0.18 μm完全隔離型低導通態電阻（Low Ron）NLDMOS研究

馮喆韻，馬千成，汪　銘（中芯國際集成電路制造有限公司，上海 201203）

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0.18 μm完全隔離型低導通態電阻（Low Ron）NLDMOS研究

馮喆韻，馬千成，汪銘
（中芯國際集成電路制造有限公司，上海 201203）

介紹一組基于0.18 μm邏輯平臺構建的低導通態電阻（Low Ron）NLDMOS。該組LDMOS涵蓋10～30 V應用電壓。該NLDMOS為完全隔離型，因而其源端和漏端均可以獨立于襯底加偏壓。針對Drift區域和Body區域分別進行結構優化，最終得到性能良好的低導通態電阻（Low Ron）NLDMOS。其導通態電阻（Ron）為4.4 mΩ·mm-2對應擊穿電壓（BV）～20 V，21 mΩ·mm-2對應擊穿電壓（BV）～41 V。

LDMOS；低導通態電阻；完全隔離型

1　引言

功率集成電路（Power IC）是指將功率器件、控制電路、信號處理和通信接口電路等集成在同一芯片中的特殊集成電路。隨著技術的不斷發展，功率集成電路處理電流能力越來越強，系統集成度也越來越高，目前已被廣泛應用于通信與網絡、計算機與消費電子、工業與汽車電子等諸多領域。

近年來，功率集成電路應用對于降低成本、縮小面積和提高集成度方面的需求越來越高［1，2］。因而不斷降低LDMOS的導通態電阻（Ron）是我們努力的一個主要方向。我們都知道LDMOS的擊穿電壓（BV）和導通態電阻（Ron）之間有著很強的制約關系，單純地通過物理尺寸的變化得到低導通態電阻（Ron）的同時擊穿電壓（BV）也會隨之減小。同理，提高擊穿電壓（BV）的同時導通態電阻（Ron）也會隨之增大［3，4］。所以很多人都致力于用各種方法來突破擊穿電壓（BV）和導通態電阻（Ron）的極限關系［5］。

本文所述0.18 μm BCD平臺與0.18 μm邏輯平臺兼容，可同時提供應用電壓為10～30 V的高壓器件，平臺中的NLDMOS為完全隔離（fully isolated）型。……