美國(guó)IBM公司碳納米管商用技術(shù)取得突破

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美國(guó)IBM公司碳納米管商用技術(shù)取得突破

美國(guó)IBM公司的研究人員在碳納米管生產(chǎn)技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展，改變了碳納米管與金屬觸點(diǎn)連接的方式，有助于生產(chǎn)出具有商業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的碳納米管設(shè)備，使碳納米管晶體管替代硅晶體管成為現(xiàn)實(shí)。

碳納米管具有優(yōu)異的電性能和熱性能，理論上來說可以用于基本電路的制造，提高計(jì)算機(jī)運(yùn)行速度和能效。但是，生產(chǎn)基于碳納米管晶體管的商用設(shè)備面臨著制造方面的諸多挑戰(zhàn)。在制造碳納米管晶體管時(shí)，傳統(tǒng)的做法是在碳納米管上進(jìn)行金屬觸點(diǎn)沉積。此次，IBM的研究人員將金屬觸點(diǎn)置于碳納米管的底部，通過反應(yīng)形成不同的化合物，從而改變了1個(gè)碳納米管和2個(gè)金屬觸點(diǎn)之間的界面。采用這種方式，研究人員證明，尺寸小于10nm的金屬觸點(diǎn)不會(huì)影響碳納米管的性能。

(科技部)