多線切割工藝對研磨去除量的影響

蘇鵬飛，楊洪星，何遠東，馬玉通

（中國電子科技集團公司第四十六研究所，天津300220）

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多線切割工藝對研磨去除量的影響

蘇鵬飛，楊洪星，何遠東，馬玉通

（中國電子科技集團公司第四十六研究所，天津300220）

大直徑硅片的研磨去除量成為評價多線切割工藝水平的關鍵技術指標，也有利于研磨工序單位成本的降低；切片損傷層深度是決定全片研磨去除量的主要因素，而切片幾何參數是決定局部研磨去除量的主要因素。通過對多線切割工藝中切片損傷層深度控制以及幾何參數的控制，從而降低晶片的研磨去除量。

硅；多線切割；損傷層；總厚度變化；翹曲度

在晶體加工過程中，隨著硅單晶尺寸的增大，多線切割技術正被廣泛應用于晶體切割工序。線切割不會明顯改善翹曲，但是切割時硅的損耗顯著減小，同時損傷深度減小。這進一步反饋到后續工藝，減小了顆粒產生、殘余損傷引起的位錯形成、硅片破裂等可能性［5］。

硅切片的損傷層深度直接受晶體切割工藝影響，并影響著后續的晶片研磨工序的去除量。此外，切片的幾何參數 ［如彎曲度 （TTV）、翹曲度（Warp）和平整度（Bow）］也間接影響著研磨工序的去除量。因此，本文從降低切片損傷層深度、控制切片幾何參數精度兩方面對多線切割工藝進行研究。

1　試　驗

1.1樣品

直徑：151 mm±0.2 mm；長度：260 mm±10 mm；導電類型：P型；電阻率：8～13 Ω·cm。

1.2工藝流程

經斷頭尾、單晶滾圓工序后，得到符合多線切割機加工要求的硅單晶，經定向粘接、多線切割、脫膠、清洗等工藝過程獲得厚度為780 μm±20 μm的硅切割片，對硅切割片的參數進行測試，通過倒角、磨片等工序進行驗證。……