了軒然大波。它成功推出了擁有1 Mb內存的FRAM(鐵電存儲器)產品—MB85RS1MT,由于該器件采用晶圓級芯片尺寸封裝(WL-CSP),一舉成為業內擁有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
富士通半導體自1999年開始量產FRAM產品以來,已將產品廣泛應用在工廠自動化設備、測試儀器、金融終端機及醫療裝置等領域。此次采用WL-CSP封裝的MB85RS1MT器件的推出,則將其應用領域延展到了智能可穿戴設備應用當中。
智能可穿戴設備是當下的市場熱點,并以驚人的速度快速滲透和發展,逐漸成為了半導體領域的核心技術產品。智能可穿戴設備應用涵蓋范圍廣闊且種類繁多,包括智能眼鏡、頭戴式顯示器、隱蔽式助聽器和智能脈搏計等,以及可記錄卡路里消耗量和運算數據的活動記錄器如智能手環等。
此次富士通半導體推出的MB85RS1MT為智能可穿戴設備提供了理想的內存器件的選擇,除了可讓終端應用產品的整體體積變小之外,更可讓整個系統在寫入數據時將功耗降至最低,并大幅延長了智能可穿戴設備的待機時間。
此次富士通半導體推出的MB85RS1MT在采用WL-CSP封裝后,其體積僅為3.09 × 2.28 × 0.33毫米,比SOP封裝體積小了95%,其面積比SOP封裝小了77%,其厚度僅相當于信用卡厚度的一半,可幫助客戶實現更輕、薄、短、小的智能可穿戴裝置。同時與一般的非揮發性內存如EEPROM和閃存(Flash)等相比,MB85RS1MT可保證有一萬億次寫入/擦除 (write/erase) 周期,它的寫入速度是前者的1000倍以上,而功耗僅為其1/1000~1/100000,FRAM的使用壽命更是超過EEPROM和Flash使用壽命的10000倍以上,是實時存儲數據的理想選擇。此外,相較于一般使用的EEPROM和閃存(Flash)等非揮發性內存,MB85RS1MT寫入數據的速度也比較快,因此可在寫入數據時大幅降低功耗。基于此原因,為了實時記錄而需經常性寫入數據的穿戴式裝置在采用MB85RS1MT后,可擁有更佳電池續航力和更小體積的優勢。
富士通半導體(上海)有限公司是富士通在中國的半導體業務總部,在北京、深圳、大連等地均設有分公司,負責統籌富士通在中國半導體的銷售業務。富士通半導體(上海)有限公司的主要產品包括 Custom SoCs (ASICs), 代工服務,專用標準產品(ASSPs),鐵電隨機存儲器,繼電器和GaN(氮化鎵),它們是以獨立產品及配套解決方案的形式提供給客戶,并廣泛應用于高性能光通信網絡設備、手持移動終端、影像設備、汽車、工業控制、家電、穿戴式設備、醫療電子、電力電表、安防等領域。在技術支持方面,分布于上海、香港及新加坡的ASIC支持設計中心和分布于上海、香港及臺灣的系統解決方案設計中心通過與客戶、設計伙伴、研發資源及其他零部件供應商的溝通、協調,共同開發完整的解決方案,從而形成一個包括中國在內的完整的亞太地區設計、開發及技術支持網絡。