中車永濟(jì)電機(jī)有限公司 張 丹 牛 勇 陳 宏 陳彥肖
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基于IGBT并聯(lián)技術(shù)的輔助變流模塊設(shè)計(jì)
中車永濟(jì)電機(jī)有限公司 張 丹 牛 勇 陳 宏 陳彥肖
【摘要】受電力電子器件生產(chǎn)制造工藝的限制,為了提高電力電子裝置的功率等級(jí),一般采用電力電子器件串聯(lián)或是變流單元多重化串并聯(lián)的方法。文章在總結(jié)IGBT并聯(lián)技術(shù)的基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了一個(gè)容量為230kVA輔助變流功率模塊。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明,該模塊設(shè)計(jì)合理、運(yùn)行可靠、滿足各項(xiàng)設(shè)計(jì)指標(biāo)。
【關(guān)鍵詞】并聯(lián);IGBT;均流
通過(guò)電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)兩種基本方法,均可增大電力電子裝置的功率等級(jí)。采用這兩種方法設(shè)計(jì)的大功變流器,結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單,加之控制策略與小功率變流器相兼容,功率提升主要靠電力電子器件串并聯(lián)數(shù)目的增加來(lái)實(shí)現(xiàn),因此具有成本較低,便于不同功率等級(jí)變流器進(jìn)行模塊化設(shè)計(jì)和生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。
通過(guò)串聯(lián)IGBT可以提高變流器的電壓等級(jí),而通過(guò)并聯(lián)IGBT則可以提高變流器的電流等級(jí),從而提升變流器的功率等級(jí)。考慮到前者功率密度相對(duì)較低,從性價(jià)比出發(fā),IGBT并聯(lián)技術(shù)是最好的選擇。
本文首先分析了影響并聯(lián)IGBT均流效果的主要因素,并得出在IGBT并聯(lián)時(shí)需要遵循的原則。在此基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)研發(fā)出一個(gè)容量為230kVA的輔助變流功率模塊。
在多個(gè)IGBT并聯(lián)使用時(shí),由于驅(qū)動(dòng)電路特性、器件特性和電路布局等的影響,將引起流過(guò)各并聯(lián)IGBT的電流不均衡,器件可能由于過(guò)熱而損壞。
1.1IGBT和反并聯(lián)二極管靜態(tài)參數(shù)的影響
IGBT的飽和壓降Vce(sat)、反并聯(lián)二極管的正向壓降Vf主要影響靜態(tài)均流效果;IGBT的跨導(dǎo)gfs和柵極-發(fā)射級(jí)閾值電壓Vge_th、反并聯(lián)二極管的反向恢復(fù)特性(反向恢復(fù)時(shí)間trr和反向恢復(fù)電荷Qrr等)主要影響動(dòng)態(tài)均流效果。
1.2IGBT驅(qū)動(dòng)電路參數(shù)的影響
并聯(lián)IGBT的門極驅(qū)動(dòng)電壓Vge的大小主要影響并聯(lián)IGBT的靜態(tài)均流,而門極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的變化率、門極驅(qū)動(dòng)電阻Rg、驅(qū)動(dòng)線路的布局和感抗等參數(shù)則對(duì)并聯(lián)IGBT的動(dòng)態(tài)均流有很大的影響
1.3主電路結(jié)構(gòu)的影響
主電路的結(jié)構(gòu)會(huì)造成線路感抗差異,并對(duì)并聯(lián)IGBT的動(dòng)態(tài)均流產(chǎn)生影響,而線路的電阻則影響靜態(tài)均流。
根據(jù)上述設(shè)計(jì)原則,本文設(shè)計(jì)一個(gè)額定容量為230kVA輔助變流功率模塊。該模塊由四象限整流和三相逆變兩部分構(gòu)成。在輔助控制單元ACU的控制下,輔助四象限整流電路的IGBT進(jìn)行開(kāi)關(guān)變化,將輸入的AC401V單相交流電轉(zhuǎn)換為DC750V,再通過(guò)ACU控制三相逆變電路的IGBT開(kāi)關(guān)變化,將DC750V逆變?yōu)槿郃C380V,逆變方式為PWM,其主電路如下圖所示。從電路原理圖1所知,四象限整流電路采用IGBT并聯(lián)技術(shù),所以本文重點(diǎn)介紹四象限整流電路是如何實(shí)現(xiàn)。

圖1 主電路原理圖
2.1IGBT模塊的選擇
通過(guò)選擇具有正溫度系數(shù)并且最好是同一批次的IGBT單元,可以提高器件參數(shù)的一致性,實(shí)現(xiàn)最好的靜態(tài)均流。
2.2驅(qū)動(dòng)電路
如果每個(gè)IGBT分別由各自的驅(qū)動(dòng)核和驅(qū)動(dòng)回路實(shí)現(xiàn)并聯(lián)驅(qū)動(dòng),不僅略顯復(fù)雜,而且成本高,最重要的是不同驅(qū)動(dòng)器之間的傳播延時(shí)不匹配是影響動(dòng)態(tài)均流的主要因素,也比較難以控制。所以通過(guò)IGBT驅(qū)動(dòng)電路參數(shù)的合理設(shè)計(jì)和共用同一驅(qū)動(dòng)電路,可以提高IGBT開(kāi)關(guān)速度、減小器件參數(shù)分布性的影響,改善動(dòng)態(tài)均流的效果。
因此本文驅(qū)動(dòng)板設(shè)計(jì)采用西門康SKYPER42R為驅(qū)動(dòng)核,該芯片可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)3個(gè)并聯(lián)的IGBT,門極兩路輸出,可以控制一個(gè)橋臂IGBT的開(kāi)關(guān)。通過(guò)使用該芯片為驅(qū)動(dòng)核,來(lái)設(shè)計(jì)合理的外圍驅(qū)動(dòng)電路,使其驅(qū)動(dòng)四象限整流電路一個(gè)并聯(lián)橋臂。
2.3對(duì)稱布局
并聯(lián)IGBT之間換流回路的雜散電感差異會(huì)對(duì)動(dòng)態(tài)均流產(chǎn)生重大影響,尤其對(duì)大功率模塊而言。并聯(lián)回路中所有的功率回路和驅(qū)動(dòng)回路須保持最小回路漏感及嚴(yán)格的對(duì)稱布局,因此一個(gè)有效辦法是采用疊層母排結(jié)構(gòu)。本文設(shè)計(jì)的輔助變流功率模塊,IGBT正負(fù)間電氣連接采用復(fù)合母排,交流輸入采用對(duì)稱銅排相連接,IGBT柵極驅(qū)動(dòng)連線使用雙絞線,長(zhǎng)度相等。
2.4散熱
并聯(lián)IGBT之間的冷卻差異會(huì)引起工作結(jié)溫不同,進(jìn)而影響IGBT的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)特性,使電流出現(xiàn)不平衡。因此,設(shè)計(jì)使并聯(lián)IGBT模塊安裝在相同的水冷基板上,位置對(duì)稱并且相鄰以降低冷卻的差異,以獲得最佳的熱耦合,達(dá)到優(yōu)的熱平衡狀態(tài)。另外,組裝時(shí)還要求并聯(lián)IGBT模塊涂抹的導(dǎo)熱硅脂盡可能地均壓和一致。
3.1驅(qū)動(dòng)信號(hào)驗(yàn)證
為了驗(yàn)證驅(qū)動(dòng)電路同步性,對(duì)并聯(lián)IGBT模塊進(jìn)行低壓脈沖測(cè)試,驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通電壓15V,關(guān)斷電壓-7V,如下圖2低壓脈沖測(cè)試所示。從圖中可知,并聯(lián)IGBT模塊的柵極電壓上升時(shí)間,下降時(shí)間同步,驗(yàn)證了驅(qū)動(dòng)電路雙路輸出設(shè)計(jì)一致性。

圖2 低壓脈沖測(cè)試
3.2高壓脈沖測(cè)試
在雙脈沖試驗(yàn)臺(tái)上,給V1~V4每個(gè)IGBT的C、E端子之間接入
950Vdc左右,調(diào)整脈沖信號(hào)發(fā)生器兩次脈沖寬度和可變電感負(fù)載使IGBT接通后通過(guò)的電流能夠達(dá)1200A左右,然后給IGBT發(fā)送兩個(gè)不連續(xù)的開(kāi)通脈沖。結(jié)果如圖3和4所示。

圖3 V1和V2并聯(lián)上橋臂脈沖測(cè)試

圖4 V1和V2并聯(lián)下橋臂脈沖測(cè)試
從圖3所知,上橋臂單管電流為520A,負(fù)載電流1090A,經(jīng)計(jì)算另一上管電流為550A,電流的不平衡率為2.8%。從圖4所知,流經(jīng)下橋臂的總電流為1120A,其中一下管電流測(cè)得為520A,經(jīng)計(jì)算另一上管電流為550A,電流的不平衡率為2.8%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,電路的均流特性良好,驗(yàn)證主電路并聯(lián)設(shè)計(jì)的合理性。
本文在理論研究的基礎(chǔ)上,研制出一個(gè)額定容量為230kVA的輔助變流功率模塊。他將逆變電路和整流電路集為一體,具有功能獨(dú)立、結(jié)構(gòu)緊湊、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。整個(gè)產(chǎn)品已完成樣機(jī)試制,并完成變流器滿載、溫升等全部聯(lián)調(diào)試驗(yàn),結(jié)果表明該模塊設(shè)計(jì)合理、滿足各項(xiàng)設(shè)計(jì)指標(biāo)、具有高的應(yīng)用和推廣價(jià)值。
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