MEMS梁膜結構流量傳感器設計與實現

陳 佩, 趙玉龍, 田 邊(1. 長安大學 工程機械學院, 西安 710064; . 西安交通大學 機械制造系統工程國家重點實驗室, 西安 710054)

MEMS梁膜結構流量傳感器設計與實現

陳 佩1,*, 趙玉龍2, 田 邊2
(1. 長安大學 工程機械學院, 西安 710064; 2. 西安交通大學 機械制造系統工程國家重點實驗室, 西安 710054)

流量是工業檢測重要參數之一。流量檢測技術隨著微機械電子系統(MEMS)技術的發展與應用，向著小型化、高精度、智能化的方向發展。基于MEMS技術設計了一種梁膜結合的壓差式流量傳感器結構，分析了其基本工作原理，采用硅微加工工藝對傳感器進行了流片加工，然后對封裝完成的傳感器樣機進行了氣流和水流靜態性能測試。氣流測試靈敏度為0.3508mV/(ms-1)2，測試基本精度為0.5885%FS；水流測試靈敏度為41.5241mV/(ms-1)2，測試基本精度為0.9323%FS。結果表明，所設計傳感器具有較高的靈敏度與基本精度，從而能完成流量信號的檢測。

微機電系統；流量；傳感器；梁膜結構；微加工

0 引 言

流量是工業檢測重要參數之一，在制造業、物理化學、生命科學及國防安全中均是需要重點檢測的物理量[1-3]。流量傳感器的發展具有悠久的歷史。自20世紀50年代以來，隨著微機械電子系統(MEMS)的興起和發展，使得流量傳感器的研究方向朝著小型化、高精度和智能化的方向發展[4-6]。

國內外學者針對基于MEMS技術的流量傳感器展開了廣泛研究，最常見的是基于傳熱學原理的熱式微型流量傳感器[7-8]。MEMS熱式流量傳感器具有較寬的測量范圍，較高的靈敏度，低的流量測量下限，以及較好的工藝可控性等。熱式流量傳感器經過近40年發展，已經占據了流量測量的主流市場。然而，熱式流量傳感器也有著其固有缺點，如襯底熱傳導導致的測量誤差、功耗較大、容易發生零漂以及響應時間過長等。此外，當流體處于運動狀態時，傳感器熱導率可能增加，從而帶來較大的測量誤差。

非熱式流量傳感器可以較好地克服以上缺點，具有零點漂移小、功耗低、檢測電路簡單、測量方式多樣和響應時間短等優點。非熱式流量傳感器逐漸成為近年來的研究熱點，現有典型的非熱式流量傳感器結構有懸臂梁式、曲梁式和平膜式等。直梁結構的代表是由Ozaki等制作的壓差式流量傳感器[9]。該傳感器用于測試水流流量，其量程為0.2～1m/s，靈敏度31.45mV/(ms-1)2，非線性0.8254%FS。曲梁結構的代表是由Yu-Hsiang Wang等制作的流量傳感器[10]。該傳感器用于氣流測試，但靈敏度和精度較低。其主要優點是可以實現氣流二維流向的辨別，量程為15～30m/s，靈敏度0.1048mV/(ms-1)2，非線性1.3521%FS。平膜結構的代表是由Richter等在壓力傳感器膜片中央刻蝕一個小孔制作而成的一種壓差式流量傳感器[11]。該傳感器水流測試靈敏度為40.4mV/(ms-1)2，其文中并未報道測量下限。以上各類傳感器靈敏度和精度均有提升空間，且無法同時實現氣流測試和水流測試。

本文采用MEMS技術，提出一種具有梁膜結構的壓差式流量傳感器，以解決現有非熱式流量傳感器靈敏度低、測量精度差等問題。

1 傳感器結構設計及工作原理

目前常見的MEMS壓差式流量傳感器敏感單元結構主要有懸臂梁式、平膜式和曲梁式等。這些結構都是利用壓阻效應，在梁或膜的應力集中部位制作壓敏電阻，以達到對流量信號的測量目的。綜合考慮測量精度、靈敏度及加工精度等方面的因素，本傳感器彈性單元采用梁膜結合的四梁傳感器結構，由中央膜片、敏感梁和硅支撐體3部分組成，其結構如圖1所示。傳感器芯片整體尺寸為2.5mm×2.5mm×0.25mm。

中央膜片直接受到運動流體的沖擊作用，應力通過中央膜片傳遞到敏感梁上，在敏感梁根部產生應力集中，在此布置壓敏電阻可提高傳感器的靈敏度。硅支撐體主要用于封裝過程中與傳感器殼體鍵合。在4個敏感梁靠近硅支撐體一端各設計有1個壓敏電阻，4個壓敏電阻組成惠斯通全橋電路，如圖2所示。

當傳感器受到一定速度的流體沖擊作用時，在中央膜片的上下表面會產生壓力差Δp，在Δp的作用下敏感梁發生變形，使得壓敏電阻阻值發生變化，從而惠斯通電橋輸出一個電壓U0。

當流體作用于傳感器時，所產生的壓力差Δp可表示為[12]：

式中：Δp為中央膜片上下表面的壓力差；CD為與傳感器結構相關的系數，當傳感器結構確定之后，其值為一常量；ρ為流體密度；V為流體速度。

在Δp的作用下惠斯通電橋輸出電壓U0可表示為[13]：

式中：U為惠斯通電橋輸入電壓；K0為材料的應變系數；E為材料彈性模量；l、b、h分別為敏感梁的長、寬、厚；ACH為流體通道面積；AM為中央膜片面積。以上參數均為常量。

式(2)表明，惠斯通電橋輸出電壓與流體速度的平方成正比關系。通過標定試驗，可以得到惠斯通電橋輸出電壓與流體速度的關系式，從而將流量信號轉換為電信號，實現流量的測量。

2 傳感器芯片微加工與封裝

2.1 傳感器芯片的微加工

本傳感器需要采用離子注入、光刻、ICP刻蝕、金屬引線濺射等工藝來完成敏感電阻、敏感梁及中央膜片的制作，每個工藝流程都需要制作不同的掩模版來完成[14-16]。因此，針對性地設計了用于形成敏感電阻的電阻版(M1)，用于形成電阻與導線連接的歐姆接觸版(M2)，用于形成金屬引線及焊盤的引線版(M3)，用于實現硅片減薄形成薄膜結構的背腔版(M4)，用于釋放敏感梁形成梁膜結構的正面穿透版(M5)。此外，由于傳感器應用環境要求，還設計了保護傳感器芯片的氧化膜版(M6)，以增加傳感器芯片密封性。傳感器芯片的微加工工藝流程如圖3所示。

(1) 選用厚度為250μm的n型雙面拋光4寸(100)晶面硅片加工傳感器芯片，電阻率為10Ω·cm，使用HF溶液清洗硅片去除氧化層。

(2) 對n型硅片采用雙面高溫氧化法來獲得SiO2電絕緣層，同時，表面微加工時硅的犧牲層掩膜也可以使用該SiO2層。

(3) 光刻硅片正面，形成壓敏電阻條形狀，然后將暴露出的氧化層采用濕法腐蝕及反應離子刻蝕去除，并進行硼離子擴散，從而獲得p型摻雜的壓敏電阻，其中注入能量80keV，注入劑量3×1014cm-2。

(4) 光刻引線孔，將引線孔上的SiO2刻蝕掉，為了降低金屬引線與電阻之間的接觸電阻，通過Pt合金化來形成引線孔。Pt覆蓋層為100nm，p型硅與PtSi合金的接觸電阻為0.02Ω。

(5) 光刻引線，通過濺射分別生成厚150、300和1500?的Ti-Pt-Au膜；通過光刻技術得到光致抗蝕劑掩膜，采用Ti作為與電阻條接觸金屬，為采用Pt作為中間的阻擋層擴散金屬，采用Au作為外界金屬層，從而實現金絲與電阻條間的電氣連接。然后通過濕法腐蝕金屬層，獲得電極引線；光刻電極工藝后，進行金屬化處理[17]。

(6) 背腔刻蝕。利用背腔版M4對硅片背面進行ICP刻蝕[18]，刻蝕深度230μm，形成厚20μm的膜片。 (7) 正面穿透刻蝕。采用正面穿透版M5在硅片正面進行光刻，得到梁膜結構的外形，剩余硅膜采用ICP繼續刻蝕，釋放敏感結構。

(8) 涂覆氧化層，采用氧化絕緣層版M6對傳感器芯片表面除焊盤以外的位置涂覆一層絕緣氧化層，增強傳感器的絕緣性能，為其能夠進行液體測量打下基礎。 加工完成的傳感器芯片如圖4所示,整體芯片尺寸為2.5mm×2.5mm×0.25mm。

2.2 傳感器芯片封裝

由于MEMS傳感器芯片的特殊性，如不采用必要的封裝保護則不能應用于實際中。所設計傳感器具有可動結構，需要與流體相互作用產生運動，才能完成流量測量。對于MEMS梁膜結構流量傳感器的封裝，主要有以下要求：(1) 保護傳感器芯片可動結構不受破壞，高可靠性，高穩定性；(2) 增強傳感器密封性，適應液體環境測量要求；(3) 使傳感器免受安裝帶來的應力影響；(4) 提供可靠的引線方式和電氣連接；(5) 盡量減小因封裝過程而引入的傳感器系統誤差，減小溫度變化引起的熱應力對傳感器性能影響；(6) 安裝簡易、成本低廉，封裝制造能與標準的微電子制造工藝兼容。

針對以上要求，本文采用PCB轉接板結合不銹鋼殼體的封裝方式，對傳感器進行了實驗性封裝。不銹鋼殼體主要對傳感器芯片和PCB板提供載體，并保護傳感器芯片。傳感器芯片、PCB轉接板與殼體相互粘接成為一體結構，并在表面涂覆一層硅膠，以增加傳感器密封性。圖5為所采用的封裝方案示意圖，圖6為封裝完成的傳感器。

3 傳感器性能測試

設計的MEMS梁膜結構壓差式流量傳感器性能測試試驗主要包括氣體(壓縮空氣)流速測試和液體(水)流速測試。

3.1 氣流測試

氣流測試中，流動氣體采用壓縮空氣源提供，標準流量計采用SY-M100L-CRWE便攜式標準表法標定裝置。氣流測試框圖如圖7所示。

氣流試驗是在溫度20℃，相對濕度50%RH的環境下進行，采用±5V恒壓源供電，測量范圍0～30m/s。試驗時，氣流速度的輸入由0m/s開始，每增加3m/s測采集一次，每次穩定時間設定為30s，直至達到試驗量程；之后，進行反行程卸載測試，測試流速間隔及穩定時間與加載過程相同。循環測量3次，測試結果如圖8所示。

擬合后的曲線方程為：

式中：U為輸出電壓；v為流體速度。

3.2 水流測試

水流測試采用水槽標定裝置完成試驗，其試驗圖如圖9所示。

水流試驗是在水溫10℃環境下進行的，采用±5V恒壓源供電，測量范圍為0～3m/s。試驗時，水流速度的輸入由0m/s開始，每增加0.3m/s測量一次，每一次穩定時間30s，直到達到試驗量程；之后，進行反行程卸載測試，測試流速間隔與穩定時間與加載過程相同。每個傳感器加載卸載循環過程進行3次，測試結果如圖10所示。

擬合后的曲線方程為：

3.3 傳感器靜態性能指標

通過分析傳感器標定測試結果，得到其各項靜態性能如表1所示。

從測試結果可以看出，所設計傳感器能夠完成氣流和水流流量的測試工作。其中氣流測試靈敏度為0.3508mV/(ms-1)2，測試基本精度為0.5885%FS；水流測試靈敏度為41.5241mV/(ms-1)2，測試基本精度為0.9323%FS。結果表明，所設計傳感器具有足夠的靈敏度與基本精度從而完成流量信號的測量工作。 性能指標中量程存在測量下限的原因主要有2點：(1) 當流速較低時，流體粘度對傳感器影響較大，使得測量精度降低；(2) 當流速小于1m/s時，流速越小，則其平方值會更小，使得傳感器無輸出電壓。存在測量下限是壓差式流量傳感器目前所無法克服的一個缺點。本文所設計傳感器氣流測試下限為1.2m/s，水流測試下限為0.11m/s，相比較現有壓差式流量傳感器，具有更低的測量下限。

表1 傳感器標定測試結果Table 1 Result of calibration test

4 結 論

(1) MEMS流量傳感器采用可與IC加工工藝集成的加工技術，其低成本、微型化以及可批量生產的潛力可使MEMS傳感器在未來智能檢測領域中得到大量應用。

(2) MEMS壓差式流量傳感器測量過程中電極與流體無接觸，且測量過程中無能量輸入到被測流體中，對流體溫度幾乎無影響，尤其適用對溫度敏感的流量測量領域。

(3) 所設計傳感器敏感單元采用新型梁膜結構，提高了傳感器的測量靈敏度，且加工工藝簡單。

(4) 通過性能測試試驗可以看出，MEMS梁膜結構傳感器具有較高的靈敏度和精度，較低的測量下限，且可同時用于氣體和液體環境流量信號的測量。

[1]Schena E, Massaroni C, Saccomandi P, et al. Flow measurement in mechanical ventilation:a review[J]. Medical Engineering & Physics, 2015, 37(3): 257-264.

[2]蔡武昌. 從FLOMEKO 2010看流量測量技術和儀表的發展[J]. 石油化工自動化, 2011,(05): 1-4. Cai W C. View of flow measurement technology and instrument development from FLOMEKO 2010[J]. Automation in Petro-chemical Industry, 2011, (05): 1-4

[3]Worsfold P J, Clough R, Lohan M C, et al. Flow injection analysis as a tool for enhancing oceanographic nutrient measurements-a review[J]. Analytica Chimica Acta, 2013, 803: 15-40.

[4]Nguyen N T. Micromachined flow sensors-a review[J]. Flow Measurement and Instrumentation, 1997, 8(1): 7-16.

[5]Zhou L X. A review of measurements and numerical studies for the effect of wall roughness on the gas-particle flow behavior[C]. 8th International Symposium on Measurement Techniques for Multiphase Flows, 2014: 115-120.

[6]彭杰綱, 周兆英, 葉雄英. 基于MEMS技術的微型流量傳感器的研究進展[J]. 力學進展, 2005,(03): 361-376. Peng J G, Zhou Z Y, Ye X Y. Progresses on micromachined flow sensors based on mems technology[J]. Advances in Mechanics, 2005, (03): 361-376

[7]Kuo J T W, Yu L, Meng E. Micromachined thermal flow sensors-a review[J]. Micromachines, 2012, 3(3): 550-573.

[8]Nawi M N M, Abd M A, Arshad M R, et al. Review of MEMS flow sensors based on artificial hair cell sensor[J]. Microsystem Technologies-Micro-and Nanosystems-Information Storage and Processing Systems, 2011, 17(9): 1417-1426.

[9]Ozaki Y, Ohyama T, Yasuda T, et al. Air flow sensor modeled on wind receptor hairs of insects[J]. Proceedings of the IEEE Micro Electro Mechanical Systems(MEMS), 2000: 531-536

[10]Ma R H, Chou P C, Wang Y H, et al. A microcantilever-based gas flow sensor for flow rate and direction detection[J]. Micro-system Technologies Micro and Nano systems Information Storage and Processing Systems, 2009, 15(8): 1201-1205.

[11]Richter M, Wackerle M, Woias P, et al. A novel flow sensor with high time resolution based on differential pressure principle[C]. MEMS 99: Twelfth IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems, Technical Digest, New York, 1999: 118-123.

[12]Chen P, Zhao Y L, Tian B A, et al. Design and fluid-structure interaction analysis of a micromachined cantilever-based differential pressure flow sensor[J]. Micro & Nano Letters, 2014, 9(10): 650-654.

[13]Chen P, Zhao Y L, Li Y Y. Design, simulation and fabrication of a micromachined cantilever-based flow sensor[C]. 8th IEEE International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems(NEMS),2013: 681-684.

[14]Fitzpatrick JAJ, Inouye Y, Manley S, et al. From “there’s plenty of room at the bottom” to seeing what is actually there[J]. Chemphyschem, 2014, 15(4): 547-549.

[15]Stylios G K. There is plenty of room at the bottom, RP Feynman[J]. International Journal of Clothing Science and Technology, 2013, 25(5): 336-337.

[16]SD S. MEMS materials and processes handbook[M]. New York: Springer, 2011

[17]Erdmann A, Liang R G, Sezginer A, et al. Advances in lithography: introduction to the feature[J]. Applied Optics, 2014, 53(34): L1-L2.

[18]Mendaros R G, Marcelo M T. ICP-RIE platinum(Pt) sputter etching[C]. 2014 IEEE 21st International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, 2014: 114-117.

(編輯：楊 娟)

Design and development of MEMS based beam-membrane structure flow sensor

Chen Pei1,*, Zhao Yulong2, Tian Bian2

(1. School of Construction Machinery, Chang’an University, Xi’an 710064, China; 2. State Key Laboratory for Manufacturing Systems Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710054, China)

Flow is one of the important parameters in industrial detection. With the development and application of the Micro Electro-Mechanical Systems (MEMS) technology, flow detection is developing towards miniaturization, high precision and intelligence. A MEMS beam-membrane structure based differential pressure flow sensor is designed, and its working principle is analyzed. The sensor is fabricated by the silicon micromachining technology, and then the airflow test and water flow test are conducted. The sensitivity by the airflow test is 0.3508mV/(ms-1)2and the basic accuracy is 0.5885%FS. The sensitivity by the water flow test is 41.5241mV/(ms-1)2and the basic accuracy is 0.9323%FS. The results show that the designed sensor has sufficient sensitivity and basic accuracy for the flow measurement.

MEMS;flow;sensor;beam-membrane structure;micromachining

2016-12-12;

2017-02-24

ChenP,ZhaoYL,TianB.DesignanddevelopmentofMEMSbasedbeam-membranestructureflowsensor.JournalofExperimentsinFluidMechanics, 2017, 31(2): 34-38. 陳 佩, 趙玉龍, 田 邊.MEMS梁膜結構流量傳感器設計與實現. 實驗流體力學, 2017, 31(2): 34-38.

1672-9897(2017)02-0034-05

10.11729/syltlx20170001

TH814

A

陳 佩(1989-)，男，陜西西安人，博士，講師。研究方向：MEMS傳感器設計與制造。通信地址：陜西省西安市南二環路中段(710064)。E-mail: chdchenpei@chd.edu.cn

*通信作者 E-mail: chdchenpei@chd.edu.cn