NAND Flash浮柵干法蝕刻工藝優化解決數據寫入失效

陳　亮，周朝鋒，李曉波（1.上海交通大學，上海0040；.中芯國際（上海）集成電路股份有限公司，上海01507）

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NAND Flash浮柵干法蝕刻工藝優化解決數據寫入失效

陳亮1，2，周朝鋒2，李曉波2
（1.上海交通大學，上海200240；2.中芯國際（上海）集成電路股份有限公司，上海201507）

隨著移動終端的大量普及，存儲器市場需求得到大幅度提升。NAND Flash以其大容量和體積小的優點，在目前的存儲器市場占據著越來越重要的地位。產品良率是影響NAND Flash發展的一個重要因素。其中NAND Flash讀寫操作中的寫入失效是良率損失最主要的原因。經分析，整合工藝的復雜性以及蝕刻制程工藝的局限性，浮柵和控制柵物理結構不完善會產生數據寫入失效。著眼于對浮柵的干法蝕刻工藝進行改進，改善浮柵和控制柵物理結構，防止寫入失效，從而得到最佳的良率。

NAND；Flash工藝制程；浮柵；控制柵；干法蝕刻；良率

1　引言

隨著蘋果的智能手機（iPhone）及智能移動終端（iPad）的成功，以及安卓（Android）的流行，智能移動終端迅速普及。它已經取代PC成為IT領域發展最快并且最大的市場。與CPU、顯示器一起，存儲器已成為智能終端的3個核心器件之一，占據著重要的戰略地位。與此同時，IT市場一個重要趨勢是固態硬盤（SSD）取代傳統硬盤（HDD）。因此核心閃存存儲（Flash Memory）技術是現在所有存儲器中發展最快的核心技術。世界第一大存儲器廠商韓國三星斥巨資300億美元在西安建立最新一代NANDFlash生產線，生產64Gb及以上的高容量產品，即為搶占高容量SSD市場。

許多大廠如東芝、美光、海力士等，紛紛涉足NAND Flash晶圓……